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[实用新型]一种晶圆预控温装置-CN202223320953.5有效
发明人： 李林东;李新国 -专利权人：杭州富芯半导体有限公司
申请日： 2022-12-09 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本公开提供了一种晶圆预控温装置，用于在工艺加工前对晶圆进行预升温处理，包括：气闸室，在气闸室内设置有控温机构，控温机构包括升温设备与铺设在气闸室底部的金属管路，升温设备用于对金属管路加热，金属管路用于加热晶圆。本公开的晶圆预控温装置，设置在晶圆承载装置与晶圆工艺加工装置之间，用于在工艺加工前对晶圆进行预升温处理，能够避免晶圆在工艺加工前的快速温度切换，增加了晶圆温度变化的过渡阶段，能够防止晶圆内部产生巨大的热应力，导致的晶圆破裂。
一种晶圆预控温装置

[发明专利]一种直拉硅单晶检测CCD相机-CN202310696325.7有效
发明人：陈伟;陈志军;吴超慧;李林东;张鹏;丁云飞;卢亮;杨朝红 -专利权人：苏州晨晖智能设备有限公司
申请日： 2023-06-13 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： C30B15/26 文献下载
摘要：本发明涉及直拉硅单晶技术领域，尤其是指一种直拉硅单晶检测CCD相机，包括固接在单晶炉的液口窗上的支架；所述支架的顶部固接有CCD相机；所述支架的顶部固接有清洁结构；所述清洁结构包括固接在支架的顶部的外壳；所述外壳的内部两侧均开设有收纳槽；两侧所述滑槽的内部之间滑动安装有横梁；所述横梁的顶部设置有清洁棉条；电机驱动动螺杆旋转，驱动横梁从CCD相机的镜头底部滑过，带动清洁棉条接触CCD相机的镜头滑过，将CCD相机的镜头附着的灰尘清扫掉；控制横梁沿往复平移多次，直至CCD相机的镜头干净，拍摄的图像清晰后，完成对CCD相机镜头的清洁工作；不但降低了对CCD相机清洁的困难度，而且降低了灰尘对CCD相机的影响。
一种直拉硅单晶检测 ccd 相机

[发明专利]一种单晶炉及降低单晶炉中硅蒸汽的方法-CN202310610277.5有效
发明人： 李林东;高伟杰;陈伟;丁云飞;陈志军;吴超慧;张鹏;卢亮;许堃 -专利权人：苏州晨晖智能设备有限公司
申请日： 2023-05-29 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本申请的实施例提供了一种单晶炉及降低单晶炉中硅蒸汽的方法，涉及单晶炉技术领域。该单晶炉包括炉体、坩埚、保温筒、加热器以及水冷硅管；保温筒设置在炉体内，坩埚设置于保温筒内，坩埚内用于盛放熔融硅液，加热器围设于坩埚外，加热器与保温筒之间设置有间隙，水冷硅管设置于间隙内，水冷硅管内用于通入冷却水，且水冷硅管用于供硅蒸气附着；水冷硅管包括依次设置的多个环形管，多个环形管均绕设于坩埚外，环形管之间通过竖直连接管相连通，其不易造成热场中的石墨件、碳碳件侵蚀损伤，也不易出现硅蒸汽与单晶炉内漂浮的其他杂质发生反应形成化合物的情形，也不易引起石墨件发生打火拉弧现象。
一种单晶炉降低单晶炉中硅蒸汽方法

[发明专利]单晶炉双相复合换热器、单晶炉和换热方法-CN202310678043.4有效
发明人： 李林东;魏子涵;陈伟;陈志军;吴超慧;张鹏;丁云飞;许堃 -专利权人：苏州晨晖智能设备有限公司
申请日： 2023-06-09 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： F28D21/00 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种单晶炉双相复合换热器、单晶炉和换热方法；单晶炉双相复合换热器包括换热壳体和分隔板，换热壳体包括相互连接且间隔分布的内壳和外壳，内壳的内壁和外壳的内壁之间形成换热腔，内壳的外壁围合形成提拉通道；分隔板连接于内壳的内壁和外壳的内壁之间，用于将换热腔分隔为水冷换热腔和相变换热腔，其中，水冷换热腔位于相变换热腔的上方，水冷换热腔用于循环冷却水，相变换热腔用于盛装有机换热介质、并用于容纳有机换热介质挥发形成的气相换热介质。本发明的单晶炉双相复合换热器和换热方法能够稳定、可靠地控制纵向温度梯度，以保证晶体在高拉速下稳定地生长，提高晶体生产效率。
单晶炉双相复合换热器单晶炉方法

