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[发明专利]一种用于加热板的测温传感器安装结构-CN202310769879.5在审
发明人： 李守川;毛绪光;孙元斌 -专利权人：沈阳芯源微电子设备股份有限公司
申请日： 2023-06-28 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明属于半导体烘烤设备技术领域，具体地说是一种用于加热板的测温传感器安装结构，包括压紧臂及安装柱，安装柱固定于加热板底面上，压紧臂的一端与安装柱连接、另一端将测温传感器压紧在加热板底面上。本发明通过与加热板连接的安装柱及与安装柱连接的压紧臂的配合设置，可由压紧臂直接将测温传感器稳定压紧于加热板底面上，采用机械结构对传统的铠装型铂电阻传感器的固定稳定性高，也适用于测量较薄物体的工况，能够提高铂电阻传感器测温的稳定性，保证其不会随着使用时间的增加而精度下降甚至失效，且可实现铂电阻传感器的快速安装，更换传感器时也更为容易。
一种用于加热测温传感器安装结构

[发明专利]一种超小型焊接式滤波器的制造方法-CN202210372633.X有效
发明人：姚强;高秀华;杨召;李守川;罗捷宇;杨阳;何精华;翟宇;杨洪霞 -专利权人：成都宏明电子股份有限公司
申请日： 2022-04-11 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H01P11/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种超小型焊接式滤波器的制造方法，超小型焊接式滤波器包括外壳组件和电容器芯片，外壳组件包括相互高温烧结成一体的金属外壳、金属引线和绝缘玻璃，电容器芯片包括圆环形的陶瓷基体，陶瓷基体的外圆周壁和内圆周壁上分别设有外电极和内电极，超小型焊接式滤波器的制造方法包括以下步骤：对外壳组件表面整体和局部镀金；通过电镀方式制作电容器芯片电极；焊接电容器芯片与外壳组件。本发明通过先整体再局部电镀形成不同厚度的金层，滤波器可经受最高240℃的二次焊接，并避免了发生金脆的风险；电容器芯片的电极采用电镀金属工艺，金属层附着力好，电容器芯片的工艺参数稳定受控，滤波器的电性能参数更加稳定，生产效率高。
一种超小型焊接滤波器制造方法

[发明专利]氧化锌压敏电阻器的高一致性批量烧结方法及烧结模具-CN202310251568.X在审
发明人： 李守川;罗捷宇;高秀华;姚强;翟宇 -专利权人：成都宏明电子股份有限公司
申请日： 2023-03-16 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： H01C17/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种氧化锌压敏电阻器的高一致性批量烧结方法及烧结摸具，属于氧化锌压敏电阻器的生产技术领域，所述高一致性批量烧结方法包括以下步骤：准备粉体原料，其中的氧化锌粉体包括粗粉体和细粉体；将粉体原料加工成氧化锌压敏电阻器生坯；将多个氧化锌压敏电阻器生坯置于烧结模具内，烧结模具内的底部放置三氧化二铋粉体，封闭烧结模具并将其置于烧结炉内，开始烧结；烧结完成并冷却后取出氧化锌压敏电阻器固化品；所述烧结模具包括底座和盖板，底座内腔内的中部安装有多层承烧架。本发明通过对氧化锌压敏电阻器的烧结方法及烧结模具进行改进，实现了烧结质量可控性好、同批次产品一致性高的高质量烧结效果。
氧化锌压敏电阻一致性批量烧结方法模具

[发明专利]一种丝素蛋白基自愈合或/和导电水凝胶的制备-CN201910372956.7有效
发明人：吕珊珊;韩月瑛;刘力超;李守川;杨天笑 -专利权人：北京化工大学
申请日： 2019-05-06 - 公布日： 2020-10-27 - 主分类号： C08H1/00 文献下载
摘要：一种丝素蛋白基自愈合或/和导电水凝胶的制备，属于生物材料和生物医学领域。以天然来源的丝素蛋白经化学修饰β‑环糊精分子后进行超分子组装制备水凝胶的方法及其在可塑性、自愈合性、药物控释等领域应用，在此基础上，将该种修饰环糊精的丝素蛋白经化学交联得到的水凝胶再修饰上聚吡咯。在保证原水凝胶一定的自愈合性、柔性、生物相容性的同时，增加了良好的导电性。这种黑色的复合材料是将疏水性导电聚合物均匀地并入亲水性水凝胶中形成渗透导电网络。该策略的成功是开发可自愈合导电聚合物水凝胶的一个突破。
一种丝素蛋白愈合导电凝胶制备

