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[发明专利]可调光多模干涉器及系统-CN202311057738.7在审
发明人： 朱科建 -专利权人：苏州浪潮智能科技有限公司
申请日： 2023-08-22 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： G02B6/28 文献下载
摘要：本发明提供一种可调光多模干涉器及系统，涉及光子芯片技术领域，包括：输入部、多模干涉部、第一输出部、第二输出部、至少一个调节器；所述多模干涉部沿宽度方向的一个侧端连接所述输入部，沿宽度方向的另一个侧端连接第一输出部以及第二输出部；所述多模干涉部沿长度方向的至少一个侧端设有半开放槽位，根据调节所述调节器与所述半开放槽位底部之间的相对距离，调节所述第一输出部与第二输出部所输出光功率的分束比。本发明通过动态地调节所述调节器与所述半开放槽位底部之间的相对距离，从而使得在启用监测光功率后实现光功率分束比的提升，而在不需要启用监测光功率后通过降低光功率分束比，以降低光能损耗，从而提高光子芯片的能效。
调光干涉系统

[发明专利]一种电光调制结构、系统、方法及设备-CN202310495750.X在审
发明人： 朱科建 -专利权人：山东云海国创云计算装备产业创新中心有限公司
申请日： 2023-04-27 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： G02F1/03 文献下载
摘要：本发明提出一种电光调制结构、系统、方法及设备，电光调制结构包括：第一多模干涉耦合器和第二多模干涉耦合器，二者沿第一方向对称设置，分别用于对光进行分束和合束；一组电光调制及光起偏器，包括：第一电光调制及光起偏器和第二电光调制及光起偏器，二者沿第二方向对称设置在所述第一多模干涉耦合器和第二多模干涉耦合器之间，并基于表面等离极化激元进行耦合，用于将从所述第一多模干涉耦合器输入的分束的光进行电光调制并将电光调制完成的分束的光输出到所述第二多模干涉耦合器进行合束；非本征模反射结构，用于连接所述第一电光调制及光起偏器和第二电光调制及光起偏器。本发明公开的方案减小了各个器件集成的面积，有利于进行片上集成。
一种电光调制结构系统方法设备

[发明专利]模斑转换器-CN202211462410.9在审
发明人：周治平;朱科建;孙鹏斐 -专利权人：北京大学
申请日： 2022-11-21 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： G02B6/14 文献下载
摘要：本发明涉及集成光学技术领域，提供一种模斑转换器，包括：衬底层；输入波导，设置于所述衬底层上，且折射率大于所述衬底层折射率；输出波导，设置于所述衬底层上，且折射率大于所述衬底层折射率；表面等离激元波导，设置于所述输入波导与所述输出波导之间，并与所述输入波导和所述输出波导连通，用于对所述输入波导传来的电磁波使其产生表面等离激元效应。本发明有效的解决了现有技术中模斑转换器尺寸大且消光比较低的问题，进而达到了尺寸短小且消光比高的目的，节省了原材料和工艺成本。
转换器

[发明专利]一种光斑均匀度探测器件及其制造方法和应用-CN201811410402.3有效
发明人： 朱科建;赵宏武;林伟坚;石海滨;苏仰涛;孟洋 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2018-11-23 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： G01M11/02 文献下载
摘要：本发明提供了光斑的均匀性探测器件及其制备和操作方法。光斑探测器件包括：衬底，位于所属衬底上的磁性层，位于所述磁性层的自旋探测层。所述其中磁性层为铁磁或亚铁磁材料，所述自旋探测层为常见顺磁金属材料，且光穿透深度一般较大。所述自旋探测层一般具有强的自旋轨道耦合效应，且在光照及空气环境中其性质不易发生变化。本发明制备的光斑均匀度探测器件还可用于寻找光斑中心点及光斑光强最强点，并可以探测局域磁场大小及方向。本发明还提供了该器件的制备方法、操作方法及应用。
一种光斑均匀探测器件及其制造方法应用

[实用新型]一种CMOS工艺兼容的纵向光学耦合系统-CN202021352270.6有效
发明人：周治平;朱科建 -专利权人：北京爱杰光电科技有限公司
申请日： 2020-07-10 - 公布日： 2021-03-19 - 主分类号： G02B6/124 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种CMOS工艺兼容的纵向光学耦合系统，应用于微电子集成技术领域，包括：衬底；隐埋氧化物层，隐埋氧化物层形成在衬底上；第一波导，第一波导形成在隐埋氧化物层上；第一波导上设置有光源器件和纵向光波导；第二光波导，第二光波导形成在激光器件和纵向光波导上；第二光波导与激光器件为绝热倒锥设置。本实用新型利用传统微电子领域的CMOS工艺实现高效率纵向光学耦合结构的制备，通过巧妙地设计耦合结构、波导尺寸及光栅参数等，可实现理论上90％以上的耦合效率；可实现片上光源的直接耦合将极大程度提高光芯片的集成度并降低生产成本，从而大大推进光链路的发展。
一种 cmos 工艺兼容纵向光学耦合系统

[发明专利]一种CMOS工艺兼容的纵向光学耦合系统及其方法-CN202010663383.6在审
发明人：周治平;朱科建 -专利权人：北京爱杰光电科技有限公司
申请日： 2020-07-10 - 公布日： 2020-09-04 - 主分类号： G02B6/124 文献下载
摘要：本发明公开了一种CMOS工艺兼容的纵向光学耦合系统及其方法，应用于微电子集成技术领域，包括：衬底；隐埋氧化物层，隐埋氧化物层形成在衬底上；第一波导，第一波导形成在隐埋氧化物层上；第一波导上设置有光源器件和纵向光波导；第二光波导，第二光波导形成在激光器件和纵向光波导上；第二光波导与激光器件为绝热倒锥设置。本发明利用传统微电子领域的CMOS工艺实现高效率纵向光学耦合结构的制备，通过巧妙地设计耦合结构、波导尺寸及光栅参数等，可实现理论上90％以上的耦合效率；可实现片上光源的直接耦合将极大程度提高光芯片的集成度并降低生产成本，从而大大推进光链路的发展。
一种 cmos 工艺兼容纵向光学耦合系统及其方法

[发明专利]一种整流特性可控的二极管及其制造和操作方法-CN201510102940.6在审
发明人：孟庆宇;赵宏武;毛奇;朱科建;林伟坚 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2015-03-09 - 公布日： 2016-10-19 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明提供一种二极管，包括：第一电极和第二电极；电介质材料层，所述第一电极和第二电极之间，所述电介质材料具有双极型电致阻变效应；其中所述第一电极与所述电介质材料层呈肖特基接触，构成第一肖特基结；所述第二电极与所述电介质材料层呈肖特基接触，构成第二肖特基结，其中，所述第一肖特基结的整流方向与所述第二肖特基结的整流方向相反。本发明还提供了一种该二极管的制造方法和操作方法。本发明提供的二极管整流特性可控。
一种整流特性可控二极管及其制造操作方法