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[发明专利]形成平坦化层的方法以及使用其的图案形成方法-CN202011295582.2在审
发明人：李知石;李晟求;沈载熙 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2020-11-18 - 公布日： 2021-11-30 - 主分类号： H01L21/308 文献下载
摘要：一种形成平坦化层的方法，包括：设置包括沟槽的衬底；在沟槽的表面之上涂覆预减薄物；在沟槽中形成间隙填充材料；在间隙填充材料之上涂覆后减薄物；以及执行旋压工艺以旋转衬底。
形成平坦方法以及使用图案

[发明专利]抗反射性聚合物、抗反射性组成物及形成图案的方法-CN200810126685.9无效
发明人：郑载昌;李晟求 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2008-06-20 - 公布日： 2009-02-11 - 主分类号： C08F228/04 文献下载
摘要：本发明公开一种抗反射性聚合物、抗反射性组成物及形成图案的方法，所述聚合物用于通过交联获得具有高折射率的抗反射膜。含有所述聚合物的所述抗反射性组成物特别适用于镶嵌工序及半导体器件制造过程中的使用ArF(193nm)的浸没式光刻工序。
反射聚合物组成形成图案方法

[发明专利]光阻剂组成物及形成半导体器件的图案的方法-CN200710136304.0无效
发明人：郑载昌;李晟求 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2007-07-13 - 公布日： 2008-07-09 - 主分类号： G03F7/028 文献下载
摘要：本发明公开一种光阻剂组成物、以及在半导体器件中形成精细图案的方法。所述光阻剂组成物包含：基础树脂、丙烯酸或甲基丙烯酸与3，3－二甲氧基丙烯的共聚物、光致酸产生剂、有机碱、以及有机溶剂，并且用于通过双重图案化在半导体器件中形成精细图案。本发明的方法可以显著地减少蚀刻和硬掩模沉积工序中的步骤数量，从而可以减少工时和制造成本，如此有助于提高半导体器件的产率。
光阻剂组成形成半导体器件图案方法

[发明专利]使用浸没式光刻工艺制造半导体器件的方法-CN200710000151.7无效
发明人： 李晟求;郑载昌 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2007-01-05 - 公布日： 2007-11-14 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明公开一种使用浸没式光刻工艺制造半导体器件的方法。所述半导体器件通过如下步骤制造：利用用于除胺的化学过滤器过滤空气；以及在(i)用水清洗所述光阻膜之后且在曝光工序之前，或(ii)用水清洗所述光阻膜之后且在后烘工序之前，将所述已过滤空气施加于在半导体基板上形成的光阻膜上。这些步骤可以高效地防止水斑缺陷。
使用浸没光刻工艺制造半导体器件方法

[发明专利]制造半导体装置的方法-CN200610151548.1无效
发明人： 李晟求;郑载昌 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2006-09-11 - 公布日： 2007-07-04 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种制造半导体装置的方法，其包括在形成包含Si的光致抗蚀剂膜之后进行O₂等离子体处理步骤。
制造半导体装置方法

[发明专利]制造半导体装置的方法-CN200610151550.9无效
发明人： 李晟求;郑载昌 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2006-09-11 - 公布日： 2007-07-04 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种制造半导体装置的方法，其包括在形成包含Si的抗反射膜之后进行O₂等离子体处理步骤。
制造半导体装置方法

[发明专利]用于移除浸润式微影溶液的组合物及制造半导体器件的方法-CN200610105645.7无效
发明人：郑载昌;李晟求 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2006-07-17 - 公布日： 2007-05-09 - 主分类号： G03F7/42 文献下载
摘要：本发明披露一种用于移除浸润式微影溶液的组合物。该组合物包括有机溶剂与酸性化合物。另外还揭示了一种用来制造半导体器件的方法，其包括浸润式微影法。当利用浸润式微影法来形成光阻剂图案时，利用浸润式微影法曝光器，在形成于底层上的阻剂薄膜上方进行曝光过程。然后，将该组合物滴在晶片上，以移除在该光阻剂薄膜上的残余浸润式微影溶液，由此改良水痕缺陷现象。
用于浸润式微溶液组合制造半导体器件方法

[发明专利]使用浸没光刻工艺制造半导体器件的方法-CN200610121212.0无效
发明人：郑载昌;李晟求;潘槿道;卜喆圭;文承灿 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2006-08-17 - 公布日： 2007-02-21 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种使用浸没光刻工艺制造半导体器件的方法。该方法包括在曝光步骤之后及显影步骤之前，快速地加速晶片的旋转，以去除浸没光刻溶液，由此有效地减少水印缺陷。
使用浸没光刻工艺制造半导体器件方法

