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专利名称
农业 化学；冶金 建筑 机械工程 区域搜索
主分类
A 农业
B 作业；运输
C 化学；冶金
D 纺织；造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]分栅式闪存的制造方法-CN202210784939.6在审
  • 张利;于涛;李冰寒 - 上海华虹宏力半导体制造有限公司
  • 2022-06-29 - 2022-09-27 - H01L27/11521
  • 本发明提供了一种分栅式闪存的制造方法，包括：提供衬底，所述衬底上形成有硬掩膜层，所述硬掩膜层上形成有开口；在所述开口的侧壁形成第一侧墙，在所述开口的底角处形成相互分离的两个浮栅；在两个所述浮栅之间形成擦除栅；以及，去除所述硬掩膜层，并在所述第一侧墙的远离所述浮栅一侧的侧壁上形成字线。本发明将第一侧墙的制备步骤调整至开口的形成之后，即，先形成开口，再在所述开口的侧壁上形成第一侧墙，可通过控制开口的侧壁的垂直度从而控制第一侧墙的侧壁的垂直度，无需再在第一侧壁的侧墙上形成额外的氮化层，有利于确保所述第一侧墙覆盖所述开口一侧的侧壁平直且底角处无拖尾现象，从而减少或避免了字线的实际长度减小。
  • 分栅式闪存制造方法
  • [发明专利]存储器结构及其形成方法-CN202210428897.2在审
  • 李冰寒 - 上海华虹宏力半导体制造有限公司
  • 2022-04-22 - 2022-08-19 - H01L27/11524
  • 一种存储器结构及其形成方法，其中存储器结构包括：衬底，所述衬底包括第一区和第二区；位于所述第二区上的浮栅结构、以及位于所述浮栅结构上的擦除栅结构；位于所述衬底内的第一掺杂区；位于第一掺杂区内的源区；位于第一区上的源极多晶硅层，源极多晶硅层与源区相接触；位于所述第一区上的源极多晶硅层；位于所述第二区内的字线栅沟道区；位于所述第二区上的字线栅结构。由于源区是通过金属化的源极多晶硅层直接连出，进而可以大幅降低所述源区的寄生电阻。另外，所述字线栅结构的字线栅氧化层的厚度可大幅减小，提高了字线栅层对下方沟道的控制，可有效降低读操作时的字线电压，并降低读串扰的风险以及减小器件尺寸。
  • 存储器结构及其形成方法
  • [发明专利]分栅快闪存储单元及其制备方法-CN202210433719.9在审
  • 王旭峰;于涛;李冰寒 - 上海华虹宏力半导体制造有限公司
  • 2022-04-24 - 2022-07-29 - H01L27/11521
  • 本发明提供了一种分栅快闪存储单元及其制备方法，包括：衬底；第一分栅结构和第二分栅结构，位于所述衬底上，且均包括第一浮栅、第二浮栅及擦除栅，所述擦除栅覆盖所述第一浮栅的部分顶面，所述第二浮栅覆盖所述第一浮栅的侧面并向上延伸覆盖所述擦除栅的侧面，且所述第二浮栅与所述第一浮栅直接接触；源线层，位于所述第一分栅结构和所述第二分栅结构之间的所述衬底上，且两个所述第二浮栅分别覆盖所述源线层的一个侧面；源区，位于所述源线层下方的衬底内，且与所述源线层电性连接。本发明能够简化互连工艺和制备工艺、降低互连接触电阻及利于缩小分栅快闪存储单元面积。
  • 分栅快闪存单元及其制备方法
  • [发明专利]一种分栅快闪存储单元及其制备方法-CN202210435368.5在审
  • 李冰寒 - 上海华虹宏力半导体制造有限公司
  • 2022-04-24 - 2022-07-29 - H01L27/11521
  • 本发明提供一种分栅快闪存储单元及其制备方法，包括：衬底及形成于所述衬底上的源线及两个存储位，两个所述存储位对称设置，所述源线位于两个所述存储位之间；每个所述存储位包括浮栅、栅介质层、擦除栅、字线栅及遂穿氧化层，所述擦除栅包括第一部分和第二部分，所述第一部分沿水平方向延伸。所述第二部分沿竖直方向延伸；所述字线栅及所述遂穿氧化层依次堆叠于所述衬底上，且所述字线栅向上延伸至覆盖所述栅介质层及所述第一部分远离所述源线的一侧的侧壁。将所述擦除栅分为两部分，有效减小器件的尺寸，同时，所述擦除栅的设置可以减小所述分栅快闪存储单元的阈值电压，实现在低电压条件下进行读操作。
  • 一种分栅快闪存单元及其制备方法
  • [发明专利]存储器结构及其形成方法-CN202210412974.5在审
  • 李冰寒;于涛 - 上海华虹宏力半导体制造有限公司
  • 2022-04-19 - 2022-07-12 - H01L27/11521
  • 一种存储器结构及其形成方法，存储器结构包括：衬底；位于衬底上且相互分立的若干复合结构，相邻复合结构之间具有第一开口，复合结构包括第一导电结构、位于第一导电结构两侧的浮栅结构、位于浮栅结构上的擦除栅结构、位于擦除栅结构上的第一隔离结构、第二隔离结构、以及第三隔离结构，第二隔离结构位于第一导电结构与浮栅结构、擦除栅结构和第一隔离结构之间，第三隔离结构位于第一隔离结构、擦除栅结构和浮栅结构的侧壁面，且第一开口的内壁面暴露出第三隔离结构的侧壁面和衬底的表面；位于衬底内的若干相互独立的源极掺杂区，源极掺杂区与第一导电结构及浮栅结构的底面接触；位于第一开口内的字线结构。从而，提高了存储器结构的性能和集成度。
