“李香寰”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网_中国专利网

首页在售求购查询申请展会资讯专利榜企服商城升级VIP

立即登录免费注册

在售专利
求购专利
查询专利
新闻资讯
技术展会
招商加盟
专利榜

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

专利名称

专利名称
专利号码
专利分类
申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

专利下载VIP

公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

钻瓜专利网为您找到相关结果15个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]导体纳米线的选择性形成-CN202110378439.8在审
发明人：彭兆贤;李香寰;眭晓林 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2014-09-01 - 公布日： 2021-07-30 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供了一种方法，包括：蚀刻芯轴层以形成芯轴带，以及在芯轴带的侧壁上选择性地沉积金属线。在选择性沉积期间，通过介电掩模来掩蔽芯轴带的顶面。该方法还包括：去除芯轴层和介电掩模；用介电材料填充金属线之间的间隙；在介电材料中形成通孔开口，其中，金属线的顶面暴露于通孔开口；以及用导电材料填充通孔开口以形成通孔。
导体纳米选择性形成

[发明专利]互连结构和方法-CN201410803165.2有效
发明人：杨士亿;李香寰;李明翰;田希文;眭晓林 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2014-12-22 - 公布日： 2019-02-05 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：本发明提供了一种互连结构和方法。一种器件，包括：第一导电线，位于介电层上方的第一金属层中，其中，第一导电线在三个侧面被第一聚合物层包裹，并且第一导电线和介电层通过第一聚合物层的底部隔离；第二导电线，位于介电层上方，其中，第二导电线在三个侧面被第二聚合物层包裹，并且第二导电线和介电层被第二聚合物层的底部隔离；以及气隙，位于第一导电线和第二导电线之间。
互连结构方法

[发明专利]导电元件结构和方法-CN201410488038.8有效
发明人：杨岱宜;刘相玮;吴佳典;李香寰;林天禄 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2014-09-22 - 公布日： 2018-12-21 - 主分类号： H01L21/3105 文献下载
摘要：本发明公开了导电元件结构及其制造方法。在一些实施例中，在绝缘层中形成导电元件的方法包括：在绝缘层上方所设置的金属层中形成凹槽；在凹槽的侧壁上选择性地形成金属衬里；以及将金属层和金属衬里用作掩模，在绝缘层中蚀刻通孔。
导电元件结构方法

[发明专利]半导体器件金属化系统和方法-CN201410105822.6有效
发明人： 李香寰;眭晓林;蒯光国;陈海清;曾同庆;杨文成;高宗恩;李明翰;黄心岩 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2014-03-20 - 公布日： 2018-08-28 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件金属化系统和方法。在一些实施例中，用于半导体器件的金属化系统包括：主机机架以及接近主机机架设置的多个模块。多个模块之一包括物理汽相沉积（PVD）模块，并且多个模块之一包括紫外光（UV）固化模块。
半导体器件金属化系统方法

[发明专利]铜互连结构及其形成方法-CN201510016296.0有效
发明人：余振华;眭晓林;李香寰;叶菁馥 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2015-01-13 - 公布日： 2018-05-04 - 主分类号： H01L23/532 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体器件中的铜互连结构及其形成方法，铜互连结构包括具有侧壁和表面的介电层，侧壁和表面限定介电层中的开口。铜互连结构还包括沉积在介电层的限定开口的侧壁和表面上的阻挡层。铜互连结构进一步包括沉积在阻挡层上的阻挡/种子混合层。铜互连结构额外地包括沉积在阻挡/种子混合层上的粘合层。铜互连结构还包括沉积在粘合层上的种子层。
互连结构及其形成方法

[发明专利]后道工序互连层上的通孔预填充-CN201410234625.4有效
发明人：彭兆贤;郭启良;李明翰;李香寰;眭晓林 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2014-05-29 - 公布日： 2018-03-23 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：本发明涉及一种使用减少空隙的预填充工艺形成的金属互连层及其相关联的方法。在一些实施例中，金属互连层具有设置在衬底上方的介电层。具有水平面以上的上部和水平面以下的下部的开口向下延伸穿过介电层。第一导电层填充开口的下部。上部势垒层设置在第一导电层上方以覆盖开口的上部的底面和侧壁表面。第二导电层设置在上部势垒层上方以填充开口的上部。
工序互连通孔预填充

[发明专利]互连结构及其制造方法-CN201510122317.7有效
发明人：杨士亿;田希文;李明翰;李香寰;眭晓林 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2015-03-19 - 公布日： 2018-02-13 - 主分类号： H01L23/532 文献下载
摘要：本发明的实施例提供了一种互连结构，其包括衬底；位于衬底上方的第一导电部件；位于第一导电部件上方的第二导电部件；以及围绕第一导电部件和第二导电部件的介电层。第一导电部件的宽度和第二导电部件的宽度介于10nm与50nm之间。本发明的实施例还提供了一种用于制造互连结构的方法，包括(1)在介电层中形成通孔开口和线性沟槽，(2)在通孔开口中形成一维导电部件，(3)在线性沟槽的侧壁、线性沟槽的底部以及一维导电部件的顶部上方形成共形催化层，以及(4)从线性沟槽的底部和一维导电部件的顶部处去除共形催化层。
互连结构及其制造方法

[发明专利]铝互连装置-CN201210457689.1有效
发明人：叶菁馥;李香寰 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2012-11-14 - 公布日： 2017-09-19 - 主分类号： H01L23/532 文献下载
摘要：一种铝互连装置，包括在衬底上方形成的金属结构，其中金属结构由铜铝合金形成；在金属结构下方的形成第一合金层；在第一合金层下方形成的第一阻挡层，其中通过在热工艺期间第一合金层和邻近的介电层之间的反应产生第一阻挡层。
互连装置

