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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体结构及其制造方法-CN201811424046.0有效
发明人： 杨仓博;饶瑞修;黄崇勳 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2018-11-27 - 公布日： 2022-06-17 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体结构及其制造方法，形成半导体结构的制造方法，包含在基板上形成电晶体；在基板上形成导电结构，使得导电结构的第一端与晶体管的栅极电性连接，而导电结构的第二端与基板电性连接；提供多个偏压至晶体管的栅极与晶体管的多个源极或漏极结构；确认导电结构的第一端与第二端是否电性连接；根据确认步骤，产生第一结果，第一结果指示第一端与第二端为电性连接；以及根据第一结果，判断导电结构可作为天线。借此，可以确认导电结构是否有达到临界尺寸，同时导电结构亦可作为排除静电荷的安全路径。
半导体结构及其制造方法

[发明专利]具有测试结构的半导体装置及其制备方法-CN202111025666.9在审
发明人： 杨仓博;饶瑞修 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2021-09-02 - 公布日： 2022-05-03 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本申请公开一种半导体装置及其制备方法。该半导体装置包括：一第一测试区；一字元线结构，设置于该第一测试区中，且平行于一第一轴排列；一第一柱的电容插塞结构，设置于该第一测试区中，且平行于一第二轴排列，该第二轴与该第一轴垂直；一第二柱的电容插塞结构，相邻设置于该第一柱的电容插塞结构，且平行于该第一柱的电容插塞结构排列；及一第一测试结构，包括一第一漏极部分及一第一源极部分，该第一漏极部分沿着该第二轴延伸，该第一源极部分沿着该第二轴延伸。该第一漏极部分设置于该第一柱的电容插塞结构上，且该第一源极部分设置于该第二柱的电容插塞结构上。
具有测试结构半导体装置及其制备方法

[发明专利]半导体结构-CN202110947577.3在审
发明人： 杨仓博 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2021-08-18 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本公开提供一种半导体结构。该半导体结构包括一晶片及一测试结构。该测试结构配置在该晶片上，且包括一第一元件以及一第二元件。该第一元件包括一第一源极/漏极层以及设置该在该第一源极/漏极层上的一第一栅极层。该第二元件包括一第二源极/漏极层以及设置在该第二源极/漏极层上的一第二栅极层。该第二栅极层连接该第一栅极层。该第一栅极层沿一第一方向设置，以及该第二栅极层沿正交该第一方向的一第二方向设置。
半导体结构

[发明专利]半导体结构-CN202110916185.0在审
发明人： 杨仓博;饶瑞修 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2021-08-11 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本公开提出一种具有一测试结构的半导体结构。该半导体结构包括一半导体基底、一存储器元件以及一测试结构。该存储器元件经设置在该半导体基底上，且具有一元件区域以及一边缘区域。该边缘区域包围该元件区域。该测试结构经设置在该半导体基底上，且包括一虚设区域、一测试边缘区域以及多个单元胞。该测试边缘区域包围该虚拟区域。该多个单元胞，其具有配置在该虚设区域中的一第一组单元胞，以及配置在该测试边缘区域的一第二组单元胞；该第二组单元胞包括该多个单元胞中最外面的单元胞。该边缘区域在一俯视图中包围的一边缘区域形状与该测试边缘区域在该俯视图中所围的一测试边缘区域形状不同。
半导体结构

[发明专利]半导体结构-CN201811548197.7有效
发明人： 杨仓博;林瑄智;饶瑞修 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2018-12-18 - 公布日： 2021-11-30 - 主分类号： H01L23/525 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体结构，其包含第一反熔丝结构、第二反熔丝结构及第一金属层。第二反熔丝结构设置于第一反熔丝结构之上。第一金属层位于第一反熔丝结构与第二反熔丝结构之间。第一接触点设置于第一反熔丝结构与第一金属层之间，以连接第一反熔丝结构与第一金属层。第二接触点设置于第二反熔丝结构与第一金属层之间，以连接第二反熔丝结构与第一金属层。本发明的半导体结构可以通过以垂直堆叠而非水平排列的反熔丝结构来减少反熔丝结构所需的空间。因此，可以增加半导体装置的集成度(integration)。
半导体结构

[发明专利]测试阵列结构、晶圆结构与晶圆测试方法-CN202010815576.9在审
发明人： 杨仓博;饶瑞修 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2020-08-14 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本发明公开了一种测试阵列结构、晶圆结构与晶圆测试方法，测试阵列结构包括基板、第一胞、第二胞、第一与第二位线环以及四个字线。第一与第二胞中的每一个都具有依序排列且彼此连接在一起的第一漏极区、第一栅极区、源极区、第二栅极区以及第二漏极区。第一胞的第一漏极区与第一栅极区位于第一位线环内。第一胞的第二栅极区以及第二漏极区位于第一位线环与第二位线环之间。第二胞的第一漏极区与第一栅极区位于第二位线环内。第二胞的第二栅极区以及第二漏极区位于第一与第二位线环之外。第一胞的第二漏极区与第二胞的第一漏极区位于其中二个彼此最相邻的字线之间。借此，能够测试晶圆结构在二个不同方向上的电流泄漏，从而确认晶圆结构的品质。
测试阵列结构方法

[发明专利]半导体结构及其制备方法-CN201911065962.4在审
发明人： 杨仓博 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2019-11-04 - 公布日： 2020-07-07 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：本公开提供一种半导体结构及其制备方法，该半导体结构包括一基底；一第一导线及一第二导线，配置在该基底上；一第一介电层，配置在该基底上并围绕该第一导线及该第二导线设置；一第一导电通孔，延伸经过该第一介电层并接触该第一导线；一第三导线，配置该第一介电层上并接触该第一导电通孔；以及一第二介电层，配置在该第一介电层上并围绕该第三导线设置；其中该第三导线覆盖该第一导线与该第二导线。
半导体结构及其制备方法

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