[发明专利]用于浸没式光刻的液体组合物及光刻法-CN200410081983.2无效
发明人：孔根圭;金炯崙;金炯秀;郑载昌;李晟求 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2004-12-29 - 公布日： 2005-11-23 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明披露用于浸没式光刻的液体组合物，及使用该组合物的光刻法。该液体组合物包括至少一种非离子表面活性剂，其选自聚乙烯醇、季戊四醇类化合物、包含环氧烷的聚合物以及化学式I代表的化合物，其中R为直链或支链的取代的C₁－C₄₀烷基，且n为10到10,000的整数。该液体组合物的表面张力由于非离子表面活性剂的存在而下降，因此可解决该液体组合物在具有精细布局的晶片上无法被完全填满和被部分浓缩的问题，并且可移除光刻胶膜和该液体组合物之间的微形气泡。(见式Ⅰ)
用于浸没光刻液体组合

[发明专利]用于光阻剂的清洁溶液及使用该溶液形成图案的方法-CN200310120314.7有效
发明人：李根守;卜喆圭;黄永善;李晟求;文承灿;申起秀 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2003-12-05 - 公布日： 2004-09-22 - 主分类号： C11D1/34 文献下载
摘要：本发明揭示一种用于光阻剂的清洁溶液，其可在形成光阻剂图案的显影最终步骤中用于清洁半导体基材。还揭示一种使用该溶液形成光阻剂图案的方法。本发明所揭示的清洁溶液包括作为溶液的H₂O、作为表面活性剂的式1所示的磷酸盐－醇胺盐、及醇化合物。本发明所揭示的清洁溶液比用作常规清洁溶液的蒸馏水具有更低的表面张力，因而可改善对光阻剂图案坍塌的抗性并可稳定光阻剂图案的形成。式1中R、x、y、z、a及b如说明书中定义。
用于光阻剂清洁溶液使用形成图案方法

[发明专利]半导体器件的图案形成方法及半导体器件-CN03102902.7无效
发明人：黄永善;郑载昌;李晟求;卜喆圭;申起秀 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2003-01-21 - 公布日： 2004-01-28 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：一种半导体器件的图案形成方法，由在形成半导体器件的光刻胶图案的过程中在防反射膜上形成细微弯曲，来增大光刻胶与防反射膜间的接触面积，并能防止光刻胶图案崩溃现象，同时，重复积层有不同折射率和吸光度的两层防反射膜，能防止因防反射膜的弯曲而降低图案关键尺寸的均匀度。一种半导体器件的图案形成方法包括：在被蚀刻层的上部涂布第一层有机防反射膜组成物，对其进行烘烤形成第一层有机防反射膜；在第一层防反射膜上部，涂布有与第一层防反射膜不同折射率和吸光度的第二层防反射膜组成物，对其进行烘烤形成第二层防反射膜；对形成的防反射膜进行蚀刻，而在防反射膜上形成细微弯曲；在有机防反射膜上涂布光刻胶，曝光显影后形成光刻胶图案。
半导体器件图案形成方法

[发明专利]发射黄光的化合物及其有机场致发光器件-CN03102991.4无效
发明人： 李晟求 -专利权人： LG电子株式会社
申请日： 2003-01-24 - 公布日： 2003-08-13 - 主分类号： C09K11/06 文献下载
摘要：一种有机EL器件包括式1化合物的有机EL层或式1化合物的掺杂剂，其中X代表O，S，或N－R，其中R代表氢，脂肪烃，或杂环化合物，和Y代表烷基，环状化合物或含有至少一个吸电子基团的杂环化合物。
发射化合物及其机场发光器件

[发明专利]有机场致发光器件-CN02148125.3有效
发明人：吴炯润;李晟求;朴春键;徐正大;金明燮 -专利权人： LG电子株式会社
申请日： 2002-10-30 - 公布日： 2003-05-07 - 主分类号： H05B33/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种有机场致发光器件，其包括第一电极、第二电极以及具有一种发红光材料的客体材料和至少两种主体材料的发光层，该发光层在第一电极和第二电极之间形成。所述主体材料之一是包括以下结构式的复合物见式，另外，所述主体材料之一可以是取代或未取代的喹啉衍生物。
机场发光器件

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