专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种基于稀有金属的污泥活性炭及在除硫氨磷方面的应用-CN201610871905.5有效
  • 李风浪;李舒歆 - 徐海燕
  • 2016-09-30 - 2019-09-27 - B01J20/20
  • 本发明提供一种基于稀有金属的污泥活性炭及在除硫氨磷方面的应用,该基于稀有金属的污泥活性炭中含有污泥活性炭和锰铈镨钕钷钐铕钆铽镝钬铒等金属元素,具体方法为:将软锰矿粉末与活性污泥混合,加入氯化锌复合活化剂,高温活化,炭化得到软锰复合活性污泥,将活性污泥经氢氧化钾溶液改性后,与稀土氧化物粉末和螯合剂混合,微波炉加热,炭化得到稀土复合活性污泥,将这种复合活性污泥混合得到产品。本发明制备的基于稀有金属的污泥活性炭活性大,孔隙高,孔径分布均匀,吸附能力强,螯合多种金属和微生物,对硫氨磷都具有很好的吸附能力,对污水和废弃中的硫氨磷去除率高。
  • 一种基于稀有金属污泥活性炭硫氨磷方面应用
  • [发明专利]一种低功率沟槽式肖特基整流器件及其制造方法-CN201611215383.X有效
  • 李风浪 - 杭州易正科技有限公司
  • 2016-12-26 - 2019-09-20 - H01L29/06
  • 本发明涉及半导体器件,特别涉及一种低功率沟槽式肖特基整流器件及其制造方法,本发明制造的低功率沟槽式肖特基整流器件,包括:N+单晶硅衬底,N‑外延层,沟槽,沟槽内的导电介质,栅绝缘层,阳极金属层,所述沟槽为斜沟槽,所述导电介质包括相间排列的第一导电部和第二导电部,所述第二导电部材料为与N‑外延层形成肖特基接触的惰性金属,所述栅绝缘层不连续,所述第一导电部通过栅绝缘层与N‑外延层隔离,所述第二导电部与N‑外延层接触,所述沟槽顶端与底端填充的导电介质属于第一导电部。本发明减小正向导通压降,优化沟槽式肖特基整流器件性能。
  • 一种功率沟槽式肖特基整流器件及其制造方法
  • [发明专利]一种结势垒肖特基二极管-CN201611225372.X有效
  • 李风浪 - 杭州易正科技有限公司
  • 2016-12-27 - 2019-09-20 - H01L29/872
  • 本发明涉及半导体技术领域,特别涉及一种结势垒肖特基结构的二极管,包括:第一导电类型衬底,第一导电类型半导体层,阳极金属层,绝缘层,终端保护区,第二导电类型半导体区,所述第一导电类型半导体层上表层中形成多个具有一定间隔的沟槽,所述终端保护区与第二导电类型半导体区形成于所述沟槽下方,所述沟槽侧壁形成有绝缘侧壁,所述沟槽内填充导电材料,本发明有效提高结势垒肖特基二极管PN结对二极管耐压性能的改善作用。
  • 一种结势垒肖特基二极管
  • [发明专利]一种水转冰储存设备-CN201610877732.8有效
  • 李风浪;李舒歆 - 南京涵曦月自动化科技有限公司
  • 2016-09-30 - 2019-09-17 - F25C5/18
  • 本发明公开了一种水转冰储存设备,包括设置在物理储水容腔下方的空腔体,空腔体的旁侧设有冰块上下叠加容体,空腔体内设有将冰块推入冰块上下叠加容体底部进口的推动装置,冰块上下叠加容体内设有将冰块上下叠加的叠加装置。空腔体的出口处设一翻转门,翻转门顶部与铰接在空腔体顶壁上的V形铰接件连接,空腔体的顶部设有与物理储水容腔连通的通水口,通水口内插设堵头;V形铰接件和堵头联动,V形铰接件驱动翻转门打开空腔体时,堵头打开通水口,以有序地控制水注入空腔与冰块推出空腔。
  • 一种水转冰储存设备
  • [发明专利]一种折扇式伞具-CN201710225609.2有效
  • 李风浪 - 石思思
  • 2017-04-07 - 2019-08-27 - A45B11/00
