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专利名称
农业 化学；冶金 建筑 机械工程 区域搜索
主分类
A 农业
B 作业；运输
C 化学；冶金
D 纺织；造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]非易失性存储器件及其制造方法-CN201210206135.4有效
  • 赵廷镐;朴正求;秋珉完;柳斗烈 - 美格纳半导体有限公司
  • 2012-06-18 - 2017-06-30 - H01L21/28
  • 提供了一种非易失性存储器件和一种制造该非易失性存储器件的方法。该方法包括在衬底上形成浮置栅极；形成与浮置栅极的形状一致的介电层；在衬底上形成导电层以形成覆盖浮置栅极和介电层的控制栅极；在导电层的一侧上形成光刻胶图案；形成间隔物形式的包围浮置栅极的侧面的控制栅极，所述控制栅极的形成包括对导电层实施回蚀到直到暴露浮置栅极上的介电层的一部分；以及在控制栅极的一侧上形成与多个接触塞连接的多晶硅焊盘，所述多晶硅焊盘的形成包括移除光刻胶图案。
  • 非易失性存储器及其制造方法
  • [发明专利]硅晶片的制造方法-CN201310361966.3有效
  • 朴正求 - 美格纳半导体有限会社
  • 2009-09-28 - 2014-01-08 - C30B29/06
  • 本发明提供硅晶片的制造方法，所述方法包括：对所述硅晶片进行热处理以在所述硅晶片中形成除杂区和本体区域；在装载温度下将经热处理的所述硅晶片装载至加热装置中；在第一温度下对所述硅晶片实施第一退火工艺以在所述本体区域中补充产生氧沉淀物核及氧沉淀物；和在高于所述第一温度的第二温度下对所述硅晶片实施第二退火工艺以增大所述本体区域中的所述氧沉淀物；其中所述硅晶片的所述热处理在经热处理的所述硅晶片的所述装载之前进行。
  • 晶片制造方法
  • [发明专利]硅晶片及其制造方法-CN200910174525.6有效
  • 朴正求 - 美格纳半导体有限会社
  • 2009-09-28 - 2010-05-26 - C30B29/06
  • 本发明提供一种硅晶片，其包括：第一除杂区，其形成为具有自硅晶片的顶面的预定深度；和本体区域，其形成于第一除杂区与硅晶片的背面之间，其中第一除杂区形成为具有自顶面约20微米至约80微米的深度，并且其中本体区域中的氧浓度在整个本体区域中以10％内的变化均匀分布。本发明还提供了一种用于制造硅晶片的方法。
  • 晶片及其制造方法
  •  1 
  • 共 4 条
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