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[发明专利]通过有效切断干扰来提高晶圆测温精度的方法-CN202310892216.2在审
发明人： 李宰卿;崔令铉;金振元;杨志勇;王恒 -专利权人：扬州韩思半导体科技有限公司
申请日： 2023-07-20 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G01J5/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种通过有效切断干扰来提高晶圆测温精度的方法，包括晶圆或碳化硅环，在所述晶圆或碳化硅环侧边设置有缺口，在所述缺口上设置有一根石英管以及5µm厚度的晶圆感应高温计，所述的晶圆感应高温计安装在直接朝向晶圆或碳化硅环的面上，利用晶圆感应高温计直接读取发射率接近黑体的碳化硅环，以此解决在测量晶圆背面时不会因变色而导致温度测量误差来测量准确的温度，在所述石英管内填充有用于净化空气的氮气，在所述石英管侧边设置有与石英管连通的氮气冲入管道，在所述晶圆或碳化硅环的外侧间隔设置有一个以上的灯，所有灯与缺口同侧设置，且在所有灯的下方设置有一块反光面，在所述石英管下方设置有透镜。本发明提高温度检测精度。
通过有效切断干扰提高测温精度方法

[发明专利]一种晶圆片加工用抛光装置-CN202310559824.1在审
发明人：杨志勇;王恒;单庆喜;李宰卿;成鲁荣 -专利权人：扬州韩思半导体科技有限公司
申请日： 2023-05-18 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： B24B7/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶圆片加工用抛光装置，涉及抛光领域，包括底板，所述底板上端固定设有框体，所述框体上滑动设有对称设置的两个滑动板，所述框体上设有用于两个所述滑动板相向或相离滑动的滑动组件，两个所述滑动板上均通过轴承贯穿设有转动管一，两个所述转动管一在相向的一端均设有转动的中心转盘。本发明与现有技术相比的优点在于：在对晶圆进行夹持时，即使晶圆表面出现颗粒性凸起，通过中心转盘或边缘转环上的挤压固定组件，都能自适应的贴合晶圆的表面，能够使弹性挤压袋一形变凹陷放置颗粒性凸起，进而对晶圆进行稳固的支撑固定，且有效避免对颗粒性凸起挤压损坏晶圆的情况。
一种晶圆片加工用抛光装置

[发明专利]一种半导体晶圆激光切割装置及方法-CN202211410609.7有效
发明人：杨志勇;王恒;单庆喜;李宰卿;成鲁荣 -专利权人：扬州韩思半导体科技有限公司
申请日： 2022-11-11 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明适用于半导体处理技术领域，提供了一种半导体晶圆激光切割装置及方法，在本申请中具体的通过设置第一螺杆带动滑座沿着收容槽移动，使得滑台沿着导轨在壳体内进出实现对晶圆进行上下料，进入到壳体内部时被位于壳体内部的激光头进行激光切割加工，其中在第一螺杆带动滑座进入到壳体内时，滑座内部的齿环在收容槽内侧壁设置的一段齿条的作用下进行转动，进而带动第二螺杆进行转动，带动活塞板在负压孔中进行下降，实现对负压孔上方空间产生负压。采用负压吸附对晶圆进行加工时的固定，可以有以下好处一方面可以对不规则的凹状或者凸状的晶圆进行吸附固定，另一方面由于与晶圆解除的部分为柔性材料，避免原有夹持对晶圆造成损伤。
一种半导体激光切割装置方法

[发明专利]一种退火炉用温度测量控制模块-CN202211629136.X有效
发明人：杨志勇;王恒;单庆喜;李宰卿;成鲁荣 -专利权人：扬州韩思半导体科技有限公司
申请日： 2022-12-19 - 公布日： 2023-03-10 - 主分类号： G05D23/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种退火炉用温度测量控制模块，包括蒸汽动力式液体循环驱动机构、电辅助抽水组件、肋骨式冷却排组件、散热控流组件和储液箱体组件。本发明属于温度控制技术领域，具体是指一种退火炉用温度测量控制模块；本发明以吸收了炉内热量的蒸汽作为驱动液体循环的驱动力，能够有效地降低电力消耗，实现节能的技术目标啊，通过过压排气阀排出多余的驱动源，通过内置流速表对液体流速进行实时反馈，组成了温度和流速的闭环反馈模式，在不需要加热模块工作，甚至不需要消耗能源的情况下，便实现了对退火炉降温速度的精准控制，实现了节能减排的技术目标。
一种退火炉温度测量控制模块