  • 本发明公开了一种折扇式伞具,包括设置在伞架上的折扇,折扇的旋转轴开设插孔,所述伞架中设有旋转杆,旋转杆位于所述旋转轴的下方,旋转杆上设有限位块,旋转杆活动插设在伞架的支座中,限位块位于所述支座的上方。使用者手持伞架底部,需打开折扇时,向上移动所述旋转杆,旋转杆插入所述插孔内后,再旋转所述旋转杆,旋转杆带动所述旋转轴旋转,旋转轴拉开扇面。该种遮阳伞具具有通风透气的特性。
  • 一种折扇伞具
  • [发明专利]一种具有结终端延伸结构的肖特基二极管-CN201611259437.2有效
  • 李风浪 - 王学兵;张觅;王同强
  • 2016-12-30 - 2019-08-13 - H01L29/872
  • 本发明涉及半导体肖特基器件领域,特别涉及一种具有结终端延伸结构的肖特基二极管,包括:第一导电类型衬底,第一导电类型半导体层,第二导电类型JTE区,绝缘层以及阳极金属层,所述第二导电类型JTE区上形成多个斜沟槽,所述第二导电类型JTE区围绕所述斜沟槽,靠近阳极金属层的第一个斜沟槽内填充第一导电材料,其余斜沟槽内填充第二导电材料,所述第二导电材料与所述第二导电类型JTE区形成肖特基接触,本发明进一步降低器件的击穿电压对JTE浓度的敏感度,提高二极管反向抗击穿能力。
  • 一种具有终端延伸结构肖特基二极管
  • [发明专利]一种有效功率高的薄膜晶体管-CN201610961648.4有效
  • 李风浪;李舒歆 - 上海禾馥电子有限公司
  • 2016-11-04 - 2019-08-02 - H01L29/417
  • 本发明涉公开了一种有效功率高的薄膜晶体管,包括:基板、设置在基板上的栅极、设置在基板上且覆盖栅极的栅绝缘层、在栅绝缘层表面上的半导体层、以及设置在半导体层上的源级和漏级,且源极与漏极相对设置,半导体层上表面在源极以及漏极投影处形成若干第一凹槽,欧姆接触层形成在半导体层上表面的源极以及漏极投影处,欧姆接触层形状随半导体层上表面形状变化而变化,源极和漏极形成在欧姆接触层上,当所述第一凹槽在栅极处形成投影时,栅极上表面在相应的投影区形成第二凹槽,所述第二凹槽形状尺寸与相应第一凹槽相同。本发明进一步降低半导体与源极以及漏极金属接触引起的功率消耗,提高薄膜晶体管有效功率。
  • 一种有效功率薄膜晶体管
  • [发明专利]一种残疾人用的雨伞-CN201710201148.5有效
  • 李风浪 - 陈妍雨
  • 2017-03-30 - 2019-07-30 - A45B9/02
  • 本发明公开了一种残疾人用的雨伞,包括铰接在中心撑杆顶部的支杆、一端与支杆中部铰接而另一端与滑块组件铰接的连杆,滑块组件滑动配合在中心撑杆上,支杆上安装伞面;中心撑杆被分成三段,分别为支杆连接段、丝杆、手柄,滑块组件设有与丝杆配合的螺纹孔,丝杆与驱动装置连接,驱动装置安装在手柄上。按上述方案,在驱动装置的驱动下,丝杆驱动滑块组件上升,滑块组件通过连杆将支杆撑开,进而伞面撑开。按本方案,单手操作驱动装置即可将雨伞撑开。
  • 一种残疾人雨伞
  • [发明专利]一种具有升降切换功能的刻度板移动设备-CN201610880676.3有效
  • 李风浪;李舒歆 - 陈妍雨
  • 2016-09-30 - 2019-07-19 - C03C17/00
  • 本发明公开了一种具有升降切换功能的刻度板移动设备,包括主机架、活动插设在主机架中的刻度板移动机架、插设在刻度板移动机架中的刻度板、安装在主机架上且用于驱动刻度板移动机架移动的升降驱动机构;所述主机架的侧壁上设有磁铁,安装有玻璃基板的铁制框架吸附在主机架上,玻璃基板竖立设置且贴近刻度板;升降驱动机构包括升降切换装置。本发明通过升降切换装置使旋转驱动装置仅通过单方向就能控制刻度板移动机架上升和下降,同时防止误操作使刻度板移动机架升降,防止刻度板移动机架失去基准线,有利于划线的精确性。
  • 一种具有升降切换功能刻度移动设备
  • [发明专利]一种中心镂空的伞具-CN201710225613.9有效
  • 李风浪 - 何莹莹
  • 2017-04-07 - 2019-07-19 - A45B3/00
