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[实用新型]一种砂轮修饰机用水循环过滤系统-CN202022713320.5有效
发明人：刘达宝;朱志勋;陈章发;肖孝军 -专利权人：成都市新西北光电有限公司
申请日： 2020-11-19 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： B01D36/04 文献下载
摘要：本申请涉及一种砂轮修饰机用水循环过滤系统，其包括用于安装在砂轮修饰机上的出水管与收集斗，所述收集斗的底端设置有过滤部，所述过滤部远离收集斗的一端上连通设置有沉淀部，所述沉淀部上连通设置有将沉淀部中的水抽出的抽水组件，所述抽水组件与所述出水管连通设置。本申请具有便于节约水资源的效果。
一种砂轮修饰水循环过滤系统

[实用新型]一种玻璃划线机-CN202022716828.0有效
发明人：刘达宝;朱志勋;陈章发;肖孝军 -专利权人：成都市新西北光电有限公司
申请日： 2020-11-21 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： C03B33/03 文献下载
摘要：本申请涉及玻璃加工技术的领域，涉及一种玻璃划线机，包括划线台，所述划线台上设有龙门架，所述划线台上设有供龙门架滑移的导轨，其特征在于：所述划线台上开设有集料槽，所述划线台上设有吹风组件，所述吹风组件的吹风方向朝向集料槽，通过所述吹风组件将玻璃碎渣吹至集料槽内；所述划线台上设有收料组件，通过所述收料组件对收集在集料槽内的玻璃碎渣进行收集，本申请具有便于对堆积在划线台上的玻璃碎渣进行清理的效果。
一种玻璃划线

[实用新型]一种对流式热处理炉-CN202022720760.3有效
发明人： 朱志勋;吴修成;肖孝军;夏小勇 -专利权人：成都市新西北光电有限公司
申请日： 2020-11-21 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： C03B32/00 文献下载
摘要：本申请涉及玻璃加工的领域，涉及一种对流式热处理炉，包括机体，所述机体内开设有加热腔，所述加加热腔内设有用于放置玻璃制品的放置组件，所述机体侧面设有单开门，所述机体侧面开设有水平的滑动槽，所述滑动槽与单开门处于同一侧面，所述滑动槽内设有安装架，所述安装架与滑动槽滑移配合，所述安装架内设有对放置在加热腔内的玻璃制品进行夹持的夹持组件本申请具有便于将热处理完毕后的玻璃制品从加热腔中取出，减少工作人员被烫伤的情况发生的效果。
一种对流热处理

[实用新型]一种带有原料循环推送机构的软化炉-CN202022713363.3有效
发明人： 朱志勋;陈洪波;夏小勇 -专利权人：成都市新西北光电有限公司
申请日： 2020-11-19 - 公布日： 2021-06-25 - 主分类号： C03B23/00 文献下载
摘要：本申请涉及一种带有原料循环推送机构的软化炉，其包括炉体、放置板以及循环架，所述炉体上设置有出料口和入料口，所述放置板设置有多块，多块所述放置板均放置在所述循环架上，所述循环架上设置有推送组件，所述推送组件用于将从出料口处移出的放置板推动到入料口处。本申请具有降低工作人员的劳动强度的效果。
一种带有原料循环推送机构软化

[发明专利]一种玻璃软化炉自动补料系统-CN202011303722.6在审
发明人： 朱志勋;刘志友;夏小勇;高伟 -专利权人：成都市新西北光电有限公司
申请日： 2020-11-19 - 公布日： 2021-02-23 - 主分类号： C03B29/00 文献下载
摘要：本申请涉及玻璃软化炉的技术领域，尤其涉及一种玻璃软化炉自动补料系统，包括软化炉本体，所述软化炉本体两端设有出料口和进料口，所述软化炉本体侧面设有环绕台，所述环绕台由出料口延伸至进料口，所述环绕台上设有用于传输模具的传动装置，所述传动装置的传动方向为出料口至进料口的方向，所述环绕台上设有补料组件，通过所述补料组件在传动装置传动模具时向模具中补料，本申请具有便于将玻璃原料装入模具中进行软化，达到提高工作效率的效果。
一种玻璃软化自动系统

[发明专利]用于透射电子显微镜的样品制备-CN201380046634.4在审
发明人：谢泳芬;朱志勋;夏普迪;葛裕逢;杨重熙;戴麟霭;陈玉菁;丁孝钧 -专利权人：财团法人卫生研究院;闳康科技（美国）股份有限公司
申请日： 2013-07-08 - 公布日： 2015-06-10 - 主分类号： B82Y35/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种TEM样品盒，其包括：(a)顶基板和底基板，所述顶基板和底基板是透明的并且基本上彼此平行；(b)第一间隔物和第二间隔物，其位于所述顶基板下方和坐落在所述底基板上，所述第二间隔物与所述第一间隔物相对，并以间距d与所述第一间隔物间隔开；(c)腔室，其在所述顶基板和底基板之间和在所述第一和第二间隔物之间形成，所述腔室具有两个向大气开放的端部，并且其特征在于具有由间隔物的厚度h所限定的高度，其中该高度比血红细胞的直径小。本发明还包括用于制备用于TEM纳米颗粒表征的干燥样品的方法，以及用于分析液体样品中的纳米颗粒的TEM图像的方法。
用于透射电子显微镜样品制备

