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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[实用新型]绝热水箱外壳排孔间隙较小的真空插管太阳能热水器-CN201220067409.1有效
发明人： 杨利君;肖燕 -专利权人：浙江斯帝特新能源有限公司
申请日： 2012-02-22 - 公布日： 2012-10-03 - 主分类号： F24J2/05 文献下载
摘要：一台绝热水箱外壳排孔间隙较小的真空插管太阳能热水器。用带排孔的绝热水箱、插入绝热水箱排孔的全玻璃真空集热管、承托连接全玻璃真空集热管和绝热水箱的支架，所述绝热水箱由内胆、外壳和充填于内胆与外壳之间的聚氨酯发泡绝热层构成。令绝热水箱外壳上排孔的直径与插入这些排孔的真空集热管外径之间的差值小于等于8毫米。本实用新型的有益效果：减小了绝热水箱外壳排孔与真空管之间的间隙和由此引起的热损失。
绝热水箱外壳间隙较小真空插管太阳能热水器

[实用新型]外壳排孔间隙较小的真空插管太阳能热水器绝热水箱-CN201220067472.5有效
发明人： 杨利君;周振宇;肖燕 -专利权人：浙江斯帝特新能源有限公司
申请日： 2012-02-22 - 公布日： 2012-09-26 - 主分类号： F24J2/46 文献下载
摘要：用带排孔的内胆1、带排孔的外壳2和充填于内胆1与外壳2之间的聚氨酯发泡绝热层3，制成一台外壳排孔间隙较小的真空插管太阳能热水器绝热水箱4。令绝热水箱4外壳2的排孔直径为63毫米、绝热水箱4绝热层3的排孔直径为59毫米；将外径58毫米的全玻璃真空集热管5插入绝热水箱4的排孔，并在内胆1的排孔与真空集热管5之间采用硅胶密封圈6；在外壳2的排孔与真空集热管5之间采用防尘圈7。对照机组采用现有绝热水箱，其外壳及绝热层的排孔直径均为68毫米，冬季24小时，测得试验产品比对照机组的水温提高1～3℃。
外壳间隙较小真空插管太阳能热水器绝热水箱

[实用新型]水箱绝热层排孔间隙较小的真空插管太阳能热水器-CN201220067439.2有效
发明人： 杨利君;孟海萍;肖燕 -专利权人：浙江斯帝特新能源有限公司
申请日： 2012-02-22 - 公布日： 2012-09-26 - 主分类号： F24J2/46 文献下载
摘要：用带排孔的水箱1、插入水箱1排孔的全玻璃真空集热管2、承托连接全玻璃真空集热管2和水箱1的支架3，组成一台水箱绝热层排孔间隙较小的真空插管太阳能热水器。水箱1由带排孔的内胆4、外壳5和充填于内胆与外壳之间的聚氨酯发泡绝热层6构成。集热管2与内胆4之间采用硅胶密封圈7；真空集热管2与外壳5之间采用防尘圈8。集热管2外径58毫米；水箱1绝热层3排孔直径59毫米。对照机组水箱外壳及绝热层的排孔直径均为68毫米。季24小时，测得试验产品比对照机组的水温高1～3℃。
水箱绝热层排孔间隙较小真空插管太阳能热水器

[实用新型]联箱绝热层排孔间隙较小的真空插管太阳能集热器-CN201220067436.9有效
发明人： 杨利君;陈亮 -专利权人：浙江斯帝特新能源有限公司
申请日： 2012-02-22 - 公布日： 2012-09-26 - 主分类号： F24J2/46 文献下载
摘要：用带排孔的联箱1、插入联箱1排孔的全玻璃真空集热管2、承托连接全玻璃真空集热管2和联箱1的支架，组成一台联箱外壳排孔间隙较小的真空插管太阳能集热器。联箱1由带排孔的内胆3、带排孔的外壳4和充填于内胆3与外壳4之间的聚氨酯发泡绝热层5构成。真空集热管2与内胆3之间采用硅胶密封圈6；真空集热管2与外壳4之间采用防尘圈7。采用外径58毫米的全玻璃真空集热管2；并令联箱1外壳4上的排孔直径为63毫米、联箱1绝热层5的排孔直径为59毫米。对照机组采用外壳及绝热层的排孔直径均为68毫米的联箱，据在浙江嘉兴地区冬季进行的共7组次试验，测得试验产品比对照机组的水温提高1～2℃。
绝热层排孔间隙较小真空插管太阳能集热器