[发明专利]坩埚护板-CN201710627178.2有效
发明人：陈养俊;肖贵云;王全志;曾先平;李林东;陈伟;金浩;林瑶 -专利权人：晶科能源股份有限公司;浙江晶科能源有限公司
申请日： 2017-07-28 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： C30B28/08 文献下载
摘要：本发明提供了一种坩埚护板，包括板体和分别设于板体两端的第一固定柱和第二固定柱，板体采用中空结构且板体的侧边底部和内部分别设有气压孔和保温组件，保温组件与第一固定柱之间设有支撑板，保温组件包括多个保温板，每个保温板均包括第一挡板、第二挡板、第三挡板和第四挡板，保温组件中顶端的第一挡板与支撑板连接，第二挡板和第三挡板上均设有多个导气孔，第一固定柱上设有多个输气孔，第一固定柱上设有多个疏导孔，本发明通过将氩气输送至板体内，有效的降低板体的导热性，从而对坩埚起到了保温作用，在坩埚的铸造过程中阻挡了边部的热量传递到籽晶，提高了坩埚的多晶晶体的铸造效率。
坩埚

[发明专利]组合底板及含有该组合底板的多晶硅铸锭炉-CN201710592350.5有效
发明人：黄晶晶;陈伟;肖贵云;李亮;闫灯周;姜志兴;李林东;金浩 -专利权人：晶科能源股份有限公司;浙江晶科能源有限公司
申请日： 2017-07-19 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： C30B28/04 文献下载
摘要：本发明提供一种组合底板，包括基板及隔热保温层，所述基板的顶部开设有一填充槽，所述填充槽的槽口边缘与所述基板的顶部边缘重合，所述填充槽的侧壁呈平滑倾斜状，且所述填充槽的槽口的面积大于所述填充槽的底部表面的面积，所述隔热保温层填充于所述填充槽内，以将所述填充槽填平，所述隔热保温层的导热速率小于所述基板的导热速率。本发明另一方面还提供一种多晶硅铸锭炉，包括炉体及设于所述炉体内的坩埚及若干加热器，还包括上述的组合底板，若干所述加热器分别布置于所述坩埚的侧围及顶部，所述坩埚设于所述组合底板的顶部中心，本发明中的组合底板及多晶硅铸锭炉，能够形成均匀热场，抑制了长晶缺陷的繁殖。
组合底板含有多晶铸锭

[实用新型]一种水上测量设备加固保护装置-CN202320666451.3有效
发明人：刘甲红;李林东;李宁;焦永水;范琳琳;卜青营 -专利权人：广东普蓝地理信息服务有限公司
申请日： 2023-03-30 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： B63B22/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种水上测量设备加固保护装置，属于水上测量技术领域，包括漂浮座，所述漂浮座的上端固定设置有支撑架，所述漂浮座的一侧设置有分流板，所述分流板的内部固定设置有固定杆，所述固定杆的一侧固定设置弹簧，所述弹簧的一侧固定设置有缓冲板，所述缓冲板的前端固定设置有限位板，所述漂浮座的中部固定设置有检测设备，所述漂浮座的底端内壁固定设置有加重圈，所述检测设备的下端固定设置有检测杆，所述检测杆的外壁固定设置有加重座。由此，能够实现稳固的长时间对水进行测量，不会出现水浪冲翻漂流座的情况发生，使用比较方便。
一种水上测量设备加固保护装置