[发明专利]光能电源装置与其制作方法-CN200710130294.X有效
发明人：陈锡杰;朱志勋 -专利权人：台湾茂矽电子股份有限公司
申请日： 2007-07-17 - 公布日： 2009-01-21 - 主分类号： H01L31/042 文献下载
摘要：一种光能电源装置与其制作方法，包括供给基板、第一发射基板、第二发射基板、第一防反射层、第一金属电极、第二金属电极、第二防反射层及第三金属电极。供给基板用以产生第一电压，第一发射基板与供给基板的第一表面相连，第二发射基板用与供给基板的第二表面相连。第一防反射层覆盖第一发射基板，第一金属电极设置于第一防反射层上并与第一发射基板融合，用以传导第一电子流。第二金属电极设置于第二发射基板上并与第二发射基板融合，用以产生第二电压。第三金属电极设置于第二金属电极上并与第二发射基板融合，用以传导第二电子流。第二防反射层设置于第二金属电极及第三金属电极之间作绝缘之用。应用本发明，达到更充分的利用光能发电效果。
光能电源装置与其制作方法

[发明专利]粘贴在牙齿上的RFID标签及使用其的系统-CN200680001986.8无效
发明人： 朱志勋;朴正绪 -专利权人：世界中心
申请日： 2006-01-10 - 公布日： 2008-04-23 - 主分类号： G06K19/00 文献下载
摘要：本发明涉及RFID(无线射频识别)，更特别地涉及一种粘贴在牙齿上的RFID标签及使用该RFID标签的系统。本发明的粘贴在牙齿上的RFID标签包括用于存储使用者信息的芯片、用于传输储存于芯片中的使用者信息的天线、用于固定芯片和天线的托架，以及粘贴在牙齿上的用于覆盖该托架的保护树脂，以便使其可以免受食物或唾液的损害。半永久的粘贴在牙齿上的RFID标签提供了一种使用者识别的有效方法。
粘贴牙齿 rfid 标签使用系统

[发明专利]栅氧化层之制备方法-CN200610001049.4有效
发明人：陈中怡;朱志勋;周志文 -专利权人：茂德科技股份有限公司
申请日： 2006-01-17 - 公布日： 2007-07-25 - 主分类号： H01L21/316 文献下载
摘要：一种栅氧化层制备方法首先形成至少两条沟槽于基板之中，这两条沟槽之间形成主动区域。之后，形成介电区块于该沟槽之中，该介电区块之上表面不对齐该基板之上表面。接着，进行掺杂工艺，将含氮掺质植入该主动区域之基板中，该主动区域中心处之基板内的含氮掺质浓度高于该主动区域边缘处。然后，进行热氧化工艺以形成栅氧化层于该主动区域之基板的上表面。通过该含氮掺质抑制热氧化反应速率，可避免该主动区域边缘处之栅氧化层厚度小于该主动区域中心处之栅氧化层厚度的情形发生。
氧化制备方法

[发明专利]半导体元件及其制造方法-CN200510084863.2有效
发明人：周志文;朱志勋 -专利权人：茂德科技股份有限公司
申请日： 2005-07-19 - 公布日： 2007-01-24 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种半导体元件，包括栅极结构、源极区、漏极区与一对介电阻挡层。栅极结构设置于基底上。源极区与漏极区分别设置于栅极结构两侧的基底中，其中在栅极结构下方、且位于在源极区与漏极区之间有通道区。一对介电阻挡层分别设置于栅极结构下方的基底中，且位于源极区与漏极区之间。介电阻挡层可以减少纳米级元件的漏极引发阻挡降低效应。
半导体元件及其制造方法

[发明专利]内嵌单层多晶硅非易失性存储器的集成电路-CN03119145.2无效
发明人：徐清祥;朱志勋;何明洲;沈士杰 -专利权人：力旺电子股份有限公司
申请日： 2003-03-14 - 公布日： 2004-09-22 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：本发明公开了一种内嵌单层多晶硅非易失性存储器的集成电路，其包括一核心电路与一内嵌单层多晶硅可擦除可编程只读存储器单元阵列的输出输入电路，其中，该存储器单元阵列包括一第一P沟道金属氧化物半导体晶体管串接一第二P沟道金属氧化物半导体晶体管。该第一与第二P沟道金属氧化物半导体晶体管皆设置于一P型衬底的N型掺杂阱中。该第一P沟道金属氧化物半导体晶体管包括一单层多晶硅浮置栅极、一第一P型掺杂漏极、与一第一P型掺杂源极；该第二P沟道金属氧化物半导体晶体管包括一单层多晶硅选择栅极与一第二P型掺杂源极，其中，该第一P沟道金属氧化物半导体晶体管的第一P型掺杂源极作为该第二P沟道金属氧化物半导体晶体管的漏极。
单层多晶非易失性存储器集成电路

[发明专利]形成电可编程只读存储器的方法-CN02160429.0有效
发明人：徐清祥;朱志勋;何明洲;沈士杰 -专利权人：力旺电子股份有限公司
申请日： 2002-12-30 - 公布日： 2004-07-14 - 主分类号： H01L21/8247 文献下载
摘要：一种形成电可编程只读存储器的方法，其包括在一N型阱上形成一第一P型掺杂区、一第二P型掺杂区及一第三P型掺杂区，于该第一P型掺杂区及该第二P型掺杂区之间形成一控制栅极，以及于该第二P型掺杂区及该第三P型掺杂区之间形成一P型浮置栅极。
形成可编程只读存储器方法

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