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[发明专利]一种高精度磁编码器用磁鼓的制备方法-CN200710064729.5无效
发明人：于广华;王海成;王立锦;杜中美;滕蛟;朱逢吾 -专利权人：北京科技大学
申请日： 2007-03-23 - 公布日： 2007-10-03 - 主分类号： G01D5/249 文献下载
摘要：一种高精度磁编码器用磁鼓的制备方法，属于磁编码器技术领域。以铝合金为基体，以钴盐、还原剂、络合剂、缓冲剂按比例配成溶液，化学镀法制备Co－P或Co－Ni－P薄膜作为磁鼓的记录介质。薄膜中P含量为5～10％，为晶态，有磁性；膜厚为1～10μm。对用该法制得的磁鼓，可写入1024～2500对N、S磁极。本发明的优点在于：磁性薄膜磁性能优异，制备工艺稳定，实施性强，易于工业化批量生产；制得的磁鼓分辨率高，与各向异性磁电阻薄膜探头结合，可得到高精度的磁旋转编码器。
一种高精度编码器用磁鼓制备方法

[发明专利]一种提高电子罗盘精度的磁电阻薄膜的制备方法-CN200510086798.7无效
发明人：于广华;张辉;腾蛟;王立锦;李希胜;朱逢吾 -专利权人：北京科技大学
申请日： 2005-11-04 - 公布日： 2006-07-26 - 主分类号： H01L43/12 文献下载
摘要：本发明提供了一种提高电子罗盘精度的磁电阻薄膜的制备方法，属于磁性多层膜的制备技术领域。制备工艺为：在清洗干净的玻璃基片或单晶硅基片上沉积(Ni_0.81Fe_0.19)₅₄Cr₃₆(50～200)/Ni_0.81Fe_0.19(100～1500)/Ta(50～100)；然后通过一般的半导体加工工艺将薄膜加工成线宽为2～50微米的磁电阻传感元件；再结合半导体加工工艺在元件两侧平行于条形元件沉积厚为3～10微米Ni_0.81Fe_0.19薄膜。薄膜制备过程是在磁控溅射仪中进行，溅射室本底真空度为1×10^－5～6×10^－5Pa，溅射时氩气压为0.4～0.7Pa；基片用循环水冷却，平行于基片方向加有150～250Oe的磁场，以诱发一个易磁化方向。优点在于：该发明具有制备方便、成本低、电子罗盘精度明显提高。
一种提高电子罗盘精度磁电薄膜制备方法

[发明专利]一种提高磁编码器磁鼓分辨率的方法-CN200510011202.7无效
发明人：于广华;王海成;王立锦;滕蛟;朱逢吾 -专利权人：北京科技大学
申请日： 2005-01-19 - 公布日： 2005-08-03 - 主分类号： G01D5/12 文献下载
摘要：本发明提供了一种提高磁编码器磁鼓分辨率的方法。采用涂布工艺，挤压成形制备磁鼓后，用精细抛光砂纸抛光磁性层，使磁性涂层减薄至0.1～0.05mm。再用窄漏磁间隙的磁头对磁鼓写入磁极，采用的窄漏磁间隙为0.1～0.05mm漏磁间隙的磁头对磁鼓进行充磁，写入磁极为512对极。本发明的优点在于，工艺精简，易于操作，可写入512对极，脉冲计数完整，输出波形信号良好，元器件性能优异。
一种提高编码器磁鼓分辨率方法

[发明专利]一种制备双垂直自旋阀的方法及其结构-CN200410101847.5无效
发明人：于广华;姜勇;腾蛟;王立锦;张辉;朱逢吾 -专利权人：北京科技大学
申请日： 2004-12-28 - 公布日： 2005-07-20 - 主分类号： G11B5/39 文献下载
摘要：一种制备双垂直自旋阀的方法及其结构，采用玻璃或单晶硅基片，通过等离子体溅射、磁控溅射或者分子束外延生长手段制备而成的一种金属多层膜结构，然后通过照相平版印刷或电子束印刷、离子刻蚀的手段分别在金属多层膜的顶层和底层膜面制作出两个电极，使该自旋阀在工作时，信号电流的流动方向垂直于金属多层膜膜面。本发明的优点在于将电流垂直薄膜平面与磁各向异性易轴垂直薄膜面两个特征完美结合在一起大幅度的提高自旋阀的磁电阻效应；有效的改善了自旋阀的磁均匀性，使这种自旋阀材料加工到纳米级时，仍可保持单磁畴结构。
一种制备垂直自旋方法及其结构

