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[发明专利]一种高电源抑制比PTAT电流源-CN201711472091.9有效
发明人：王海时;毛焜;彭映杰;杨燕;王天宝;李英祥;杨春俊;刘丹 -专利权人：上海智浦欣微电子有限公司
申请日： 2017-12-29 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：公开了一种模拟集成电路领域的高电源抑制比基准电流源，该基准电流源具有启动电路、基准单元和反馈电路，包括控制端、电源端、基准提供端和接地端，其控制端接收控制信号VCON，其电源端耦接至外部电源VCC，其基准提供端提供一与绝对温度成正比的PTAT电流。该基准电流源具有很高的电源抑制比。
一种电源抑制 ptat 电流

[发明专利]一种低电压基准源电路-CN201711473465.9有效
发明人：王海时;毛焜;杨燕;彭映杰;王天宝;李英祥;刘丹;杨春俊 -专利权人：上海智浦欣微电子有限公司
申请日： 2017-12-29 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：公开了一种模拟集成电路领域的低压基准源，包括三个电阻和七个晶体管。该低电压基准源结构简单，可以工作于1.2V以下电压，可以用于产生与绝对温度成正比电流，也可以与负温度系数电压(电流)组合以产生基准电压源。
一种电压基准电路

[发明专利]一种高电源抑制比基准电压源-CN201711472109.5有效
发明人：王海时;毛焜;杨燕;彭映杰;王天宝;李英祥;刘丹;杨春俊 -专利权人：上海智浦欣微电子有限公司
申请日： 2017-12-29 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：本发明公开了一种模拟集成电路领域的高电源抑制比基准电压源，该基准电压源具有启动电路、基准单元和反馈电路，包括控制端、电源端、偏置端、基准提供端和接地端，其控制端接收控制信号VCON，其电源端耦接至外部电源VCC，其偏置端提供偏置电压VBA，其基准提供端提供一基准电压VREF。该基准电压源具有很高的电源抑制比。
一种电源抑制基准电压

[发明专利]目标信息生成方法、装置、设备、介质及嵌入式系统-CN202111013391.7在审
发明人： 杨春俊 -专利权人：北京车和家信息技术有限公司
申请日： 2021-08-31 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H04L61/3015 文献下载
摘要：本公开涉及一种目标信息生成方法、装置、设备、介质及嵌入式系统，该方法包括：检测处理器中是否设置有目标信息；其中，目标信息用于标识处理器；在检测到处理器中未设置目标信息时，获取与处理器连接的目标器件的唯一标识信息；基于唯一标识信息，生成目标信息。根据本公开实施例的技术方案，基于目标器件的唯一标识信息生成目标信息，例如生成MAC地址，从而可无需提前烧录MAC地址，也无需设置MAC地址的数据库，由此可节省烧录MAC地址或者设置数据库的程序，同时可按需灵活生成MAC地址，以用于实现嵌入式设备与服务器之间的灵活关联；有利于减少嵌入式设备的生产程序和时间，提高生产效率。
目标信息生成方法装置设备介质嵌入式系统

[发明专利]一种资金流向的追踪方法及装置、电子设备、存储介质-CN202210547135.4在审
发明人：王明德;王一专;王继红;杨春俊;廖鲁;蓝洋;周勇攀;张雁南;陈桂宇;王博 -专利权人：中国建设银行股份有限公司
申请日： 2022-05-19 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： G06Q40/02 文献下载
摘要：本申请公开了一种资金流向的追踪方法及装置、电子设备、存储介质，所述方法包括：从目标账户的交易流水中识别出目标资金交易；将目标资金交易确定为当前待追踪交易；从当前待追踪交易到账的账户的各笔转出交易中，筛选出满足预设条件的各笔当前的目标转出交易；在对所有当前待追踪交易进行追踪后，判断当前追踪层数是否等于预设层数；若判断出不等于预设层数，则分别针对各笔当前的目标转出交易，将目标转出交易确定为新的当前待追踪交易，并返回执行从当前待追踪交易到账的账户的各笔转出交易中，筛选出满足在预设条件的各笔当前的目标转出交易；若判断出等于预设层数，则将目标资金交易和所有目标转出交易进行整合，得到资金流向数据并反馈。
一种资金流向追踪方法装置电子设备存储介质

[发明专利]用于血管瘤治疗的低温等离子体CAP激活液的制备方法-CN202110786525.2在审
发明人： 杨春俊;杨兴宇;王俪昀;王峰;张晨晨 -专利权人：安徽医科大学第二附属医院
申请日： 2021-07-12 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： A61K41/00 文献下载
摘要：本发明属于低温等离子激活液用于皮肤鳞状细胞癌、基底细胞癌和恶性黑素瘤分析技术领域，公开了一种用于皮肤血管瘤治疗的低温等离子体(cold atmospheric plasma,CAP)激活液的制备方法，利用空气源性低温等离子体装置处理成分简单且具有生物活性保护能力的PBS缓冲液以及常用细胞培养基DMEM制备具有治疗皮肤血管瘤能力的低温等离子体激活液；低温等离子体没有特定的剂量单位，国际上目前使用低温等离子体处理时间作为CAP处理的剂量标准。本发明使用CAP装置处理PBS120s‑300s(包括其中任一时间)，获得激活液并利用制得得激活液外用或局部注射于血管瘤达到治疗目的。
用于血管瘤治疗低温等离子体 cap 激活制备方法