[发明专利]一种用于半导体晶圆生产的研磨装置-CN202211503066.3在审
发明人：杨志勇;王恒;单庆喜;李宰卿;成鲁荣 -专利权人：扬州韩思半导体科技有限公司
申请日： 2022-11-29 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： B24B7/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于半导体晶圆生产的研磨装置，本发明涉及研磨领域，包括升降组件、可旋转放置组件、自适应吸引固定组件、可调节定量挤压吸气组件、驱动研磨组件，所述可旋转放置组件、自适应吸引固定组件、可调节定量挤压吸气组件设置在升降组件上，所述驱动研磨组件设置在可旋转放置组件的上方。本发明与现有技术相比的优点在于：通过自适应吸引固定组件的作用，在将圆晶放置转动放置板上之后，便能够根据圆晶的大小自动的压下不同数量的挤压管，随着顶板的下降便于自适应的将压下的挤压管内产生吸力对圆晶产生吸引的进行固定，进而便于根据圆晶的大小进行自适应的吸引固定。
一种用于半导体生产研磨装置

[发明专利]一种槽阀装置-CN202211239888.5在审
发明人： 李宰卿 -专利权人：扬州韩思半导体科技有限公司
申请日： 2022-10-11 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： F16K3/18 文献下载
摘要：本发明涉及芯片制造中使用的一种槽阀装置，包括由顶板、底板、两侧的侧板和两端的端板围合而成的腔体，腔体两侧设有贯穿腔体的通道一和通道二，腔体内设有可升降的支撑架，支撑架朝向通道二一侧设有阀板，阀板表面设有密封圈，阀板和支撑架之间设有驱动阀板密封通道二的密封气缸，腔体底部设有驱动支撑架升降的升降气缸，顶板安装在腔体顶部，阀板朝向密封气缸一侧设有槽口，密封气缸的活塞杆伸出端设有气缸接头，气缸接头插入槽口内，连接螺钉穿过阀板与气缸接头螺纹连接；支撑架远离阀板一侧的上角部设有斜切面，对应的侧板上设有与斜切面匹配的导向块。该装置应用于晶圆加工中，其密封圈更换方便，同时，其密封良好，使用可靠。
一种装置

[发明专利]一种具有微孔膜蒸发源的真空沉积装置-CN202210796240.1在审
发明人： 李宰卿 -专利权人：扬州韩思半导体科技有限公司
申请日： 2022-07-06 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： C23C14/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有微孔膜蒸发源的真空沉积装置，包括蒸发源、供应单元、源存储单元和外壳，本发明涉及真空沉积技术领域。该具有微孔膜蒸发源的真空沉积装置，通过汽化的汽化源喷射的末端会形成热唇，从而有效防止由于汽化源的冷凝而引起的堵塞，同时能防止由于汽化源凝固而形成的粉末状落到基板上，具有均匀真空沉积到基板的效果，通过调节微孔膜中形成的气孔大小来控制汽化源的扩散速度，并且微孔膜形成的气孔只能通过均匀粒子的汽化源，因此能更有效的均匀真空沉积到基板上，多个直径不同的多数的非导电容器以多段通过结构结合到导电坩埚上，从而延长了汽化源的扩散路径，因此具有均匀真空沉积到基板的效果。
一种具有微孔蒸发真空沉积装置