[发明专利]一种抑制薄膜界面反应的方法-CN200410009961.5无效
发明人：于广华;姜勇;滕蛟;王立锦;张辉;朱逢吾 -专利权人：北京科技大学
申请日： 2004-12-03 - 公布日： 2005-07-06 - 主分类号： H01F41/18 文献下载
摘要：一种利用表面活化剂抑制界面反应的方法，涉及磁性多层膜的制备方法。本方法是在清洗干净的玻璃基片上依次沉积钽Ta(50～120)/氧化镍NiO(60～100)/铋Bi(或Pb、In等)(2～30)/镍铁NiFe(30～100)/钽Ta(50～90)。本发明由于采用表面活化剂Bi(或Pb、In等)插入自旋阀巨磁电阻多层膜或隧道结中的反铁磁NiO/铁磁NiFe薄膜界面，NiO与NiFe间的界面反应被抑制，其交换耦合场H_ex比不插表面活化剂Bi(或Pb、In等)的交换耦合场H_ex提高最大可达80％，具有制备方便、不需要磁场热处理、成本低、交换耦合场H_ex提高明显等优点。
一种抑制薄膜界面反应方法

[发明专利]一种各向异性磁电阻坡莫合金薄膜的制备方法-CN200410009805.9无效
发明人：于广华;滕蛟;朱逢吾;张辉;王立锦 -专利权人：北京科技大学
申请日： 2004-11-16 - 公布日： 2005-06-29 - 主分类号： H01L43/12 文献下载
摘要：一种各向异性磁电阻坡莫合金薄膜的制备方法，涉及磁电阻薄膜的制备方法，特别是涉及各向异性磁电阻坡莫合金薄膜的制备。本方法是采用磁控溅射方法，通过选取不同成分的Ni_xFe_1－x合金靶，x为78～85，以及溅射前通入镀膜室99.99％纯度氩气0.5～1小时，维持在气压0.1～0.5Pa，控制薄膜杂质含量小于0.1％，制备出具有准确成分的Ni₈₁Fe₁₉薄膜。本方法在进一步降低薄膜制备难度的同时，仍能保证薄膜很薄时具有较高的各向异性磁电阻值和低矫顽力、低晶体各向异性、大的磁化强度和低磁致伸缩等综合性能，以满足磁传感器的性能和产品需求。
一种各向异性磁电阻坡莫合金薄膜制备方法

[发明专利]一种测量薄膜沉积速率的方法-CN200410009962.X无效
发明人：于广华;姜勇;腾蛟;王立锦;张辉;朱逢吾 -专利权人：北京科技大学
申请日： 2004-12-03 - 公布日： 2005-05-11 - 主分类号： G01N33/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种测量薄膜沉积速率的方法。将20～50氧化物薄膜或不易氧化金属薄膜沉积到玻璃基片或单晶硅基片上，利用角分辨X射线光电子能谱测定它们的厚度，这个厚度除以所用沉积时间，就是该薄膜材料的沉积速率。具体步骤为：将沉积到玻璃基片或单晶硅基片上的20～50氧化物薄膜或不易氧化金属薄膜送进超高真空的X射线光电子能谱仪中；实验时，通过改变α角度，收集Si 2p XPS谱图，当刚刚出现Si 2p峰时，停止数据收集，记下α值，由公式d＝3λsin α来算出薄膜材料厚度；该厚度除以所用薄膜沉积时间，就是该薄膜材料的溅射速率。本发明的优点在于：简化了测量方法，并实现了测量数据准确。
一种测量薄膜沉积速率方法

[发明专利]一种冷阴极溅射制备薄膜的方法及装置-CN02103673.X无效
发明人：于广华;朱逢吾;崔新发;滕蛟 -专利权人：北京科技大学
申请日： 2002-02-08 - 公布日： 2004-05-26 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：一种冷阴极溅射制备薄膜的方法及装置，涉及薄膜的制备方法及装置，特别是涉及到利用溅射方法制备薄膜。本发明是在电子能谱仪样品制备室中装有样品基座来制备薄膜，控制样品制备室的本底真空为2×10^-7～8×10^-7Pa，溅射气压为1×10^-4～3×10^-4Pa，薄膜沉积速率1～3/分钟，在单晶Si或玻璃基片上依次沉积所要沉积的薄膜，采用此方法所用装置的主要结构是离子枪(6)相对于样品轰击台(5)的对称方位上安置一样品基座(2)，基片(3)被贴在基座(2)下面，并且垂直于基座(2)平面的中心轴线、样品轰击台(5)的中心轴线以及离子枪(6)的中心轴线在同一平面内。本发明不仅可以制备出均匀、性能明显提高的较薄薄膜，而且制备简单，成本低。
一种阴极溅射制备薄膜方法装置

