“李镇宇”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果163个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[外观设计]黏式温度计的组件-CN201730192919.X有效
发明人：张宰薰;刘浩相;李镇宇 -专利权人：海成帝爱斯株式会社
申请日： 2017-05-22 - 公布日： 2017-12-08 - 主分类号： 10-04 文献下载
摘要：1．本外观设计产品的名称黏式温度计的组件。2．本外观设计产品的用途本外观设计产品用于传送及接收体温。3．本外观设计产品的设计要点产品的形状。4．最能表明本外观设计设计要点的图片或照片立体图。
温度计组件

[发明专利]可变电阻存储器件和存储结构-CN201710196690.6在审
发明人： 李镇宇;朴淳五;朴正熙;堀井秀树 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-03-29 - 公布日： 2017-10-20 - 主分类号： H01L27/24 文献下载
摘要：本公开涉及可变电阻存储器件和存储结构。一种可变电阻存储器件包括一条或更多条第一导电线的图案、一条或更多条第二导电线的图案和第一与第二导电线之间的存储结构。第一导电线的图案在衬底上在第一方向上展开，第一导电线在交叉第一方向的第二方向上延伸。第二导电线的图案在第一导电线上在第二方向上展开，第二导电线在第一方向上延伸。存储结构垂直地重叠第一导电线和第二导电线。存储结构包括电极结构、在电极结构的中心上表面上的绝缘图案和在电极结构的边缘上表面上的可变电阻图案。可变电阻图案至少部分地覆盖绝缘图案的侧壁。
可变电阻存储器件结构

[发明专利]一种车、客渡船-CN201710370414.7在审
发明人： 李镇宇;杜广棣;叶俊;倪国;张海燕;孙向勇;黄兵;于全虎;李树丰;王建平;章庆生 -专利权人：江苏省船舶设计研究所有限公司;江苏省镇扬汽车轮渡管理处
申请日： 2017-05-23 - 公布日： 2017-09-12 - 主分类号： B63H5/125 文献下载
摘要：本发明公开了一种车、客渡船，包括梭形结构的船体，位于船体底部的两侧均设有内凹部并形成水流通道，水流通道沿船体的长度方向延伸；船体上设有两台全回转推进器，两全回转推进器分别设置于船头和船尾，且两全回转推进器与船体两侧的水流通道一一对应设置，两全回转推进器与船体宽度方向中心线的距离相同。通过梭形结构的船体和两侧水流通道的配合，可有效降低航行阻力，提高了推进效益和经济性能；通过与水流通道对应设置的全回转推进器，优化了与船体的配合合理性，提高了操控性能，避免了碰撞事故的发生，进而提高了使用安全性和全回转推进器的使用寿命。
一种渡船

[发明专利]多层陶瓷电容器、其制造方法及制造具有其的板的方法-CN201310559654.3有效
发明人：蔡恩赫;郑镇万;李炳华;李镇宇;金奎利 -专利权人：三星电机株式会社
申请日： 2013-11-12 - 公布日： 2017-08-04 - 主分类号： H01G4/30 文献下载
摘要：提供了一种将嵌入在板中的多层陶瓷电容器、其制造方法及制造具有其的板的方法，所述多层陶瓷电容器包括陶瓷主体；第一内部电极和第二内部电极，通过陶瓷主体的端表面交替地暴露；第一外部电极和第二外部电极，形成在陶瓷主体的端表面上；第一镀层和第二镀层，包封第一外部电极和第二外部电极，其中，当从第一或第二镀层的一端到其另一端的距离为“A”，从在距离第一或第二镀层的一端1/2×A的位置自第一或第二镀层的表面向陶瓷主体的内侧垂直地隔开3μm的点沿着陶瓷主体的长度方向画出的虚线与第一或第二镀层的表面交叉的点之间的距离为“B”时，B/A≥0.6。
多层陶瓷电容器制造方法具有

