专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]一种新型工业快速码垛机器人-CN201922453280.2有效
  • 李智丽;李建利;秦工;严文超;陈江华 - 湖北三峡职业技术学院
  • 2019-12-30 - 2020-09-01 - B65G61/00
  • 本实用新型属于工业器械技术领域,公开了一种新型工业快速码垛机器人,支撑腿上端通过螺栓与横梁连接,横梁上端通过螺栓固定有滑轨;滑轨上滑接有第一电动滑块,第一电动滑块通过螺栓固定有横杆;横杆上设置有滑轨,滑轨滑接有第二电动滑块;第二电动滑块设置有套筒,套筒套接有上下升降杆。上下升降杆下端设置有箱体固定座,箱体固定座底侧通过螺栓固定有滑杆,滑杆上套接有第三电动滑块;第三电动滑块下端通过螺栓固定有箱体夹板,箱体夹板上设置有橡胶凸点。本实用新型通过设置有橡胶凸点,避免对箱体表面产生压痕,影响箱体内部产品的质量;同时通过设置有吸尘箱,对工作环境周围的灰尘进行吸附,提高工作环境的质量。
  • 一种新型工业快速码垛机器人
  • [实用新型]一种新型半导体芯片-CN201922377627.X有效
  • 汪良恩;李建利;汪曦凌 - 安徽芯旭半导体有限公司
  • 2019-12-26 - 2020-07-10 - H01L29/06
  • 本实用新型公开一种新型半导体芯片,包括正多边形的基盘,所述基盘的中心处蚀刻出圆形芯片,所述圆形芯片的边沿与基盘之间蚀刻出一圈环形沟道,所述环形沟道内钝化有玻璃。本实用新型采用设计成圆形芯片的版图,再通过扩散、光刻、蚀刻、钝化、保护等工艺技术,制成具有圆形芯片的高可靠性,同时可以利用刀片切割的低加工成本等优点半导体芯片,而且钝化玻璃位于沟道内,半导体芯片表面平整,稳定性和安全性高。
  • 一种新型半导体芯片
  • [发明专利]一种粘稠危险废弃物处置方法-CN202010233512.8在审
  • 杨永生;李世平;孟祥君;李建利;高维柱;何利敏;吕朝阳 - 陵川金隅冀东环保科技有限公司
  • 2020-03-30 - 2020-06-26 - B09B3/00
  • 本发明属于危险废弃物处理技术领域,尤其是涉及一种粘稠危险废弃物处置方法,通过运输车将需要处理的粘稠危险废弃物放置于储料仓的储废池中,完成粘稠危险废弃物的运输准备工作;通过推料装置将储料仓中的粘稠危险废弃物输送到粘稠危险废弃物处置单元进行预处理;预处理完成的危险废弃物连接到分类处理装置对危险废弃物进行具体的分离工作。本发明可通过对粘稠危险废弃物进行分类处置,使得设备可以针对对粘稠危险废弃物分离后的不同形态进行处置工作,有效提高设备处置废弃物的能力,取得更好的环保和经济效益,提高无害化、资源化的节能减排效果。
  • 一种危险废弃物处置方法
  • [实用新型]一种支架连接系统-CN201921900336.8有效
  • 李建利;余海洋 - 上海宝冶集团有限公司
  • 2019-11-06 - 2020-06-19 - F16L3/133
  • 本实用新型公开了一种支架连接系统包括支撑件、支架、第一连接组件和第二连接组件。支撑件被配置为支撑钢梁,支撑件为至少两个。支架被配置为支撑管道。第一连接组件的两端分别与一个支撑件和支架可拆卸连接,第一连接组件与一个支撑件的连接处及第一连接组件和支架的连接处能够调整以适应两个支撑件之间的不同间距。第二连接组件,第二连接组件的两端分别与另一个支撑件及支架可拆卸连接。第一连接组件和第二连接组件与支架和支撑件之间均为可拆卸连接,且第一连接组件与一个支撑件的连接处及第一连接组件和支架的连接处的位置均能适应两个支撑件之间的不同间距,实现了支架与钢梁之间在不同钢梁间距的场合下稳定牢固的可拆卸连接。
  • 一种支架连接系统
  • [发明专利]一种TVS芯片新型扩散工艺-CN201911364166.0在审
  • 汪良恩;李建利;汪曦凌 - 安徽芯旭半导体有限公司
  • 2019-12-26 - 2020-05-08 - H01L21/228
  • 本发明公开了一种TVS芯片新型扩散工艺,属于芯片扩散技术领域。包括以下步骤:硅片清洗后进行氧化,使其表面增加氧化膜;采用光刻的方式将需要扩散的区域氧化膜去除;在去掉氧化膜区域附上扩散源,扩散形成第一个PN结;去除扩散后硅片前期未扩散区域表面的氧化膜;在前期未扩散区域表面附上扩散源,进行二次扩散形成第二个PN结;本发明通过二次扩散,形成内外两个PN结,其外层PN结形成了保护结构,内层的PN结实现电路瞬态抑制,提高了芯片的可靠性。
  • 一种tvs芯片新型扩散工艺

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