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[发明专利]一种太阳能电池抗反射叠层结构及其制备方法、应用-CN202311184961.8在审
发明人：陈庆敏;李丙科;卓倩武;张海洋 -专利权人：无锡松煜科技有限公司
申请日： 2023-09-14 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供了一种太阳能电池抗反射叠层结构及其制备方法、应用，所述制备方法包括（1）将沉积有氧化铝钝化膜层的硅衬底置于PECVD设备的反应腔体内，通入笑气，抽真空预热，进行一次等离子体处理；（2）通入硅烷和氨气，在氧化铝钝化膜层表面沉积氮化硅层；（3）通入笑气，进行二次等离子体处理；（4）通入硅烷、氨气和笑气，在氮化硅层表面沉积氮氧化硅层；（5）通入硅烷和笑气，在氮氧化硅层表面沉积氧化硅层。本发明的太阳能电池抗反射叠层结构膜层不仅在光学上提升太阳能电池的光生电流，还能从钝化角度提升太阳能电池的钝化水平。
一种太阳能电池反射结构及其制备方法应用

[发明专利]一种银复合导电颗粒及其制备方法与应用-CN202310980052.9有效
发明人：陈庆敏;李丙科;陈加朋;卓倩武 -专利权人：无锡松煜科技有限公司
申请日： 2023-08-07 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01B13/00 文献下载
摘要：本发明涉及导电材料技术领域，公开了一种银复合导电颗粒及其制备方法与应用。本发明提供的制备方法通过原子层沉积法在粉末态的聚酰亚胺‑石墨复合材料表面沉积银壳层得到银复合导电颗粒，在沉积过程中，通过首次循环前静电处理、每次切换通入气体时对原子层沉积腔进行真空度调节处理、以及保证N2的通入流量适宜，确保基体粉末的分散性，解决了粉末基体沉积银壳层的均匀性问题，避免由于银包覆不均匀造成导电性能下降，提高制备得到的银复合导电颗粒的导电性能。同时，在本发明中，采用特定的具有互穿网络结构的聚酰亚胺‑石墨材料为基体，进一步提高制品的导电性能。
一种复合导电颗粒及其制备方法应用

[发明专利]一种太阳能电池硼扩散控制方法、设备及系统-CN202311162640.8在审
发明人：陈庆敏;李丙科;张海洋 -专利权人：无锡松煜科技有限公司
申请日： 2023-09-11 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供一种太阳能电池硼扩散控制方法、设备及系统，所述方法包括：（1）将硅片置于反应腔室内，同时通入氧气和氮气；（2）在840~880℃和80~120 mbar下进行一次通源；（3）在840~880℃和160~200 mbar下进行二次通源；（4）在1010~1030℃和830~870mba下进行氧化反应；至少有一个步骤中包括检漏工序、流量测定工序和抽气速率测定工序中的一个或多个。本发明采用检漏工序、流量测定工序和抽气速率测定工序中的一个或多个及时发现设备异常，中止工艺，避免工艺在异常条件下持续运行，出现大批量的方阻不良片。采用两次通源的方式，控制反应速率，提高反应效率，控制产物质量和提高安全性，加深PN结的结深。
一种太阳能电池扩散控制方法设备系统

[发明专利]一种单晶硅片制绒方法-CN202311146298.2在审
发明人：陈庆敏;李丙科;陈加朋;卓倩武 -专利权人：无锡松煜科技有限公司
申请日： 2023-09-07 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明属于太阳能电池制造技术领域，尤其涉及一种单晶硅片制绒方法。本发明用于单晶硅片的制绒方法，包括如下步骤：第一次制绒：使用氩离子气体对单晶硅片进行反应离子刻蚀，得到一次处理硅片；第二次制绒：将所述一次处理硅片使用化学腐蚀液进行化学腐蚀过程，得到二次处理硅片；第三次制绒：使用氟离子气体对所述二次处理硅片进行反应离子刻蚀，得到制绒后硅片。其中在第二次制绒之前设置了第一次制绒能够去除脏污，提高第二次制绒过程绒面液膜覆盖的均匀程度，从而减少绒面雨点现象。并且在前两次制绒的基础上，增加第三次制绒，能够使得绒面更为均匀和规则。
一种单晶硅片制绒方法