[发明专利]一种单晶晶棒线开方装置-CN202310654777.9有效
发明人：陈志军;陈伟;李林东;毛亮亮;张鹏;吴超慧;卢亮;杨朝红;许堃 -专利权人：苏州晨晖智能设备有限公司
申请日： 2023-06-05 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： B28D5/04 文献下载
摘要：本发明涉及单晶晶棒加工技术领域，尤其是指一种单晶晶棒线开方装置，包括开方箱，所述开方箱的内部为空心设置，所述开方箱的内侧底部固接有四根滑柱，四根滑柱构成一个方形，四根滑柱的内侧之间设置有开方环，所述开方环与滑柱之间设置有滑动组件，所述滑动组件用于带动开方环上下滑动，所述开方箱的底部开设有贯穿至内侧的进料口，所述进料口与开方环同心设置，所述进料口的底部设置有用于接收成品和边角料的接收组件，所述开方环的内圈设置有四根金刚线，所述金刚线的一端与开方环固接，四个固接点呈等角度排列，所述金刚线的另一端设置有移动组件，所述移动组件用于带动金刚线的另一端环形移动。
一种单晶晶棒线开方装置

[发明专利]一种单晶坩埚装载装置-CN202310680124.8有效
发明人： 李林东;陈伟;张鹏;吴超慧;陈志军;卢亮;许堃;邢立勋 -专利权人：苏州晨晖智能设备有限公司
申请日： 2023-06-09 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： C30B15/10 文献下载
摘要：本发明涉及单晶炉技术领域，尤其是指一种单晶坩埚装载装置；包括上滑柱，所述上滑柱的顶部固接有对接盘，所述对接盘的顶部设置有坩埚托盘，所述坩埚托盘呈圆盘形设置，所述坩埚托盘包括三个体积相同的瓣片，所述坩埚托盘的顶面中部固接有环形的锁定环，所述瓣片的外侧设置有驱动组件，所述驱动组件用于带动瓣片在对接盘的顶部滑动，通过驱动组件让三个石墨坩埚分离，此时石墨坩埚和石英坩埚相互分离，两者直接存在缝隙，可以更加便捷的将石英坩埚取出，且相互分离的石墨坩埚也更加方便取出，通过此种设置，不仅方便了石英坩埚的取出过程，同时也方便了石墨坩埚的安放和取出过程。
一种坩埚装载装置

[实用新型]一种可降低能耗和灰分影响的单晶炉用保温结构-CN202320636901.4有效
发明人：陈伟;陈志军;李林东;许堃;李安君;李永刚;罗昌萍 -专利权人：云南宇泽半导体有限公司
申请日： 2023-03-28 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种可降低能耗和灰分影响的单晶炉用保温结构，属于单晶炉技术领域。主要包括保温筒、保温套、保温毡、固定螺栓、螺杆螺母，所述的保温套套装在保温筒外壁上，保温套具有底部封闭的中空夹层，保温毡填充在中空夹层内，保温套通过固定螺栓和螺杆螺母固定安装在保温筒上；解决现有保温筒保温效果差的问题，可以提高保温效果降低单晶炉加热所需的热量，减少单晶炉耗电量，降低开炉成本；还能防止保温毡灰分后掉粉、掉渣或者产生毛边的问题，提高热场的洁净度，提高拉晶过程的稳定性，从而提高产品质量，降低生产成本。
一种降低能耗灰分影响单晶炉用保温结构

[发明专利]一种降氧式单晶炉和降氧式单晶生长方法-CN202310665906.4有效
发明人：陈伟;周嘉菊;李林东;王艳霞;许堃;李安君;吴超慧;李永刚;罗昌萍;陈志军 -专利权人：苏州晨晖智能设备有限公司
申请日： 2023-06-07 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明属于单晶炉单晶硅生长技术领域，具体涉及一种降氧式单晶炉和降氧式单晶生长方法，包括上炉室、下炉室、坩埚和主加热器，上保温筒及其外的上保温筒毡，中保温筒及其外的中保温筒毡、下保温筒及其外的下保温筒毡，所述主加热器具有下开缝发热区和上开缝发热区，所述主加热器还包括若干堵条，所述堵条分别嵌入所述主加热器的下开缝发热区的底部并沿其具有的开缝向上延伸，且与堵条配套新增n层上保温筒毡、n层中保温筒毡，P=S×U²/[ρ（L‑m）]；n=P/1kw。本发明能在保障单晶硅生长热场需求的同时减少坩埚R角部分的高温烘烤，降低单晶硅棒的氧含量，提高晶棒品质及太阳能电池片的光电转换效率。
一种降氧式单晶炉降氧式单晶生长方法

