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专利名称

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申请人
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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]阻抗控制电路和包括阻抗控制电路的半导体器件-CN201210260759.4无效
发明人： 李智王 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2012-07-26 - 公布日： 2013-05-08 - 主分类号： H03H11/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种阻抗控制电路，包括：第一阻抗单元，第一阻抗单元被配置成使用由阻抗控制码确定的阻抗值来终结阻抗节点；第二阻抗单元，第二阻抗单元被配置成使用由阻抗控制电压确定的阻抗值来终结阻抗节点；比较电路，比较电路被配置成比较阻抗节点的电压电平与参考电压的电压电平，产生指示阻抗节点的电压是否大于参考电压的递增/递减信号，以及产生阻抗控制电压，阻抗控制电压具有与阻抗节点的电压和参考电压之间的差相对应的电压电平；以及计数器单元，计数器单元被配置成响应于递增/递减信号而增加或减小阻抗控制码的值。
阻抗控制电路包括半导体器件

[发明专利]用于半导体集成电路的接口装置和其接口方法-CN201010118233.3有效
发明人： 李智王;金龙珠;宋喜雄;吴益秀;金亨洙;黄太镇;崔海郎;张在旻;朴昌根 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2010-02-10 - 公布日： 2011-06-29 - 主分类号： H03K19/0175 文献下载
摘要：一种用于半导体集成电路的接口装置和其接口方法，其响应于由输出块输出的差分信号将该差分信号的VOX控制到目标水平。该用于半导体集成电路的接口装置包括：输出块，配置为输出由内部电路输出的差分信号；检测器，配置为检测差分信号的定时误差；以及控制器，配置为根据检测器的检测结果来控制由内部电路输出的差分信号的定时。
用于半导体集成电路接口装置方法

[发明专利]低功率可变延迟电路-CN200910261159.8无效
发明人：崔海郎;金龙珠;韩成宇;宋喜雄;吴益秀;金亨洙;黄太镇;李智王;张在旻;朴昌根 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2009-12-28 - 公布日： 2010-07-07 - 主分类号： H03K5/135 文献下载
摘要：本发明公开了一种低功率可变延迟电路，至少包括固定延迟单元、第一选择单元和可变延迟单元。固定延迟单元接收输入信号和表示第一延迟的第一延迟选择信号，并输出第一延迟信号，该第一延迟信号基本上是被延迟了第一延迟的输入信号。第一选择单元接收输入信号、第一延迟信号和第二延迟选择信号，并基于第二延迟选择信号来将输入信号或第一延迟信号输出到可变延迟单元。可变延迟单元也接收表示第三延迟的第三延迟选择信号，并输出输出信号，该输出信号基本上是被延迟了第三延迟的选择单元的输出信号。第一延迟为0或M个延迟单位的X倍。第三延迟是选自0到N个延迟单位的延迟。
功率可变延迟电路

[发明专利]延迟锁定环电路及其更新方法与该电路中的更新控制装置-CN200910168167.8有效
发明人：张在旻;金龙珠;韩成宇;宋喜雄;吴益秀;金亨洙;黄泰镇;崔海郎;李智王;朴昌根 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2009-09-01 - 公布日： 2010-06-16 - 主分类号： H03L7/08 文献下载
摘要：公开了一种延迟锁定环(DLL，“delay locked loop”)电路及其更新方法与该电路中的更新控制装置。该延迟锁定环电路包括相位检测单元，其配置成通过比较参考时钟信号的相位与反馈时钟信号的相位来产生相位检测信号。更新控制装置配置成通过判定相位检测信号的第一逻辑值的数目及第二逻辑值的数目之间的差异来产生有效间隔信号及更新控制信号以响应参考时钟信号。当使能有效间隔信号时，移位寄存器配置成更新赋予延迟线的延迟值以响应更新控制信号。
延迟锁定电路及其更新方法中的控制装置

[发明专利]具有垫的半导体存储器件-CN200910160950.X有效
发明人：朴昌根;宋星辉;金龙珠;韩成宇;宋喜雄;吴益秀;金亨洙;黄泰镇;崔海郎;李智王;张在旻 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2009-07-31 - 公布日： 2010-02-24 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体存储器件，其包括具有芯片垫形成区域的半导体电路衬底。在半导体电路衬底上、芯片垫区域的一侧形成一对数据线。该对数据线沿着半导体电路衬底的芯片垫区域延伸的方向延伸。该对数据线被布置成彼此相邻并且接收一对差分数据信号。在半导体电路衬底上、芯片垫区域的另一侧形成电力供应线。电力供应线沿着半导体电路衬底的芯片垫区域延伸的方向延伸，并且电力供应线接收电力。
具有半导体存储器件

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