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[发明专利]一种单端口N-path带通滤波器-CN202111671025.0在审
发明人：罗卫军;蒋鑫;梁家豪;李晨浩;来龙坤 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： H03H11/46 文献下载
摘要：本发明涉及一种单端口N‑path带通滤波器，属于可调谐N‑path滤波器技术领域，解决了现有N‑path滤波器存在的NMOS开关导通电阻引起的失真严重、线性度较低的问题。所述带通滤波器包括：信号源，输入电阻，输出电阻，N条并联的开关电容混频通路，以及，分相时钟产生电路；其中，所述信号源的输出端连接所述输入电阻的一端，所述输入电阻的另一端连接N条并联的开关电容混频通路的并联端、以及所述输出电阻的一端，输出电阻的另一端接地；开关电容混频通路由开关电容和NMOS开关管组成；其中，所述NMOS开关管的源极接地，栅极用于接收所述分相时钟产生电路输出的控制信号，漏极连接开关电容的一端，开关电容的另一端作为当前开关电容混频通路的并联端。
一种端口 path 带通滤波器

[发明专利]一种降压转换器、降压转换方法及降压转换芯片-CN202211449442.5在审
发明人：羊硕雄;罗卫军;董青杨;黄威;李晨浩;来龙坤 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2023-02-07 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H02M3/158 文献下载
摘要：本发明公开一种降压转换器、降压转换方法及降压转换芯片，涉及集成电路技术领域，以解决现有技术中降压转换器结构复杂、能源损耗大的问题。所述降压转换器包括：依次电连接的主动放大电路、二极管电平转移电路、驱动电路和输出匹配电路。主动放大电路用于主动分别对接收到的第一差分信号和第二差分信号进行电压放大处理，输出对应的第一放大信号和第二放大信号；二极管电平转移电路用于分别将第一放大信号和第二放大信号进行电平降低处理后，输出对应的第一驱动信号和第二驱动信号；驱动电路用于基于第一驱动信号和第二驱动信号，输出对应的第一控制信号和第二控制信号；输出匹配电路用于基于第一控制信号和第二控制信号，输出目标电压信号。
一种降压转换器转换方法芯片

[发明专利]一种电压转换器、方法及电子设备-CN202110432310.0在审
发明人：罗卫军;来龙坤;蒋鑫;李晨浩;梁家豪;刘新宇 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2021-04-21 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： H03F3/189 文献下载
摘要：本发明公开一种电压转换器、方法及电子设备，涉及电路设计技术领域，以提高功率放大器的功率回退效率。所述电压转换器包括：电连接的驱动单元和全桥功率放大单元。所述驱动单元用于接入两对具有时延的差分信号，将所述差分信号进行两次放大及电平转移，获得两对具有时延的驱动信号；每对所述差分信号的摆幅小于预设摆幅。所述全桥功率放大单元用于在所述驱动信号的控制下，根据直流电压输出三电平信号。所述电子设备包括上述技术方案所提的电压转换器。所述电压转换方法应用上述电压转换器。
一种电压转换器方法电子设备

[发明专利]一种DC-DC转换器及其驱动电路和相关设备-CN202110255025.6在审
发明人：张荣华;罗卫军;蒋鑫;来龙坤;韦春 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2021-03-09 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： H02M3/335 文献下载
摘要：本发明提供了一种DC‑DC转换器及其驱动电路和相关设备，驱动电路包括差分放大电路、第一死区控制电路和第二死区控制电路；差分放大电路用于对第一差分控制信号和第二差分控制信号进行放大；第一死区控制电路用于对差分放大电路输出的第一差分控制信号进行延迟、电平转移和放大处理；第二死区控制电路用于对差分放大电路输出的第二差分控制信号进行延迟、电平转移和放大处理，以使第一开关和第二开关在开关转换的过程中同时具有死区时间，从而可以使得第一开关和第二开关不会出现同时导通的情况，不仅避免了第一开关和第二开关因瞬间大电流损坏的情况，而且降低了DC‑DC转换器的功率损耗，提高了DC‑DC转换器的效率。
一种 dc 转换器及其驱动电路相关设备

[发明专利]开关功率放大器和数字发射机-CN201810957215.0有效
发明人：罗卫军;刘辉;张杰;来龙坤;徐进 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2018-08-21 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： H03F1/02 文献下载
摘要：本发明提供一种开关功率放大器，其包括：驱动模块，用于将输入信号初步放大以生成驱动信号；末级放大电路模块，其包括D类功率放大电路，该末级放大电路模块由所述驱动信号驱动，用于将所述驱动信号放大并输出放大后的信号；自举电路模块，用于提高所述D类功率放大电路的输出端的电压，以减小驱动所述末级放大电路模块时产生的功耗。本发明还提供一种包括上述开关功率放大器的数字发射机。本发明通过引入自举电路结构，可以有效减少电路的驱动功耗，从而有效提升电路的工作效率，进而提高整个数字发射机的性能。
开关功率放大器数字发射机

[实用新型]一种N-path带通滤波器-CN202123421739.4有效
发明人：罗卫军;蒋鑫;梁家豪;李晨浩;来龙坤 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2022-05-24 - 主分类号： H03H11/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种N‑path带通滤波器，属于可调谐N‑path滤波器技术领域，解决了现有N‑path滤波器存在的NMOS开关导通电阻引起的失真严重、线性度较低的问题。所述带通滤波器包括：信号源，输入电阻，输出电阻，N条并联的开关电容混频通路，以及，多相时钟源；其中，所述信号源的输出端连接所述输入电阻的一端，所述输入电阻的另一端连接N条并联的开关电容混频通路的并联端、以及所述输出电阻的一端，输出电阻的另一端接地；开关电容混频通路由开关电容和NMOS开关管组成；其中，所述NMOS开关管的源极接地，栅极用于接收所述多相时钟源输出的控制信号，漏极连接开关电容的一端，开关电容的另一端作为当前开关电容混频通路的并联端。
一种 path 带通滤波器

[发明专利]一种GaN-HEMT器件大信号模型的建模方法-CN202110205653.3在审
发明人：程奎;罗卫军;张荣华;韦春;夏志颖;闫伟;来龙坤;蒋鑫;陈晓娟 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2021-02-24 - 公布日： 2021-06-04 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本发明所提供的GaN‑HEMT器件大信号模型的建模方法，包括：对GaN‑HEMT器件进行高低温环境下的脉冲电流‑电压测试，获得不同温度下的电流‑电压数据；采用改进后的漏极电流公式搭建GaN‑HEMT器件的漏电模型，改进后的漏极电流公式包含与环境温度相关的参数；将不同温度下的电流‑电压数据与漏电模型进行拟合，确定漏电模型的参数。由于改进后的漏极电流公式包含与环境温度相关的参数，因此，可以建立与包含环境温度相关的参数的大信号模型，从而可以获得在高低温环境下准确预测GaN‑HEMT器件性能的大信号模型，进而提高了GaN‑HEMT器件仿真模型的准确性。
一种 gan hemt 器件信号模型建模方法

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