专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]快闪存储器及其擦除方法-CN202111189983.4在审
  • 李亚叡;陈冠复 - 旺宏电子股份有限公司
  • 2021-10-12 - 2023-04-07 - G06F3/06
  • 本公开提供一种快闪存储器及其擦除方法,快闪存储器至少包括存储器阵列与存储器控制电路。存储器控制电路对存储器阵列所包括的多个字线、共同源极线与全域位线施加偏压,以对快闪存储器中的多个存储单元进行擦除。擦除方法包括:依据与各多个字线相应的擦除深度,将多个字线分成多群字线;产生擦除电压与多个多阶字线擦除电压;对共同源极线与全域位线的至少其中的一施加共同源极线擦除电压;以及在施加擦除电压的期间,将多个多阶字线擦除电压施加到多群字线,其中多个多阶字线擦除电压与多群字线为一一对应。
  • 闪存及其擦除方法
  • [发明专利]存储器装置及其存储器控制方法-CN202111174165.7在审
  • 陈哲平;李亚叡 - 旺宏电子股份有限公司
  • 2021-10-09 - 2023-04-07 - G11C16/10
  • 本发明提供一种存储器控制器,存储器控制器接收将信息编程至由存储器控制器控制的存储器存储阵列的命令。存储器控制器判定存储信息的目标存储器状态及对应于目标存储器状态的目标阈值电压电平。存储器控制器至少基于目标存储器状态判定用于预编程循环的一或多个编程脉冲,包含至少基于目标阈值电压电平判定一或多个编程脉冲的电压电平。存储器控制器选择存储器存储阵列中的存储器位置以编程信息,且通过在各别电压电平下施加一或多个编程脉冲来预编程所选择的存储器位置,一或多个编程脉冲在无编程验证操作的情况下施加。在预编程之后,存储器控制器将信息编程至所选择的存储器位置。
  • 存储器装置及其控制方法
  • [发明专利]尺寸减小的半导体装置及其制造方法与操作方法-CN201410369092.0在审
  • 李亚叡;陈冠复 - 旺宏电子股份有限公司
  • 2014-07-30 - 2016-02-10 - H01L21/768
  • 本发明是有关于一种尺寸减小的半导体装置及其制造方法与操作方法。该半导体装置,包括一基板以及多个区块,此多个区块形成一串列。各个区块是位于基板上且包括配置于基板上的多条字元线。串列包括一单一的接地选择线,配置于此多个区块的一侧,及一单一的串列选择线是配置于此多个区块的另一侧。在一些实施例中,此多个区块的字元线定义将串列中的各个区块与其相邻区块分离的间隙。并可在串列的区块之间的各个间隙配置一或多条虚设字元线。本发明同时还提供了的一种此半导体装置的制造方法及操作方法。借此本发明能够同时减小半导体装置的尺寸及避免边缘字元线热电子干扰。
  • 尺寸减小半导体装置及其制造方法操作方法
  • [发明专利]非易失性存储器及其制造方法-CN201110003440.9无效
  • 李亚叡;林莹嘉 - 力晶科技股份有限公司
  • 2011-01-10 - 2012-07-04 - H01L27/115
  • 本发明提出一种非易失性存储器及其制造方法。该非易失性存储器具有隧穿介电层、浮置栅极、控制栅极、栅间介电层、第一掺杂区与第二掺杂区。隧穿介电层配置于基底上。浮置栅极配置于隧穿介电层上,且浮置栅极具有凸出部。控制栅极配置于浮置栅极上方,并覆盖、环绕凸出部。其中,浮置栅极的凸出部无论从任何方向(例如位线或字线方向或位线及字线间所夹任何角度的方向)皆被控制栅极完全包覆、环绕在里面。栅间介电层配置于浮置栅极与控制栅极之间。第一掺杂区与第二掺杂区分别配置于控制栅极二侧的基底中。
  • 非易失性存储器及其制造方法

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