[发明专利]利用表面活化剂对自旋阀改性的方法-CN02103674.8无效
发明人： 朱逢吾;于广华;赖武彦;滕蛟 -专利权人：北京科技大学
申请日： 2002-02-08 - 公布日： 2004-03-10 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：一种利用表面活化剂对自旋阀改性的方法，涉及巨磁电阻多层膜的制备方法。本方法是将清洗干净的玻璃基片上依次沉积钽Ta(50～120)/镍铁NiFe(60～100)/铜Cu(23～30)/Bi(2～30)/镍铁NiFe(35～60)/铁锰FeMn(70～150)/钽Ta(50～90)。本发明由于采用表面活化剂Bi插入自旋阀巨磁电阻多层膜膜中，其交换耦合场H_ex比不插Bi的自旋阀的交换耦合场H_ex明显提高，最大可达60％，具有制备方便、不需要磁场热处理、成本低等优点。
利用表面活化剂自旋改性方法

[发明专利]一种各向异性磁电阻坡莫合金薄膜的制备方法-CN03119630.6无效
发明人： 朱逢吾;于广华;李海峰;杨涛;滕胶 -专利权人：北京科技大学
申请日： 2003-03-18 - 公布日： 2003-08-27 - 主分类号： C23C14/14 文献下载
摘要：一种各向异性磁电阻坡莫合金薄膜的制备方法，涉及功能材料薄膜的制备，特别是涉及制备磁电阻薄膜。本方法是在清洗干净的玻璃基片上或单晶硅基片上沉积镍铁Ni0.81Fe0.19薄膜，将(Ni0.81Fe0.19)xCr1－x层作为种子层，x值介于0.13～0.53之间；沉积的顺序依次是1.0～12.0nm厚度的镍铁铬(Ni0.81Fe0.19)xCr1－x、10.0～200.0nm厚度的镍铁Ni0.81Fe0.19和5.0～9.0nm钽Ta。本发明由于采用体心结构的NiFeCr作为坡莫合金薄膜的一种新型种子层，其各向异性磁电阻AMR值比以传统的Ta为种子层时明显提高，最大可达34％，具有制备方便、不需要高温沉积和磁场热处理、成本低等优点。
一种各向异性磁电阻坡莫合金薄膜制备方法

[发明专利]一种超硬含铝高速钢-CN97107803.3无效
发明人：刘荣运;赵拓山;肖纪美;朱逢吾 -专利权人：重庆特殊钢股份有限公司
申请日： 1997-12-05 - 公布日： 2001-03-14 - 主分类号： C22C38/32 文献下载
摘要：本发明涉及一种高碳高速钢，尤其是一种同时含有铝、稀土元素、钛、硼的超硬含铝高速钢。它克服或改善了现有含铝高速钢普遍存在的混晶，碳化物颗粒粗大，夹杂物偏多，存在相当数量的游离铁素体等金相组织缺陷，使得该钢的红硬性、耐磨性、高温塑性、常温韧性均比现有含铝高速钢更为优良。尤其是用该钢制作的切削刃具的使用寿命值，使用寿命值分散度等更能满足大规模机械加工的要求。特别适用于制作切削不锈钢、高温合金、调质合金钢等难切削金属材料的切削刃具。$＃!
一种超硬含铝高速钢

[发明专利]一种抗水高强矾土或高铝水泥制品的制造方法-CN88107917.0无效
发明人：李浩;职任涛;朱逢吾;肖纪美 -专利权人：北京科技大学
申请日： 1988-11-22 - 公布日： 1993-12-01 - 主分类号： C04B28/06 文献下载
摘要：本发明属非金属材料制造工艺。为满足国民经济发展的多种需要，一种抗水高强矾土或高铝水泥制品已经展现在人们的面前。本发明以盐酸代替有机二羧酸或丁二酸，不仅使生产工艺简化易行，而且能显著降低生产成本。
一种高强矾土水泥制品制造方法

[发明专利]一种抗水高强氧化铝水泥制造方法-CN88109150.2无效
发明人：李浩;朱逢吾;职任涛;肖纪美 -专利权人：北京科技大学
申请日： 1988-10-26 - 公布日： 1991-03-20 - 主分类号： C04B7/32 文献下载
摘要：本发明属非金属材料生产工艺。现行的抗水高强氧化铝水泥制造方法是通过在氧化铝水泥与部份碱化的溶水性聚醋酸乙烯中加入适量有机二羧酸或丁二酸并在温度为60～120℃、压力为200～250kg/cm2下成型而达到其抗水性能的。此法成本高且不便于工业生产。本发明将添加有机二羧醋或丁二酸的方法改为对高强氧化铝水泥即氧化铝水泥与聚醋酸乙烯混合干燥硬化物实行甲醛溶液表面处，从而使成本降低，便于工业生产，且抗水性能有所改善。
一种高强氧化铝水泥制造方法

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