[发明专利]一种低反射率的氧化铝钝化膜的制备方法-CN202311070684.8在审
发明人：陈庆敏;李丙科;陈加朋;卓倩武 -专利权人：无锡松煜科技有限公司
申请日： 2023-08-24 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本公开属于半导体技术领域，涉及一种低反射率的氧化铝钝化膜的制备方法，包括如下步骤：S‑1.提供衬底，送入反应腔室；S‑2.向反应腔室内通入三甲基铝，同时，以变化的压力通入惰性气体；S‑3.向反应腔室内通入氮气，吹扫反应腔室；S‑4.向反应腔室内通入水蒸气，同时，以变化的压力通入惰性气体；S‑5.向反应腔室内通入氮气，吹扫反应腔室；步骤S‑2至步骤S‑5形成一个循环，重复该循环，得到低反射率的氧化铝薄膜。本公开方案在通入三甲基铝和水的同时，以变化的压力通入惰性气体，改变三甲基铝和水的流动，以引入表面扰动，增加氧化铝钝化层的粗糙度，从而降低所形成氧化铝钝化膜的反射率。
一种反射率氧化铝钝化制备方法

[实用新型]一种石英管支撑结构-CN202223149987.2有效
发明人：陈庆敏;李丙科;李铁 -专利权人：无锡松煜科技有限公司
申请日： 2022-11-25 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： F27D5/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种石英管支撑结构，包括炉体、大石英管、小石英管及预埋件，在炉体内设置预埋件，预埋件朝向炉体的内部，小石英管沿着炉体的轴向活动放置在预埋件上并被预埋件定位支撑，小石英管的数量为两根以上，大石英管活动放置在小石英管上并由小石英管支撑托起。本实用新型的石英管支撑结构采用绝缘子加小石英管的支撑方式，由于小石英管直径小而且透明，可以最大程度减少支撑件对炉丝加热的干扰，不用担心炉丝热量“憋住”散不出来造成炉丝损坏。而且很好的解决了受力问题，受力更加合理，并且不影响炉丝散热，在相同工艺条件下温度更均匀。
一种石英管支撑结构

[外观设计]螺旋绝缘子-CN202330223699.8有效
发明人：陈庆敏;李丙科;李铁 -专利权人：无锡松煜科技有限公司
申请日： 2023-04-21 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： 13-03 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：螺旋绝缘子。2.本外观设计产品的用途：用于炉体内的绝缘子功能。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图1。5.在立体图中已有表达，省略右视图。
螺旋绝缘子

[实用新型]一种用于石英管的密封装置-CN202320479686.1有效
发明人：陈庆敏;陈加朋;李丙科;郭冬敏 -专利权人：浙江弘升石英科技有限公司
申请日： 2023-03-07 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： F16J15/06 文献下载
摘要：本实用新型涉及石英管技术领域，且公开了一种用于石英管的密封装置，包括密封帽和石英管本体，所述石英管本体设置于密封帽的底部，所述石英管本体的两侧均嵌入有固定块，所述固定块的底部固定连接有插接柱，所述密封帽的底部固定连接有固定螺杆，所述固定螺杆的外侧活动连接有转动螺套，所述转动螺套的外侧活动连接有连接机构，所述连接机构包括延伸板，所述延伸板的一端延伸至固定块的底部，延伸板推动固定块向上移动，使石英管本体与密封帽紧密接触，卡接齿向下落在调节旋钮顶部的卡接槽内调节旋钮起到定位的效果，解决了现有的密封装置在密封石英管时密封性不好，石英管内压力过大或者受到碰撞后容易导致密封装置脱落的问题。
一种用于石英管密封装置

[外观设计]半导体立式炉高温扩散炉设备-CN202330223690.7有效
发明人：陈庆敏;陈加朋;李丙科;闫文彬 -专利权人：无锡松煜科技有限公司
申请日： 2023-04-21 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： 15-99 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：半导体立式炉高温扩散炉设备。2.本外观设计产品的用途：用于对硅片的扩散工艺。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图1。
半导体立式高温扩散设备

[发明专利]一种用于光伏电池制造的电加热炉-CN202310596346.1有效
发明人：陈庆敏;李丙科;李铁 -专利权人：无锡松煜科技有限公司
申请日： 2023-05-25 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： F27B17/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于光伏电池制造的电加热炉，属于光伏电池制造设备技术领域。包括炉体、炉丝和工艺管，还包括卡组；卡组包括多个绝缘子和拉条；每个绝缘子均包括半孔和安装孔，相邻绝缘子的两个半孔对接形成一个用于卡接所述炉丝的全孔；至少有一部分卡组为设置在所述炉丝底部的加高卡组，所述加高卡组中的绝缘子为加高绝缘子；所述加高绝缘子除了具有设置有所述的半孔和安装孔的本体部外，还具有向炉丝所在柱状螺旋的中心凸起并对所述工艺管起衬托作用的加高部。本发明通过多组卡组的设置，显著提高了炉丝在电热炉内的稳固性；解决了炉丝太重易下沉的问题和炉丝下沉对工艺管的压迫问题。
一种用于电池制造加热炉