[发明专利]改善单晶硅棒扭曲变形的设备调试方法-CN202310559541.7有效
发明人：陈伟;李林东;周嘉菊;张鹏;陈志军;吴超慧;丁云飞;高岩 -专利权人：苏州晨晖智能设备有限公司
申请日： 2023-05-18 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：本发明的实施例提供了一种改善单晶硅棒扭曲变形的设备调试方法，涉及单晶硅棒生产技术领域。方法包括：检查和调整晶转和埚转；如果晶棒扭转改善不到预期效果，则检查系统中的液口距；在液口距合适的情况下，当V实≤V目‑V浮时，则间歇地降低目标拉速V目；当V实＞V目‑V浮时，如果实际晶升＞设定晶升，则降低实际晶升；在液口距超过合适范围的情况下，则间隙地降低目标液口距。方法能够避免依据经验无法准确判断带来的晶体扭曲变形的原因，避免采取措施过度、与系统自动控制过程相冲突、加剧扭转变形等问题。
改善单晶硅扭曲变形设备调试方法

[发明专利]一种单晶炉用降氧式加热装置-CN202310476767.0有效
发明人：陈志军;李林东;陈伟;吴超慧;张鹏;许堃;李安君;丁云飞;罗昌平;崔永慧 -专利权人：苏州晨晖智能设备有限公司;云南宇泽半导体有限公司
申请日： 2023-04-28 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： C30B15/14 文献下载
摘要：本发明涉及单晶硅的技术领域，特别是涉及一种单晶炉用降氧式加热装置，其结构简单，主加热器由若干个加热片拼接而成，主加热器故障时，能够快速定位到加热片，并且无需拆除大量器件即可完成对加热片的更换，降低了使用成本；包括主加热器；所述主加热器包括若干个加热片，这些加热片呈圆周阵列设置形成主加热器，每个加热片的两端均固定有电极板。
一种单晶炉用降氧式加热装置

[发明专利]半导体单晶硅片切割设备-CN202310476096.8有效
发明人：陈伟;李林东;陈志军;彭云祥;吴超慧;张鹏;许堃;李安君;邢立勋;毛亮亮;丁云飞 -专利权人：苏州晨晖智能设备有限公司
申请日： 2023-04-28 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： B28D5/04 文献下载
摘要：本发明揭示了半导体单晶硅片切割设备，通过调节输送滚筒上相邻两个输送轮之间的距离，从而调整切割线的间距，方便对不同厚度的单晶硅片进行切割处理，有效提高了设备的功能性，实现一台设备能够满足多种规格单晶硅片的切割要求，有效降低了采用多台设备的成本投入，提高设备的适用性，实现对多种切割方式的整合；包括两个相对设置的侧板，两个侧板之间设置有多个输送滚筒，多个输送滚筒呈三角形分布，输送滚筒的两端开口，并且输送滚筒的端部转动安装在侧板上，输送滚筒上并排设置有多个输送轮，输送轮能够在输送滚筒上沿输送滚筒轴线方向滑动。
半导体单晶硅切割设备

[发明专利]一种单晶炉硅棒拉制用降氧装置-CN202310468548.8有效
发明人： 李林东;陈伟;许堃;陈志军;毛亮亮;吴超慧;丁云飞;李安君;罗昌平;周嘉菊 -专利权人：苏州晨晖智能设备有限公司;云南宇泽半导体有限公司
申请日： 2023-04-27 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： C30B15/10 文献下载
摘要：本发明揭示了一种单晶炉硅棒拉制用降氧装置，通过采用在硅棒拉制的过程中改变熔硅坩埚内径的方式，从而使熔硅坩埚的内径由大到小缓慢变化，方便使熔硅深度在较小的情况下使熔硅量始终满足拉制需求，从而在拉制过程中使热对流现象得到有效降低，实现降氧的目的，并且方便使硅棒拉制长度能够满足要求，提高硅棒产能，减少熔硅剩余；包括单晶炉体和安装在单晶炉体内的熔硅坩埚，所述熔硅坩埚由位于底部的底盘和位于底盘上表面的多个第一拼接板和多个第二拼接板组成，多个第一拼接板和多个第二拼接板共同组成圆形，并且多个第一拼接板和多个第二拼接板交错分布。
一种单晶炉硅棒拉制用降氧装置