[发明专利]后道工序(BEOL)互连方案-CN201310190400.9有效
发明人：郭启良;郭子骏;李香寰 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2013-05-21 - 公布日： 2017-07-14 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种形成后道工序金属互连层的方法。通过在半导体衬底上沉积一个或多个自组装单层以限定金属互连层区域来实施该方法。在金属互连层区域内的半导体衬底上形成具有多个金属结构的金属互连层。然后，在多个金属结构之间的区域中的半导体衬底的表面上形成层间介电层。本发明还公开了后道工序互连方案。
工序 beol 互连方案

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201310182466.3有效
发明人：杨士亿;李明翰;李香寰;吴宪昌 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2013-05-16 - 公布日： 2017-04-12 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件及其制造方法。在一个实施例中，制造半导体器件的方法包括提供包括形成在第一绝缘材料中的导电部件和设置在第一绝缘材料上方的第二绝缘材料的工件。第二绝缘材料具有在导电部件上方的开口。该方法包括在第二导电材料中的开口内的导电部件的暴露顶面上方形成基于石墨烯的导电层，并且在第二绝缘材料中的开口的侧壁上方形成基于碳的粘合层。在图案化第二绝缘材料中的基于石墨烯的导电层和基于碳的粘合层上方形成碳纳米管（CNT）。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]导体纳米线的选择性形成-CN201410440487.5在审
发明人：彭兆贤;李香寰;眭晓林 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2014-09-01 - 公布日： 2016-02-03 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供了一种方法，包括：蚀刻芯轴层以形成芯轴带，以及在芯轴带的侧壁上选择性地沉积金属线。在选择性沉积期间，通过介电掩模来掩蔽芯轴带的顶面。该方法还包括：去除芯轴层和介电掩模；用介电材料填充金属线之间的间隙；在介电材料中形成通孔开口，其中，金属线的顶面暴露于通孔开口；以及用导电材料填充通孔开口以形成通孔。本发明还涉及导体纳米线的选择性形成。
导体纳米选择性形成

[发明专利]铜蚀刻集成方法-CN201310047513.3有效
发明人：吕志伟;李忠儒;李香寰;包天一 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2013-02-06 - 公布日： 2014-05-21 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明涉及一种制造互连结构的方法，其中在半导体衬底上方形成牺牲层，然后通过蚀刻牺牲层以形成第一部件。图案化和蚀刻金属层以形成第二部件，然后沉积低k介电材料。该方法允许形成互连结构而不遭遇由多孔低k介电损伤引起的各种问题。
蚀刻集成方法

[发明专利]用于低接触电阻碳纳米管互连件的装置和方法-CN201210460900.5有效
发明人：吴宪昌;李香寰;眭晓林 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2012-11-15 - 公布日： 2014-01-15 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：一种装置包括形成在衬底上方的第一介电层、嵌在第一介电层中的第一金属线、形成在第一介电层上方的第二介电层、嵌在第二介电层中的第二金属线、形成在第一金属线和第二金属线之间的互连结构、形成在第一金属线和互连结构之间的第一碳层以及形成在第二金属线和互连结构之间的第二碳层。本发明提供了用于低接触电阻碳纳米管互连件的装置和方法。
用于接触电阻纳米互连装置方法

[发明专利]半导体组件及其制造方法-CN201110044065.2有效
发明人： 李香寰;李明翰;叶名世;余振华;眭晓林 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2011-02-22 - 公布日： 2012-02-08 - 主分类号： H01L23/535 文献下载
摘要：本发明是有关于一种半导体组件及其制造方法，以提供改善内连线可靠度与阻抗的机制。内连线的可靠度与阻抗可通过使用一复合阻障层而获致改善，其中复合阻障层提供良好的阶梯覆盖率与良好的铜扩散阻障，也提供与相邻层有良好的附着力。此复合阻障层包括一原子层阻障层，以提供良好的阶梯覆盖率。此复合阻障层也包括一增强阻障附着层，其中此增强阻障附着层含有至少一元素或化合物，且此至少一元素或化合物含有锰、铬、钒、铌或钛，以改善附着力。此复合阻障层亦包括一钽或钛层，其中此钽或钛层是设于原子层阻障层与增强阻障附着层之间。
半导体组件及其制造方法

[发明专利]半导体装置及其形成方法-CN200810211829.0有效
发明人： 李香寰;李明翰;叶名世;余振华 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2008-09-09 - 公布日： 2009-09-02 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明是有关于一种半导体装置及其形成方法，该一种半导体接触结构包括铜插塞及复合阻障层，铜插塞是形成在介电材料中的双镶嵌、单镶嵌、或其它开口部之中，而复合阻障层是位在铜插塞及开口部的侧壁与底面之间。虽然其它适当的原子层沉积层亦可使用，但复合阻障层较佳是包含位在开口部的底面、且沿着开口部的侧边以原子层沉积层法所形成的氮化钽层，阻障材料是位在铜插塞及原子层沉积层之间；阻障层可为锰基阻障层、铬基阻障层、钒基阻障层、铌基阻障层、钛基阻障层、或其它适当的阻障层层；应用本发明的优点为，在特征尺寸持续减缩的半导体制造工业中，借着降低半导体装置中传导结构的电阻值及提高可靠度，可改善半导体装置整体速度表现。
半导体装置及其形成方法

1
共 15 条

友情链接：交换友情链接需要网站权重大于4，网站收录10W以上，如符合条件，请联系QQ：76009968。

关于我们寻求报道投稿须知广告合作版权声明网站地图友情链接企业标识联系我们

在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

版权所有钻瓜科技（天津）有限公司津ICP备15000985号津公网安备 12019202000206号http://www.vipzhuanli.com/公布日期

咨询在线客服

咨询在线客服

tel code back_top