[发明专利]一种晶片混合清洗装置及其方法-CN202210750280.2在审
发明人：成鲁荣;李宰卿;崔令铉;金振元 -专利权人：扬州韩思半导体科技有限公司
申请日： 2022-06-28 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶片混合清洗装置，包括箱体，所述箱体的两侧均通过安装箱固定连接有第一电机，并且第一电机的输出端固定连接有第一锥齿轮，所述箱体内壁的两侧均通过支架转动连接有螺纹杆，并且螺纹杆表面的顶部固定连接有与第一锥齿轮相啮合的第二锥齿轮，本发明涉及晶片技术领域。该晶片混合清洗装置及其方法，使用等离子体干法蚀刻工艺是在不损坏晶片加工区域的芯片的情况下仅去除晶片边缘所需去除的精准尺寸，因此在满足快速去除的生产率等方面等离子干法蚀刻方式表现出更好的工艺效果，而且在等离子蚀刻处理之后直接可以进行清洗处理，减少了操作流程，也可以避免晶片在转移的过程中受到二次污染。
一种晶片混合清洗装置及其方法

[发明专利]一种半导体硅晶片制造用真实温度检测方法-CN202210549082.X在审
发明人： 李宰卿;成鲁荣;崔令铉;金振元;杨志勇 -专利权人：扬州韩思半导体科技有限公司
申请日： 2022-05-20 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体硅晶片制造用真实温度检测方法，具体包括以下步骤；S1、与辐射率阅读器的相同位置上安装高温计并进行校准(补偿)代替现有技术，即在硅晶片内的相同位置上，主要是在硅晶片中心部位同时测量发射率和高温计，这时依测量的实际工艺硅晶片的发射率补偿过的高温计的实际测量值来控制PID，本发明涉及半导体温度检测技术领域。该半导体硅晶片制造用真实温度检测方法，可以克服现有技术中稳定区间的测量温度准确性问题(发射率固定时)，即温度误差控制，现有技术主要是以裸晶片为基准进行温度控制，但本发明是对沉积各种薄膜的硅晶片的温度来进行温度控制，根据发射计数值补偿发射率，通过修改的校准数据校准准确执行。
一种半导体晶片制造真实温度检测方法

[发明专利]一种采用电磁波加热的真空成膜装置-CN202210920295.9在审
发明人： 李宰卿 -专利权人：扬州韩思半导体科技有限公司
申请日： 2022-08-02 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： C23C14/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种采用电磁波加热的真空成膜装置，包括装置本体和反应室，所述装置本体包括外壳，所述外壳的内部设置有坩埚，所述外壳的内部且位于坩埚的外部设置有电磁波加热线圈，所述坩埚的内部设置有源接收单元，并且源接收单元的两侧均固定连接有密封件，所述外壳的一侧设置有冷却构件，并且坩埚的两侧均固定连接有支架，所述源接收单元内部的一侧设置有气体注入单元，并且源接收单元内部的另一侧设置有温度测量单元，本发明涉及真空成膜装置技术领域。该采用电磁波加热的真空成膜装置，使用气相转移沉积法，通过非接触式电磁波加热方法使源得到升华，并在坩埚外部形成的外壳中形成冷却装置，以防止基板的热损坏。
一种采用电磁波加热真空装置

[发明专利]用于淀积工艺的蒸发源和绝缘固定板,以及电热丝缠绕板和用于固定电热丝的方法-CN03810209.9无效
发明人： 李宰卿;金信哲;明鲁勋 -专利权人：伊诺维克斯股份有限公司
申请日： 2003-03-18 - 公布日： 2006-06-28 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于形成有机半导体器件用薄膜的线状蒸发源，这种线状蒸发源包括一个坩埚，该坩埚具有一个形成于其中的容放空间，用于容纳蒸发物质，和一个沿着长度方向形成于坩埚一个侧面处的开口部，其中，所述开口部随着从其两个端部朝向中部行进而变窄。倘若利用这种线状蒸发源形成薄膜，可以改善用于形成薄膜的真空淀积源的低的材料利用率，可以确保在整个区域上淀积的薄膜的厚度均匀性，并且改善了由掩膜造成的阴影效应。
用于工艺蒸发绝缘固定以及电热丝缠绕方法

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