专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
专利下载VIP
公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
更多 »
专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
更多 »
钻瓜专利网为您找到相关结果12个,建议您升级VIP下载更多相关专利
  • [发明专利]一种表面加工工艺和半导体器件-CN202211655607.4在审
  • 潘代强;吉利;张云;王焕橙;姜喆;杨磊;杨婉君;杨京南 - 上海芯物科技有限公司
  • 2022-12-21 - 2023-04-11 - B81C1/00
  • 本发明公开了一种表面加工工艺和半导体器件,表面加工工艺包括:提供第一基板和第二基板;在第一基板的一侧沉积第一氧化层;在第二基板的一侧沉积第一加工材料;图形化第一加工材料,形成多个第一结构;在第一结构的间隙填充第一介质材料;对第一基板的第一氧化层和/或第二基板的第一介质材料进行表面活化处理;将第一基板的第一氧化层与第二基板的第一介质材料键合;剥离第二基板,得到表面加工有第一结构的第一基板。第一个独权。第一个独权的有益效果。采用上述技术方案,可进行低温键合,避免对温度敏感的电路和微结构的破坏,对器件损伤小;可使得所有衬底或器件表面均可以进行表面微观结构的加工,降低了器件表面加工的难度。
  • 一种表面加工工艺半导体器件
  • [发明专利]背照式互补金属氧化物半导体图像传感器及其制备方法-CN202110802231.4有效
  • 徐文;杨京南 - 上海芯物科技有限公司
  • 2021-07-15 - 2022-12-09 - H01L27/146
  • 本发明实施例公开了一种背照式互补金属氧化物半导体图像传感器及其制备方法。该互补金属氧化物半导体图像传感器的制备方法包括:提供第一晶圆;在第一晶圆的表面形成外延层,其中,外延层和第一晶圆的导电类型相同,且外延层的掺杂浓度小于第一晶圆的掺杂浓度,外延层内设置有至少一个像素单元;在外延层形成至少一个掺杂区,其中,掺杂区围绕像素单元设置;在第一晶圆的表面形成第二晶圆,其中,第二晶圆内设置有图像处理电路;通过湿法刻蚀工艺去除第一晶圆;通过湿法刻蚀工艺去除掺杂区。本方案相比于干法刻蚀,可以避免对硅表面的损伤,无需修复硅表面的损伤,由此降低互补金属氧化物半导体图像传感器在形成像素单元的隔离结构受到的损伤。
  • 背照式互补金属氧化物半导体图像传感器及其制备方法
  • [实用新型]可调式灯罩-CN200720015536.6无效
  • 杨京南 - 杨京南
  • 2007-10-30 - 2008-11-12 - F21V3/02
  • 本实用新型涉及一种可调式灯罩,所述的灯罩由上下开口的圆台形外罩组成,在外壁上开设透光孔;外罩顶部开口处安置圆形挡板,沿圆形挡板直径伸出两根螺丝杆贯穿外罩对称两端,在伸出端螺丝杆表面套接螺母固定连接。使用时,闭合电路,灯泡在外罩内发光,下方照射面积由外罩下开口面积决定;使用者可松动螺母,调节圆形挡板的角度,改变外罩上开口的遮挡面积,改善照射条件。本实用新型具有结构简单、方便实用、外形美观等优点。
  • 调式灯罩

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top