[发明专利]通过压力缓降生长改进的LED的p‑GaN层-CN201310054971.X有效
发明人：罗明华;李镇宇;夏兴国;郭浩中 -专利权人：晶元光电股份有限公司
申请日： 2013-02-20 - 公布日： 2017-07-11 - 主分类号： H01L33/32 文献下载
摘要：本发明涉及一种装置。该装置包括光子管芯结构，光子管芯结构包括发光二极管(LED)管芯。在一些实施例中LED管芯是垂直LED管芯。LED管芯包括衬底。p掺杂III‑V族化合物层和n掺杂III‑V族化合物层每个都设置在衬底上方。多量子阱(MQW)层设置在p掺杂III‑V族化合物层和n掺杂III‑V族化合物层之间。p掺杂III‑V族化合物层包括具有非指数掺杂浓度特征的第一区和具有指数掺杂浓度特征的第二区。在一些实施例中，采用低于第一区的压力形成第二区。本发明提供了通过压力缓降生长改进的LED的p‑GaN层。
通过压力降生改进 led gan

[发明专利]具有改进的效率和下降率的III‑V族化合物器件-CN201210568458.8有效
发明人： 李镇宇;林弘伟;林忠宝;夏兴国;郭浩中 -专利权人：晶元光电股份有限公司
申请日： 2012-12-24 - 公布日： 2017-05-17 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种照明装置。该照明装置包括n掺杂半导体化合物层、与n掺杂半导体化合物层间隔开的p掺杂半导体化合物层以及设置在第一半导体化合物层和第二半导体化合物层之间的多量子阱(MQW)。MQW包括多个交替的第一层和第二层。MQW的第一层具有基本均匀的厚度。第二层具有关于离p掺杂半导体化合物层的距离的阶梯式厚度。最邻近p掺杂半导体化合物层的第二层的子集掺杂有p型掺杂剂。该掺杂第二层具有相对于离p掺杂半导体层的距离改变的阶梯式掺杂浓度等级。本发明还提供了具有改进的效率和下降率的III‑V族化合物器件。
具有改进效率下降 iii 化合物器件

[发明专利]多层陶瓷电子元件及其制造方法-CN201210568526.0有效
发明人： 李镇宇;卢致铉;李仑熙 -专利权人：三星电机株式会社
申请日： 2012-12-24 - 公布日： 2017-04-12 - 主分类号： H01G4/005 文献下载
摘要：本发明提供了多层陶瓷电子元件及其制造方法，多层陶瓷电子元件包括具有介电层和交替堆叠在其中的第一内部电极和第二内部电极的陶瓷本体；和电连接至所述第一内部电极和第二内部电极并形成在所述陶瓷本体的两端处的第一外部电极和第二外部电极，其中，所述陶瓷本体包括对电容形成有贡献的有效层和设置在所述有效层的上表面和下表面中至少一个上的保护层，所述保护层包括设置在其两端的一个或更多台阶吸收层，因此通过减少缺陷，如电极铺展、开裂、分层等，使得多层陶瓷电子元件可具有优异的可靠性。
多层陶瓷电子元件及其制造方法

[发明专利]一种天然原料萃取物为有效成分的抗氧化组合物及其制法-CN201610542932.8在审
发明人：权桭赫;尹晚锡;李镇宇;林栽演;沈载锡;朴泳玟 -专利权人：（株）纽芝丽生物科技有限公司
申请日： 2016-07-11 - 公布日： 2017-03-22 - 主分类号： A61K36/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种天然原料萃取物为有效成分的抗氧化组合物，所述制法包括如下步骤第一步，粉碎，第二步，萃取，第三步，发酵，第四步，复合发酵萃取物，上述制法制成的天然原料萃取物为有效成分的抗氧化组合物，包括如下组份重量百分比包括马黛70~30%，鱼腥草10~40%，八角茴香10~40%和海带0.1~10%。本发明的天然原料萃取物为有效成分的抗氧化组合物及其制法，使用具备抗氧化活性的马黛、鱼腥草、八角茴香及海带的复合提取物，利用酵母发酵，提升抗氧化酶的发现可能，并提升抗氧化组成物的抗氧化活性，组成物可消除DPPH自由基及ABTS自由基的活性，提升SOD‑1,SOD‑2及过氧化氢酶的表现，呈现好的抗氧化活性，利用其而制成的新化妆原料组合物，药学性组合物及食品功效显著。
一种天然原料萃取有效成分氧化组合及其制法