[发明专利]一种延长LPCVD进气管使用寿命的方法及镀膜炉设备-CN202310565675.X在审
发明人：陈庆敏;李丙科;张海洋;景程 -专利权人：无锡松煜科技有限公司
申请日： 2023-05-19 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明涉及材料镀覆技术领域，尤其涉及一种延长LPCVD进气管使用寿命的方法及镀膜炉设备，具体的，进气管至少用于向镀膜炉设备内通入SiH4气体，且进气管在通入SiH4气体后，依次进行N2吹扫步骤和N2填充步骤；N2吹扫步骤通过所述进气管进行，吹扫时间大于或等于60s，N2填充步骤通过进气管进行，填充时间大于或等于180s。和现有技术相比，本发明能够充分吹扫、填充N2，尽可能的排除SiH4气体、并将亚甲硅烷基团聚物吹扫出来，避免其堵塞管路。
一种延长 lpcvd 气管使用寿命方法镀膜设备

[实用新型]一种半导体晶圆盒开关结构-CN202320196595.7有效
发明人：陈庆敏;陈加朋;李丙科;张桉民 -专利权人：无锡松煜科技有限公司
申请日： 2023-02-09 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L21/673 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种半导体晶圆盒开关结构，包括晶圆盒盒体、晶圆盒底座和开关底盒，晶圆盒盒体与晶圆盒底座配合使用，晶圆盒盒体和晶圆盒底座之间通过转动开关机构形成锁紧或者解锁；晶圆盒底座放置在开关底盒上并与开关底盒形成配合，在开关底盒内设有动力机构、旋转机构和检测机构，动力机构对旋转机构输出动力，控制旋转机构往复的旋转操作，实现转动开关机构的开启和关闭，检测机构用于检测旋转机构的旋转位置。本实用新型所述半导体晶圆盒开关结构在需要对晶圆盒开启或关闭时，可以对晶圆盒进行检测并自动开启或关闭。
一种半导体晶圆盒开关结构

[实用新型]一种半导体晶圆侦测装置-CN202320078305.9有效
发明人：陈庆敏;陈加朋;李丙科;张桉民 -专利权人：无锡松煜科技有限公司
申请日： 2023-01-10 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种半导体晶圆侦测装置，包括升降机构、托盘、检测盒、分离台、晶圆容纳器，多片晶圆分层叠放容纳在晶圆容纳器内的插槽中，容纳器盖体罩在晶圆容纳器的外部，升降机构、检测盒、分离台分别固定安装在工艺机框架上，带动托盘上下升降，托盘上可放置载有晶圆的晶圆容纳器；分离台位于托盘的正上方，与托盘相对应设置；分离台为边框结构，中间为中空，中空位置可供晶圆容纳器通过，分离台的一侧下部沿边长方向设置检测盒，检测盒水平设置正对着分离台的中空方向，对晶圆进行检测。本实用新型能够准确地检测晶圆的容纳状态、节省检测时间、保护晶圆检测光电的晶圆检测装置，取代将晶圆侦测装置装在取片机械手上的传统装置。
一种半导体侦测装置

[实用新型]一种半导体立式扩散炉结构-CN202320171329.9有效
发明人：陈庆敏;陈加朋;李丙科;闫文彬 -专利权人：无锡松煜科技有限公司
申请日： 2023-02-09 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种半导体立式扩散炉结构，包括炉体本体，炉体本体的底部开设有炉口，炉体本体的顶部为弧形封闭；在炉体本体的炉外底部一侧设有进气口，进气口通过进气管通入到炉体本体的内部，在炉体本体的炉内顶部设有水平的匀流板，进气管的管口位于匀流板的上方空间；在炉体本体的炉内腔室中设有保温支撑架和载片支架，载片支架放置在保温支撑架上，保温支撑架包括下端座、保温分流层、支撑柱及上端座，下端座和上端座通过支撑柱连接，下端座和上端座平行相对设置，在下端座到上端座之间的支撑柱上固定设置多个保温分流层。本实用新型可以有效的改善工艺气体在炉体内的均匀性，使进入炉体内的气体均匀的分散分布，工艺反应更加完善。
一种半导体立式扩散结构

[实用新型]一种半导体快速退火炉结构-CN202320081217.4有效
发明人：陈庆敏;陈加朋;李丙科;张桉民 -专利权人：无锡松煜科技有限公司
申请日： 2023-01-13 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种半导体快速退火炉结构，包括机架，机架的内部设有机械手，在机械手的左右两侧各安装有加热器，在正对机械手的后方设有定位器，在正对机械手的前方为载片台内门和载片台外门，晶圆装载在晶圆容纳器中，晶圆容纳器放入载片台内门和载片台外门之间的放置工位上。本实用新型有效防止内外压差形成的气流对晶圆的影响，相较于传统的炉体半导体退火炉，热体积更小，成本更低，升温、降温速率更快，装载、取片时间短，同时具有生产效率高的特点。
一种半导体快速退火炉结构

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