[实用新型]外壳排孔间隙较小的真空插管太阳能集热器联箱-CN201220067463.6有效
发明人： 杨利君;周振宇;肖燕 -专利权人：浙江斯帝特新能源有限公司
申请日： 2012-02-22 - 公布日： 2012-09-26 - 主分类号： F24J2/46 文献下载
摘要：外壳排孔间隙较小的真空插管太阳能集热器联箱，用带排孔的内胆1、带排孔的外壳2和充填于内胆1与外壳2之间的聚氨酯发泡绝热层3。将外径58毫米的真空集热管5插入联箱4排孔；令联箱4外壳2的排孔直径为63毫米、联箱4绝热层3的排孔直径为59毫米。即联箱4外壳2的排孔直径与插入这些排孔的真空集热管5外径之间的差值等于5毫米。在内胆1的排孔与真空集热管5之间采用硅胶密封圈6；在外壳2的排孔与真空集热管5之间采用防尘圈7。采用绝热水箱外壳及绝热层的排孔直径均为68毫米的对照机组，在浙江嘉兴冬季，测得试验产品比对照机组的水温高1～2℃。
外壳间隙较小真空插管太阳能集热器联箱

[实用新型]绝热层排孔间隙较小的真空插管太阳能热水器绝热水箱-CN201220067374.1有效
发明人： 杨利君;王嘉飞 -专利权人：浙江斯帝特新能源有限公司
申请日： 2012-02-22 - 公布日： 2012-09-26 - 主分类号： F24J2/46 文献下载
摘要：用带排孔的内胆1、带排孔的外壳2和充填于内胆1与外壳2之间的聚氨酯发泡绝热层3，制成一个绝热层排孔间隙较小的真空插管太阳能热水器绝热水箱4。令绝热水箱4绝热层3的排孔直径为59毫米。将外径58毫米的全玻璃真空集热管5插入绝热水箱4的排孔，并在内胆1的排孔与真空集热管5之间采用硅胶密封圈6；在外壳2的排孔与真空集热管5之间采用防尘圈7。对照机组采用现有绝热水箱，其绝热层的排孔直径为68毫米，据在浙江嘉兴地区夜间气温降到零摄氏度以下的冬季进行的连续24小时、共11组次试验，测得试验产品比对照机组的水温高1～3℃。
绝热层排孔间隙较小真空插管太阳能热水器水箱

[实用新型]大功率稳压管-CN201120182672.0无效
发明人：袁琼;杨利君;欧新华 -专利权人：上海芯导电子科技有限公司
申请日： 2011-06-01 - 公布日： 2012-01-18 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本实用新型提供一种大功率稳压管，包括衬底和通过在所述衬底表面掺杂所形成的第一有源区，所述大功率稳压管还包括第二有源区，所述第二有源区为通过在所述衬底的另一表面掺杂而形成。本实用新型大功率稳压管通过在衬底的下表面再次进行掺杂，提高了衬底的掺杂浓度，从而降低了导通电阻，增加了稳压管的功率；另外由于衬底的掺杂浓度提高，也使得衬底的下表面和金属电极的欧姆接触更加完美。
大功率稳压

[发明专利]降低半导体芯片漏电流的方法-CN201110258130.1有效
发明人：欧新华;杨利君;孙志斌 -专利权人：上海芯导电子科技有限公司
申请日： 2011-09-02 - 公布日： 2012-01-11 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：本发明提供一种降低半导体芯片漏电流的方法，包括以下步骤：生产芯片；设定漏电流标准值；测量所述芯片的实际漏电流；判断所述实际漏电流是否大于所述漏电流标准值，若否，则芯片合格，不做处理，若是，则将所述芯片置于一扩散炉中，所述扩散炉中冲入了掺杂磷元素的氮气，所述扩散炉的炉温范围为500℃至600℃。本发明降低半导体芯片漏电流的方法通过将不合格芯片回炉，在炉中冲入含有磷的氮气保护气体，磷元素会与硅片表面形成一层磷硅玻璃，利用了磷元素的吸附特性，将芯片内部、金属层内部的杂质离子吸附出来，从而有效地降低了半导体芯片的漏电流。
降低半导体芯片漏电方法

[实用新型]实现TVS功能的高精度稳压管-CN201120143550.0无效
发明人：欧新华;杨利君;孙志斌 -专利权人：上海芯导电子科技有限公司
申请日： 2011-05-09 - 公布日： 2011-10-19 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本实用新型提供一种实现TVS功能的高精度稳压管，包括N型衬底和P型扩散区，所述稳压管还包括一短路环，所述短路环位于所述P型扩散区的外围，所述短路环为N+扩散层。本实用新型实现TVS功能的高精度稳压管通过在有源区外围扩散一个短路环，很好的控制了稳压管的电压，将稳压管电压浮动范围限制在5%左右，完全满足5V电源对稳压管的电压要求。
实现 tvs 功能高精度稳压