  • 存储器结构及其形成方法
  • [发明专利]一种半导体结构的制备方法-CN202210314523.8在审
  • 刘宪周;李冰寒 - 上海华虹宏力半导体制造有限公司
  • 2022-03-28 - 2022-07-12 - H01L27/11521
  • 本发明提供一种半导体结构的制备方法，包括：提供衬底，在所述衬底上形成堆叠层，所述堆叠层包括依次堆叠在所述衬底上的浮栅多晶硅层、第一氧化层及氮化硅层；刻蚀所述堆叠层及部分所述衬底以形成开口，所述开口贯通所述堆叠层并延伸至所述衬底内；在所述开口中形成浅槽隔离结构，所述浅槽隔离结构填充部分所述开口；进行第一刻蚀工艺以除去剩余的所述氮化硅层。在对所述氮化硅层进行刻蚀时，所述第一氧化层可以保护所述浮栅多晶硅层不被腐蚀，有效避免所述浮栅多晶硅层表面出现空洞，进而提高所述半导体结构性能的可靠性。
  • 一种半导体结构制备方法
  • [发明专利]存储器及存储器的形成方法-CN202210468715.4在审
  • 李冰寒 - 上海华虹宏力半导体制造有限公司
  • 2022-04-29 - 2022-07-05 - H01L27/11521
  • 一种存储器及存储器的形成方法，存储器包括：衬底，所述衬底包括第一区、第二区和第三区，所述第二区位于第一区两侧，且所述第二区位于第一区和第三区之间；位于衬底第二区上的浮栅极结构；位于浮栅极结构上的第一侧墙；位于浮栅极结构侧壁的第一栅极结构，所述第一栅极结构与所述浮栅极结构电连接；位于所述第一栅极结构表面的介质结构；位于所述介质结构表面的源线结构，所述源线结构还位于所述第一区表面；位于第三区上的字线栅极结构。所述存储器的性能得到提升。
  • 存储器形成方法
  • [发明专利]闪存器件及其制造方法-CN202210265964.3在审
  • 于涛易;李冰寒;江晨 - 上海华虹宏力半导体制造有限公司;华虹半导体（无锡）有限公司
  • 2022-03-11 - 2022-05-27 - H01L21/336
  • 本发明提供了一种闪存器件及其制造方法，其中，所述闪存器件的制造方法包括：提供衬底，所述衬底上依次形成有浮栅材料层、控制栅材料层及硬掩模层；刻蚀所述硬掩膜层和所述控制栅材料层，形成暴露部分所述浮栅材料层的第一开口；沿所述第一开口向下刻蚀所述浮栅材料层和部分所述衬底形成第二开口，使所述第二开口的底部低于所述衬底的表面一设定距离；在所述第二开口内形成字线；以及，在所述字线两侧的衬底上依次形成浮栅和控制栅。本发明通过刻蚀部分衬底使后续形成的字线的底部低于衬底表面，从而增加所述字线的有效长度，减小了闪存器件的短沟道效应，提高了闪存器件的写入效率。
  • 闪存器件及其制造方法
  • [发明专利]分栅快闪存储单元的制备方法-CN202210152730.8在审
  • 王旭峰;于涛;李冰寒 - 上海华虹宏力半导体制造有限公司
  • 2022-02-18 - 2022-05-17 - H01L27/11524
  • 本发明提供了一种分栅快闪存储单元的制备方法，包括：提供衬底，在所述衬底上依次形成浮栅材料层及介质层；刻蚀所述介质层及所述浮栅材料层以形成显露所述衬底的开口；在所述开口内填充擦除栅；在所述擦除栅及所述介质层上形成图形化的光刻胶层，以所述图形化的光刻胶层为掩模依次刻蚀所述介质层及所述浮栅材料层以显露出所述衬底；去除所述图形化的光刻胶层，在所述介质层及所述浮栅远离所述擦除栅的一侧形成字线栅；以及，形成字线栅电连接件及擦除栅电连接件，所述字线栅电连接件及所述擦除栅电连接件穿过所述钝化层并分别与所述字线栅及所述擦除栅电性连接；本发明简化了器件的制备工艺。
  • 分栅快闪存单元制备方法
  • [外观设计]密封条-CN202230055461.4有效
  • 李冰寒 - 李冰寒
  • 2022-01-26 - 2022-05-13 - 25-99
  • 1.本外观设计产品的名称：密封条。2.本外观设计产品的用途：用于进行密封的胶条。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。
  • 密封条
  • [发明专利]分栅快闪存储单元及其制备方法-CN202210038391.0在审
  • 王旭峰;于涛;李冰寒 - 上海华虹宏力半导体制造有限公司
  • 2022-01-13 - 2022-04-22 - H01L29/788
  • 本发明提供了一种分栅快闪存储单元及其制备方法，包括：衬底；沟槽，位于所述衬底内；源区，位于所述沟槽底部的所述衬底内；源线层，位于所述沟槽内以与所述源区电性连接，且将所述沟槽分隔为两个子沟槽；第一分栅结构和第二分栅结构，均包括由下至上排列的浮栅和控制栅，所述第一分栅结构的浮栅和所述第二分栅结构的浮栅分别填充两个所述子沟槽并延伸覆盖所述衬底的部分表面，且所述浮栅的顶部高于所述源线层；擦除栅，位于所述源线层上；本发明利于分栅快闪存储单元的尺寸缩减。
  • 分栅快闪存单元及其制备方法
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