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- [发明专利]晶圆的热处理装置-CN202210913995.5有效
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李海卫;冀建民;刘春峰;么曼实
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北京屹唐半导体科技股份有限公司
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2022-08-01
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2023-10-24
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H01L21/67
- 本公开提供了一种晶圆的热处理装置。其中，晶圆的热处理装置包括：腔体、托盘、第一微波发生器、第二微波发生器、泵体和加热部。腔体具有相对设置的第一侧壁和第二侧壁，第一侧壁沿竖直方向间隔开设有第一开口和第二开口，第二侧壁上开设有第三开口，第一开口与第三开口沿水平方向相对设置且与腔体内部的腔室连通；第一微波发生器与第一开口连接；第二微波发生器与第二开口连接；托盘设置在腔室内；泵体与第三开口连接；加热部与腔体连接。根据本公开的技术，通过设置在不同位置的第一微波发生器和第二微波发生器，可以实现对等离子体输送至腔室内的位置和气体的类型进行调整，增加了晶圆热处理工艺调解的灵活性。
- 热处理装置
- [发明专利]晶圆的热处理装置-CN202210913974.3有效
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李海卫;冀建民;刘春峰;么曼实
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北京屹唐半导体科技股份有限公司
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2022-08-01
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2023-10-24
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H01L21/67
- 本公开提供了一种晶圆的热处理装置。其中，晶圆的热处理装置包括：腔体、托盘、微波发生器、泵体和加热部。腔体具有沿水平方向相对设置的第一侧壁和第二侧壁，第一侧壁开设第一开口，第二侧壁开设第二开口，第一开口与第二开口沿水平方向相对设置且与腔体内部的腔室连通；托盘设置在腔室内；微波发生器与第一开口连接，用于向腔室输送等离子体；泵体与第二开口连接；加热部与腔体连接，用于加热晶圆。根据本公开的技术，通过微波发生器向腔室内输送等离子体、同时泵体抽取腔室内的等离子体，实现在晶圆的上表面形成沿水平方向流动的气流，与此同时结合加热部对晶圆的加热，可以保证晶圆的热处理工艺的质量和稳定性。
- 热处理装置
- [发明专利]工艺平台-CN202310833174.5在审
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李海卫;管长乐;赵文斌;罗功林;范强
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北京屹唐半导体科技股份有限公司
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2023-07-07
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2023-10-10
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H01L21/67
- 本公开提供了一种工艺平台，涉及半导体技术领域，具体包括传输仓、容置仓和多个反应腔室。传输仓内设有第一传输部，第一传输部设有多个抓取机构。容置仓与传输仓连通，容置仓用于装载晶圆。多个反应腔室均与传输仓连通，每个反应腔室中均设有至少一个载片台，载片台的顶面设有可升降地顶针。根据本公开的方案，通过设置多个反应腔室，使工艺平台可以对多个晶圆进行工艺反应，通过设置多个抓取机构，可以提高反应腔室与容置仓之间传输晶圆的效率，使工艺平台可以不间断的进行工艺反应，提高了工艺平台的工艺产能。
- 工艺平台
- [发明专利]反应腔室及氧化设备-CN202310659848.4在审
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冀建民;李海卫;苏文学
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北京屹唐半导体科技股份有限公司
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2023-06-06
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2023-08-25
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H01J37/32
- 本公开提供了一种反应腔室及氧化设备，具体包括腔室本体和导流管。腔室本体的内部设有载片台，载片台形成有用于容置晶圆的反应区域，反应区域的顶面不低于晶圆的顶面。腔室本体的侧壁设有开孔。导流管设于腔室本体的内部，导流管包括管体，管体的进气口与开孔连通，管体的出气口朝向反应区域延伸设置，出气口用于将等离子体输送至反应区域的顶面。根据本公开的方案，由于在开孔和载片台之间设置了导流管，因此可以使通过开孔进入腔室本体的内部的等离子体，经由导流管的输送会聚至晶圆的顶面，避免等离子体向晶圆顶面以外的区域扩散，提高了晶圆顶面的等离子体浓度，从而提升了晶圆的顶面生成二氧化硅的生长速率及所生成二氧化硅的质量。
- 反应氧化设备
- [发明专利]晶圆的热处理装置-CN202210946537.1有效
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么曼实;王春雷;李海卫
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北京屹唐半导体科技股份有限公司
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2022-08-09
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2022-11-04
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H01L21/67
- 本公开提供了一种晶圆的热处理装置。其中，晶圆的热处理装置包括：腔体、托盘、加热部和压力调节管路。腔体包括第一开口；托盘设置在腔体的腔室内，托盘的第一端面用于支撑晶圆；加热部与腔体连接，用于加热晶圆；压力调节管路包括真空管和泵体，真空管设置在第一开口和泵体之间，真空管上设置有第一阀门、真空规和第一压力开关，泵体用于对腔室抽真空；第一阀门用于根据真空规检测的腔室的真空度和第一压力开关检测的腔室的压力，对腔室的压力进行调节。根据本公开的技术，通过压力调节管路进行压力调节，能够使腔室内形成低压环境，同时利用加热部对晶圆辐射加热，可以有效避免图形效应，优化晶圆应力。
- 热处理装置
- [发明专利]晶圆的热处理装置-CN202210914055.8在审
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李海卫;冀建民;范强
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北京屹唐半导体科技股份有限公司
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2022-08-01
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2022-09-16
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H01L21/67
- 本公开提供了一种晶圆的热处理装置。其中，晶圆的热处理装置包括：腔体、托盘、微波发生器、第一泵体和加热部；腔体具有第一侧壁、第二侧壁、顶面和底面，第一侧壁开设第一开口，第二侧壁开设第二开口；托盘设置在腔体的腔室内；微波发生器与第一开口连接；第一泵体与第二开口连接；加热部包括加热灯和石英板，顶面和底面均设置加热灯，石英板与加热灯连接，石英板形成有第一透光区，第一透光区的外围形成第二透光区，第一透光区的透光率大于第二透光区。根据本公开的技术，能够实现对晶圆的双面辐射加热，有效避免了图形效应，优化晶圆应力。同时，石英板不同透光率的透光区的配合，可以实现对晶圆的高效率、高均匀性的加热。
- 热处理装置
- [发明专利]一种晶圆的检测设备-CN202010536049.4有效
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陈鲁;李海卫
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深圳中科飞测科技股份有限公司
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2020-06-12
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2022-07-22
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B08B5/02
- 本发明公开一种清洁装置和检测设备，其中，该清洁装置包括吹扫组件和吸气组件，所述吹扫组件用于向所述样品的待处理区域喷吹吹扫气体，所述吸气组件用于对吹扫过所述待处理区域的所述吹扫气体提供吸力。在使用时，吹扫组件和吸气组件可以同时开始工作，吹扫组件的出气口可以吹出吹扫气体，以对样品的待处理区域进行吹扫；在气流的方向上，吸气组件位于待处理区域的下游侧，可以对吹扫后的气体提供吸力，以收集这部分气体，可较大程度地避免可能携带有微尘等异物的吹扫后的吹扫气体又污染样品的其他部位的情形。
- 一种检测设备
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