[发明专利]硫化亚铜纳米环状结构半导体材料及其制备方法-CN201310752281.1有效
发明人：赵彬;郁可;李守川;朱自强 -专利权人：华东师范大学
申请日： 2013-12-31 - 公布日： 2014-04-23 - 主分类号： C01G3/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种硫化亚铜微米环状结构半导体材料，其中包括片状物构成的层级结构和颗粒构成的多孔环状结构。本发明还公开了所述硫化亚铜微米环状结构半导体材料的制备方法，将无水乙醇和去离子水混合制备混合溶液，分别制备硫脲溶液和CuCl溶液，然后均匀混合；加入反应釜中，密封，在150℃下反应5小时；反应完成后，将反应物置于硅片上，在55℃下烘烤，得到所述硫化亚铜微米环状结构半导体材料。本发明具有低成本，生长温度较低，重复性较高的优点，在光催化工业污染废水方面和场发射发光方面有极大的潜力。
硫化纳米环状结构半导体材料及其制备方法

[发明专利]一种四角树叶状Cu₂O-ZnO复合纳米结构半导体材料及其制备方法-CN201310141259.3无效
发明人：汪阳;郁可;李守川;尹海宏;宋长青;朱自强 -专利权人：华东师范大学
申请日： 2013-04-22 - 公布日： 2013-09-04 - 主分类号： C01G3/02 文献下载
摘要：本发明公开一种四角树叶状Cu2O-ZnO复合纳米结构半导体材料，包括硅片衬底及生长在所述硅片上的四角树叶状Cu2O-ZnO复合纳米结构；其中，所述Cu2O-ZnO复合纳米结构由Cu2O微米颗粒和ZnO纳米颗粒组成，所述Cu2O微米颗粒具有四角树叶状结构，所述ZnO纳米颗粒覆盖在所述Cu2O微米颗粒表面。本发明还公开了四角树叶状Cu2O-ZnO复合纳米结构半导体材料的制备方法。本发明制备方法操作简单，所得到的Cu2O-ZnO异质纳米结构的光能利用率显著提高。
一种四角树叶 cu sub zno 复合纳米结构半导体材料及其制备方法

[发明专利]三维Cu₂S@ZnO纳米异质结构的半导体材料及其制备方法-CN201310118899.2无效
发明人： 李守川;郁可;汪阳;宋长青;尹海宏;朱自强 -专利权人：华东师范大学
申请日： 2013-04-08 - 公布日： 2013-07-17 - 主分类号： C01G3/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种三维Cu2S@ZnO纳米异质结构半导体材料，包括ZnO纳米颗粒晶体及Cu2S纳米花结构基底材料，ZnO纳米颗粒晶体均匀覆盖在Cu2S纳米花结构基底材料上；Cu2S纳米花结构基底材料由Cu2S纳米薄片构成；ZnO纳米颗粒晶体与Cu2S纳米花结构基底材料的界面处具有P-N结。本发明还公开三维Cu2S@ZnO纳米异质结构半导体材料的制备方法，利用水热合成法分别合成Cu2S纳米花晶体和ZnO纳米颗粒晶体，以PEI作为协助材料使ZnO纳米颗粒均匀地复合在Cu2S纳米薄片上，得到三维Cu2S@ZnO纳米异质结构半导体材料。本发明具有成本低，生长温度低，重复性高等优点，在场发射、光催化领域有着极大的发展应用潜力。
三维 cu sub zno 纳米结构半导体材料及其制备方法

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