  • 本发明公开了一种中心镂空的伞具,由伞架和设置在伞架的折扇组成,折扇铰接在伞架的顶部,折扇的旋转轴开设插孔,所述伞架中设有升降杆。未使用时,折扇隐藏在伞架中,使用时,折扇旋转,与伞架垂直,此时,升降杆插入折扇的旋转轴,驱动旋转轴旋转而打开折扇。所述折扇呈环形状,由于折扇中部镂空,空气流通,折扇下的使用者不会觉得闷热。
  • 一种中心镂空伞具
  • [发明专利]一种氧化物薄膜晶体管-CN201610961637.6有效
  • 李风浪;李舒歆 - 上海禾馥电子有限公司
  • 2016-11-04 - 2019-07-05 - H01L29/786
  • 本发明涉及半导体制造领域,特别是涉及一种氧化物薄膜晶体管,包括:基板、设置在基板上的栅极、设置在基板上且覆盖栅极的栅绝缘层、在栅绝缘层表面上的半导体层、以及设置在半导体层表面的源级和漏级,且源极与漏极相对设置,半导体层分为主半导体层与位于主半导体层上的第二半导体层,第二半导体层导电沟道部分分成两个半导体增强区和位于两个半导体增强区之间的半导体减弱区,有效减小了对导通电流与截至电流优化时的相互影响,增加导通电流,减小截止电流。
  • 一种氧化物薄膜晶体管
  • [发明专利]一种结构改良的药液断流装置-CN201611191713.6有效
  • 郑洪玲;何兴波;张利红;李风浪 - 郑洪玲;何兴波;张利红
  • 2016-12-21 - 2019-07-05 - A61J3/00
  • 本发明公开了一种结构改良的药液断流装置,其出液管的下端成型有圆锥形的出液嘴,出液管的侧壁上固定有进液管,出液管内插接有活塞,活塞的外侧壁上成型有进液管相连通的侧孔,活塞的底面上成型有沉孔,活塞外侧壁上插套固定有密封圈,活塞上侧的出液管内插接有回液气缸,回液气缸的活塞杆固定在活塞上,回液气缸固定在挡板上;所述的出液嘴内插接有竖直的导管,导管的下端露出出液嘴,导管的上端固定在活塞沉孔的底面上,所述的导管上插套有橡胶套,橡胶套插接固定在出液嘴的内壁上,导管四周的橡胶套成型有若干通孔,橡胶套下侧的导管侧壁上成型有连通导管内孔的槽孔。本发明能实现双层保护,有效避免加液管管口的药液滴落。
  • 一种结构改良药液断流装置
  • [发明专利]一种便于安装拆卸的安防主机-CN201610866191.9有效
  • 李风浪;李舒歆 - 莆田市宏铭贸易有限公司
  • 2016-09-26 - 2019-06-25 - H05K5/02
  • 本发明公开了一种便于安装拆卸的安防主机,包括壳体和底盖,所述壳体的顶板底面成型有两个支撑板,所述支撑板的底面两端成型有两个插接柱,所述底盖的中部具有向上延伸的凸起部,凸起部上成型有两个与支撑板相对应的夹持板,所述夹持板的两侧成型有两个凸出的夹持块,电路板的两侧插接两个夹持块之间,夹持块的顶面上成型有圆形的插接孔,支撑板的插接柱插接在夹持块的插接孔内,电路板下方的夹持板上成型有若干“L”形的散热槽孔;底盖的凸起部与底盖的连接处成型有多个方形限位块,壳体的底部内侧壁上成型有多个与限位块配合的限位槽。本发明的各个部件安装拆卸方便,且散热效果好。
  • 一种便于安装拆卸主机
  • [发明专利]一种JFET管-CN201611051509.4有效
  • 李风浪;李舒歆 - 东莞市联洲知识产权运营管理有限公司
  • 2016-11-25 - 2019-06-21 - H01L29/808
  • 本发明涉及半导体技术领域,特别涉及一种JFET管,P型衬底;N型注入区;P型注入区;P型重掺杂区;N型重掺杂的漏区和源区;所述漏区与所述P型注入区之间的第一场氧化层;所述源区与所述P型注入区之间的第二场氧化层,所述第一场氧化层下的N型注入区上部形成P型掺杂区,所述P型掺杂区靠近P型注入区一侧与正栅电性相连,构成第二JFET结构,所述第二JFET结构的夹断电压高于本征JFET结构,本发明JFET管,其耐压性能有效提高。
  • 一种jfet

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