[发明专利]在硅衬底上生长III‑V族化合物层的方法-CN201610743770.4在审
发明人： 李镇宇;夏兴国;郭浩中 -专利权人：晶元光电股份有限公司
申请日： 2013-01-30 - 公布日： 2017-01-04 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体器件，包括：硅衬底；氮化铝缓冲层，位于所述硅衬底上；复合缓冲层，位于所述氮化铝缓冲层上，所述复合缓冲层包括多个氮化铝镓子层，其中，每一个氮化铝镓子层都包含AlxGa1‑xN，其中具有0和1之间的对应x值，并且其中，给定氮化铝镓子层的x不大于设置在所述给定氮化铝镓子层和所述氮化铝缓冲层之间的其他氮化铝镓子层的x，其中，最靠近所述氮化铝缓冲层的所述复合缓冲层的氮化铝镓子层的厚度小于复合缓冲层的其余氮化铝镓子层的厚度；以及第一III‑V族化合物块层，位于所述复合缓冲层上方。
衬底生长 iii 化合物方法

[发明专利]高速晶体管-CN201510043096.4在审
发明人： 李镇宇;邹安杰;郭浩中;张俊彦 -专利权人：财团法人交大思源基金会
申请日： 2015-01-28 - 公布日： 2016-10-05 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明提供一种高速晶体管，包括衬底、形成于该衬底上方的超晶格结构以及形成于该超晶格结构上的外延层。该高速晶体管使用具有碳掺杂的氮化铝/氮化镓的超晶格结构作为外延层与衬底之间的结构，而能有效减少垂直漏电流，进而能够提升外延品质及高速晶体管的击穿电压。
高速晶体管

[发明专利]嵌入式多层陶瓷电子元件和具有该电子元件的印刷电路板-CN201310317127.1在审
发明人：李炳华;金斗永;李镇宇;郑镇万 -专利权人：三星电机株式会社
申请日： 2013-07-25 - 公布日： 2014-09-17 - 主分类号： H01G4/30 文献下载
摘要：本发明提供一种嵌入式多层陶瓷电子元件，该多层陶瓷电子元件包括陶瓷本体、第一内电极和第二内电极、第一外电极和第二外电极。所述陶瓷本体包括电介质层，所述陶瓷本体具有第一主表面和第二主表面、第一侧表面和第二侧表面以及第一端表面和第二端表面，所述陶瓷本体具有250μm的厚度或更小的厚度，所述第一内电极和第二内电极交替地暴露于所述第一侧表面或第二侧表面，所述第一外电极和第二外电极形成在所述第一侧表面和第二侧表面上，其中所述第一外电极包括第一电极层和第一金属层，所述第二外电极包括第二电极层和第二金属层，所述第一外电极和第二外电极延伸至所述第一主表面和第二主表面，形成在所述第一主表面和第二主表面上的所述第一外电极和第二外电极的宽度彼此不同。
嵌入式多层陶瓷电子元件具有印刷电路板