[发明专利]一种用于低温等离子体激活液制备后的储存方法-CN201910208648.0在审
发明人： 杨春俊;曹志成;赵军 -专利权人：安徽医科大学第二附属医院
申请日： 2019-03-19 - 公布日： 2019-06-07 - 主分类号： A61K41/00 文献下载
摘要：本发明属于低温等离子激活液制备及存储技术领域，公开了一种用于低温等离子体激活液的制备方法及制备装置，利用空气源低温等离子体装置处理常用细胞完全培养基制备具有治疗基底细胞癌、鳞癌、黑色素瘤能力的等离子体激活液。本发明使用介质阻挡放电装置(DBD)处理细胞完全培养液(DMEM)获得PAL，并利用制得的PAL经过在不同温度下(20℃、4℃、‑20℃)储存相同时间(72h)后在体外对培养的皮肤基底细胞癌、鳞癌、黑色素瘤细胞进行处理，证明了后PAL抑制皮肤恶性肿瘤细胞的活性具有明显的温度依赖性，发现了PAL适宜的存储温度。
制备激活液低温等离子体鳞癌培养液低温等离子体装置介质阻挡放电装置皮肤基底细胞癌治疗基底细胞癌储存存储技术领域等离子体激活恶性肿瘤细胞黑色素瘤细胞低温等离子完全培养基温度依赖性细胞黑色素瘤制备装置空气源体外存储皮肤发现

[发明专利]低温等离子体活化液激发装置及其使用方法-CN201811504238.2在审
发明人： 杨春俊;高静;郭亚俊;阮哲 -专利权人： 杨春俊;高静;郭亚俊
申请日： 2018-12-10 - 公布日： 2019-04-09 - 主分类号： H05H1/46 文献下载
摘要：低温等离子体活化液激发装置及其使用方法，解决了现在耐药菌逐年递增，导致临床上细菌感染难以治疗的问题，其包括激发体和高压电源，激发体上端经高压导线与高压电源的正极相连；所述激发体包括绝缘筒，绝缘筒内固定有多个铜棒，多个铜棒之间并联，绝缘筒内设有无菌去离子水装置，铜棒的下端置于无菌去离子水中，无菌去离子水中插入有电线，电线贯穿绝缘筒与高压电源的负极相连。
绝缘筒高压电源激发体铜棒低温等离子体激发装置活化液水中无菌离子电线正极去离子水装置负极高压导线细菌感染耐药菌内固定上端并联下端递增贯穿治疗

[发明专利]一种抑制皮肤恶性肿瘤细胞生长的低温等离子体激活液-CN201811230690.4在审
发明人： 杨春俊;杨兴宇;王俪昀;高静 -专利权人：安徽医科大学第二附属医院
申请日： 2018-10-22 - 公布日： 2019-03-12 - 主分类号： A61K45/00 文献下载
摘要：本发明属于医学材料技术领域，公开了一种抑制皮肤恶性肿瘤细胞生长的低温等离子体(CAP)激活液，以细胞培养液(DMEM)作为底物液体，利用CAP装置激活DMEM，从而获得低温等离子体激活液(CAP‑DMEM)，再使用CAP‑DMEM在体内外作用于人皮肤基底细胞癌、鳞状细胞癌和恶性黑素瘤细胞，发现CAP‑DMEM可以选择性抑制上述3种恶性肿瘤细胞的生长，以及在体内抑制裸鼠种植后肿瘤的增生。本发明CAP‑DMEM作为一个新型的抗癌方法对未来临床治疗皮肤恶性肿瘤带来了新的希望。把CAP‑DMEM直接注射到肿瘤体内进行治疗，可以有效地抑制肿瘤细胞生长，对周围正常细胞无损伤。
低温等离子体恶性肿瘤细胞激活液皮肤生长肿瘤抑制肿瘤细胞生长体内恶性黑素瘤细胞基底细胞癌鳞状细胞癌细胞培养液选择性抑制临床治疗体内抑制医学材料正常细胞直接注射装置激活人皮肤无损伤有效地再使用恶性肿瘤底物裸鼠增生抗癌治疗种植发现

[发明专利]一种综合教育平台-CN201810295037.X在审
发明人：蔡德卿;王海时;葛木尧;马文英;谭毅;杨春俊;刘玲;薛雅娟 -专利权人：成都信息工程大学
申请日： 2018-04-04 - 公布日： 2018-10-02 - 主分类号： G06Q50/20 文献下载
摘要：本发明提供了一种综合教育平台，包括云服务器、若干教师客户端、若干学生客户端，学生主流智能终端、云服务端之间相互通信连接。本发明利用云服务器，既有现场教学的互动性强的优点，同时还设计有教师客户端和学生客户端，且各个端能实现教学任务中的绝大部分功能，提高了教学的智能化，具有极好的应用前景。
教育平台学生客户云服务器客户端通信连接现场教学智能终端互动性云服务智能化教学教师主流应用学生

[实用新型]一种高电源抑制比基准电压源-CN201721919010.0有效
发明人：刘丹;王海时;毛焜;杨燕;彭映杰;王天宝;李英祥;杨春俊 -专利权人：成都信息工程大学;四川海创天芯科技有限公司;四川悠服科技有限公司
申请日： 2017-12-29 - 公布日： 2018-07-13 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：公开了一种模拟集成电路领域的高电源抑制比基准电压源，该基准电压源具有启动电路、基准单元和反馈电路，包括控制端、电源端、偏置端、基准提供端和接地端，其控制端接收控制信号VCON，其电源端耦接至外部电源VCC，其偏置端提供偏置电压VBA，其基准提供端提供一基准电压VREF。该基准电压源具有很高的电源抑制比。
基准电压源基准提供高电源控制端偏置端抑制比接收控制信号模拟集成电路电源抑制比电源端耦反馈电路基准单元基准电压偏置电压启动电路外部电源电源端接地端

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