[实用新型]一种用于HDMI接口保护的TVS管-CN201120029774.9无效
发明人： 杨利君;孙志斌;欧新华 -专利权人：上海芯导电子科技有限公司
申请日： 2011-01-28 - 公布日： 2011-09-21 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种用于HDMI接口保护的TVS管，包括N型衬底以及在该N型衬底的一面形成的P扩散区，该N型衬底材料的电阻值为30Ω/□，该P扩散区结深为0.8～0.9um。采用本实用新型所述用于HDMI接口保护的TVS管，能够生产出电容值在1pF以下的TVS管，并且在保证HDMI接口正常传输数据的前提下，对HDMI接口进行静电、浪涌的保护。
一种用于 hdmi 接口保护 tvs

[实用新型]一种单面放电管集成芯片-CN201120029723.6无效
发明人：欧新华;杨利君;孙志斌 -专利权人：上海芯导电子科技有限公司
申请日： 2011-01-28 - 公布日： 2011-09-21 - 主分类号： H01L29/74 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种单面放电管集成芯片，包括N型衬底与形成在该N型衬底正面或背面的P扩散区和N+扩散区，所述N+扩散区设于P扩散区内。采用本实用新型所述单面放电管集成芯片，克服了现有技术双面放电管芯片制造工艺复杂、成本较高等缺点，将两个放电管封装并集成到芯片的一个表面上，制造工艺简单(只需要单面抛光、单面磨片、单面氧化、单面扩散，也就是只需对硅片的扩散面进行操作即可)，节约了大量人力物力，降低了碎片、废片的几率，并具有芯片成本低、封装简便等优点，同时也降低了封装成本，而且成品率达到98％以上。
一种单面放电集成芯片

[实用新型]一种低漏电固体放电管-CN201120029778.7无效
发明人：孙志斌;杨利君;欧新华 -专利权人：上海芯导电子科技有限公司
申请日： 2011-01-28 - 公布日： 2011-09-21 - 主分类号： H01L29/74 文献下载
摘要：本实用新型提供一种低漏电固体放电管，其包括由封装材料构成的壳体、位于所述壳体内的晶元、第一电极、第二电极，所述第一电极与所述第二电极均伸入至所述壳体中，且与所述晶元电连接，所述低漏电固定放电管进一步设有P型保护墙，其设于所述晶元内。本实用新型固体放电管漏电低、且成本低，通过对固定放电管的改进，使得成品率可以达到98％以上，生产成本与平面结构相同，产品的漏电流可以做到1uA以下。
一种漏电固体放电

[实用新型]一种功率大体积小的TVS管-CN201120029746.7无效
发明人：孙志斌;欧新华;杨利君 -专利权人：上海芯导电子科技有限公司
申请日： 2011-01-28 - 公布日： 2011-09-21 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种大功率体积小的TVS管，包括硅片以及在该硅片表面形成的绝缘氧化层，该绝缘氧化层是在750℃氧化形成的。采用本实用新型所述大功率体积小的TVS管，采用低温氧化(LTO)工艺，在750℃进行氧化层的生成，使得氧化层中的杂质离子的活跃度降低，提高芯片的通流能力，从而达到增大TVS功率的目的，并且在保证TVS管的功率可以达到50W以上的同时，将芯片面积缩小到0.20mm*0.20mm，满足了SOD-923型封装对芯片尺寸的要求。
一种功率体积 tvs

[实用新型]高压大功率手机充电芯片-CN201120063488.4无效
发明人：欧新华;杨利君;孙志斌 -专利权人：上海芯导电子科技有限公司
申请日： 2011-03-11 - 公布日： 2011-09-21 - 主分类号： H01L29/73 文献下载
摘要：本实用新型提供一种高压大功率手机充电芯片，包括集电极、基极和发射极，集电极为从芯片的集电区引出，基极为从所述芯片的基区引出，发射极为从所述芯片的发射区引出，集电区为一长方形区域，发射区环绕所述集电区的任意三边。本实用新型高压大功率手机充电芯片在不改变芯片面积的前提下，增加了有源区的接触面积，提高了电流的通道能力，从而同时提高了手机的充电电流和充电电压。
高压大功率手机充电芯片

[实用新型]一种低电压半导体放电管-CN201120029749.0无效
发明人：欧新华;孙志斌;杨利君 -专利权人：上海芯导电子科技有限公司
申请日： 2011-01-28 - 公布日： 2011-09-21 - 主分类号： H01L29/74 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种低电压半导体放电管，包括N1型衬底、正面P扩散区、背面P扩散区、正面P扩散区内的N+扩散区、背面P扩散区内的N+扩散区，还包括设于所述N1型衬底的正面和背面的N2扩散区。采用本实用新型所述低电压半导体放电管，通过采用大面积扩散法，调整衬底浓度，将衬底浓度降低至10Ω/□以下，从而实现低电压半导体放电管，实现断态峰值电压VRWM的电压范围为10-100V，满足了24V，36V，48V，60V等不同电压的需要。
一种电压半导体放电

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