[实用新型]车辆电源控制装置-CN201420194296.0有效
发明人： 李镇宇 -专利权人：现代摩比斯株式会社
申请日： 2014-04-21 - 公布日： 2014-09-10 - 主分类号： H02J7/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及能够在电动助力转向系统ECU电源前端切断暗电流的车辆电源控制装置。所述车辆电源控制装置包括：电源控制信号接收模块，接收电源控制信号(例如，汽车发动信号、IGN_ENA)；暗电流防止模块，在所述电源控制信号接收模块的下一阶段，防止所述电源控制信号之前流入的电源电压(Vbat)；继电模块，所述电源电压开／关时，因继电开始或继电停止而从所述电源电压向发动机供应电流；继电缩短模块，在所述暗电流防止模块和所述继电模块之间，所述继电模块的继电开始之前，快速升高电压而缩短所述继电开始的时间；及继电识别模块，向所述继电模块施加继电开始或继电停止信号之后，降低电压而能够识别继电开始或继电停止。
车辆电源控制装置

[发明专利]嵌入式多层陶瓷电子元件以及具有嵌入式多层陶瓷电子元件的印刷电路板-CN201310067424.5有效
发明人： 李镇宇;蔡恩赫;李炳华 -专利权人：三星电机株式会社
申请日： 2013-03-04 - 公布日： 2014-07-09 - 主分类号： H01G4/005 文献下载
摘要：提供了一种嵌入式多层陶瓷电子元件，该嵌入式多层陶瓷电子元件包括：陶瓷本体，所述陶瓷本体包括电介质层，所述陶瓷本体具有彼此相对的第一侧表面和第二侧表面，且所述陶瓷本体的厚度等于或小于250μm；第一内电极和第二内电极，所述第一内电极和第二内电极设置成彼此面对且它们之间插入有电介质层；第一外电极和第二外电极，所述第一外电极形成在陶瓷本体的第一侧表面上并且与第一内电极电连接，所述第二外电极形成在第二侧表面上并且与第二内电极电连接；以及金属层，所述金属层包含铜（Cu）且分别形成在所述第一外电极和第二外电极上，其中当金属层的厚度为tp时，可以满足tp≥5μm。
嵌入式多层陶瓷电子元件以及具有印刷电路板

[发明专利]具有改进的热耗散和光提取的高压LED-CN201310256601.4有效
发明人：陈冠群;郭浩中;林佑达;李镇宇 -专利权人：台积固态照明股份有限公司
申请日： 2013-06-25 - 公布日： 2014-03-26 - 主分类号： H01L25/075 文献下载
摘要：本发明涉及一种照明装置。该照明装置包括多边形管芯。该多边形管芯包括多个发光二极管(LED)。每个LED都包括多个外延层，外延层包括p型层、n型层以及设置在p型层和n型层之间的多量子阱(MQW)。每个LED都包括分别与p型层和n型层电连接的p型电极和n型电极。多边形管芯还包括基台，每个LED与基台连接。p型电极和n型电极位于基台和外延层之间。基台包括多个传导元件，该多个传导元件被配置为串联地电连接多个LED的至少一部分。本发明还提供了具有改进的热耗散和光提取的高压LED。
具有改进耗散提取高压 led

[发明专利]预切割硅衬底背面以在衬底正面上更好地生长III-V化合物层-CN201310003794.2有效
发明人： 李镇宇;林忠宝;夏兴国;郭浩中;徐慧君;黄信杰 -专利权人：台积固态照明股份有限公司
申请日： 2013-01-06 - 公布日： 2014-03-26 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种装置。该装置包括具有正面和与正面相对的背面的衬底。该衬底包括从衬底背面形成的多个开口。从平面图上观看时，这些开口共同限定衬底背面上的图案。在一些实施例中，衬底是硅衬底或者是碳化硅衬底。硅衬底与开口垂直对齐的部分的竖直尺寸在约100微米至约300微米的范围内变化。在硅衬底的正面上方形成有III-V族化合物层。该III-V族化合物层是发光二极管(LED)、激光二极管(LD)以及高电子迁移率晶体管(HEMT)中一种的部件。本发明还提供了预切割硅衬底背面以在衬底正面上更好地生长III-V化合物层。
切割衬底背面面上更好生长 iii 化合物