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[发明专利]半导体存储器件及其制造方法-CN201811040526.7有效
发明人：金成吉;李相受;金智美;金泓奭;卢镇台;崔至薰;安宰永;李商勋 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-09-06 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H10B41/27 文献下载
摘要：一种半导体存储器件，具有：多个栅极，竖直地堆叠在衬底的顶表面上；竖直沟道，填充竖直延伸穿过多个栅极的竖直孔；以及存储层，在竖直孔中并围绕竖直沟道。竖直沟道包括填充衬底顶部中的凹陷部的部分的支架形下部和沿竖直孔竖直延伸并连接到下沟道的上部。竖直沟道的下部和上部之间的界面的至少一端被设置在不高于衬底的顶表面的高度处。
半导体存储器件及其制造方法

[发明专利]具有栅电极的半导体装置和包括其的电子系统-CN202110641204.3在审
发明人： 李商勋 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-06-09 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： H01L27/1157 文献下载
摘要：提供了一种具有栅电极的半导体装置和包括其的电子系统。所述半导体装置包括：基底，具有第一区域和第二区域，以及在第一区域和第二区域中由隔离层限定的有源区域；p型栅电极，掺杂有p型杂质并且包括p型下栅极层和位于p型下栅极层上的p型上栅极层，并且第一栅极介电层在第一区域中介于有源区域与p型栅电极之间；以及n型栅电极，掺杂有n型杂质并且包括n型下栅极层和位于n型下栅极层上的n型上栅极层，并且第二栅极介电层在第二区域中介于有源区域与n型栅电极之间。
具有电极半导体装置包括电子系统

[发明专利]半导体装置-CN202011190809.7在审
发明人： 李商勋 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-10-30 - 公布日： 2021-05-04 - 主分类号： H01L27/11582 文献下载
摘要：公开了一种半导体装置，所述半导体装置包括下结构、上图案、堆叠结构、穿过堆叠结构的分隔结构、包括沟道层的竖直结构，其中，堆叠结构包括多个层间绝缘层和多个栅极层，下结构包括第一下图案和材料与第一下图案的材料不同的第二下图案，第一下图案包括位于第二下图案与沟道层之间的第一部分、从第一部分延伸到第二下图案与上图案之间的区域的第二部分以及从第一部分延伸到第二下图案与基底结构之间的区域的第三部分，并且第一下图案不朝向上图案的侧表面延伸。
半导体装置

[发明专利]燃料电池混合动力系统-CN201280065268.2有效
发明人：金珉基;曹仁净;李商勋 -专利权人： POSCO能源公司
申请日： 2012-12-21 - 公布日： 2014-11-26 - 主分类号： H01M8/04 文献下载
摘要：本发明涉及燃料电池混合动力系统。该燃料电池混合动力系统包括：包括压缩单元和膨胀单元的热机，所述压缩单元对包含空气在内的氧化剂补给气体进行压缩，所述膨胀单元使氧化剂补给气体膨胀以产生机械能；包括阳极、阴极和催化燃烧室的燃料电池，所述阳极接收燃料气体，所述阴极接收氧化剂补给气体，所述催化燃烧室对从所述阳极排出的阳极废气中的未反应燃料气体进行燃烧以加热氧化剂补给气体；第一热交换机，其在从所述压缩单元释放的氧化剂补给气体与从所述阴极排出的阴极废气之间进行热交换；以及第二热交换机，其在从所述第一热交换机释放的氧化剂补给气体与从所述催化燃烧室释放的氧化剂补给气体之间进行热交换。在此，将从所述第二热交换机释放的氧化剂补给气体经由所述膨胀单元提供至所述催化燃烧室中，并且将从所述催化燃烧室释放的氧化剂补给气体经由所述第二热交换机提供至所述阴极中。
燃料电池混合动力系统

[发明专利]单晶生长装置的绝热装置和包括绝热装置的单晶生长装置-CN201080060718.X无效
发明人： 李商勋;吴玹定;崔日洙 -专利权人： LG矽得荣株式会社
申请日： 2010-07-21 - 公布日： 2012-09-26 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明提供了单晶生长装置的绝热装置和包括所述绝热装置的单晶生长装置。所述绝热装置安装在单晶生长装置的腔室内，并且所述绝热装置包括多个以第一距离隔开的绝热块。
生长装置绝热包括