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[发明专利]高频器件用玻璃基板和高频器件用电路基板-CN202310258876.5在审
发明人：小野和孝;野村周平;木寺信隆;竹下畅彦 -专利权人： AGC株式会社
申请日： 2017-08-30 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： C03C3/091 文献下载
摘要：本发明的玻璃基板(2)，以氧化物基准的摩尔百分率计，在0.001～5％的范围内含有碱金属氧化物，并且碱金属氧化物中由Na2O/(Na2O+K2O)表示的摩尔比为0.01～0.99的范围，且在合计含量1～40％的范围内含有Al2O3和B2O3，并且由Al2O3/(Al2O3+B2O3)表示的摩尔比为0～0.45的范围，以SiO2为主成分。玻璃基板(2)的至少一个主表面的表面粗糙度以算术平均粗糙度Ra的值计为1.5nm以下且35GHz下的介电损耗角正切为0.007以下。
高频器件玻璃用电路基

[发明专利]高频器件用玻璃基板和高频器件用电路基板-CN202310270737.4在审
发明人：小野和孝;野村周平;木寺信隆;竹下畅彦 -专利权人： AGC株式会社
申请日： 2017-08-30 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： C03C3/089 文献下载
摘要：本发明的玻璃基板(2)，以氧化物基准的摩尔百分率计，在0.001～5％的范围内含有碱金属氧化物，并且碱金属氧化物中由Na2O/(Na2O+K2O)表示的摩尔比为0.01～0.99的范围，且在合计含量1～40％的范围内含有Al2O3和B2O3，并且由Al2O3/(Al2O3+B2O3)表示的摩尔比为0～0.45的范围，以SiO2为主成分。玻璃基板(2)的至少一个主表面的表面粗糙度以算术平均粗糙度Ra的值计为1.5nm以下且35GHz下的介电损耗角正切为0.007以下。
高频器件玻璃用电路基

[发明专利]树脂粉末、其制造方法、复合体、成形体、陶瓷成形体、金属层叠板、印刷基板以及预浸料-CN201910434395.9有效
发明人：细田朋也;西栄一;佐佐木徹;木寺信隆 -专利权人： AGC株式会社
申请日： 2015-07-31 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： C08J3/12 文献下载
摘要：本发明提供一种可通过机械性粉碎，由PFA等熔点为260～320℃的含氟共聚物为主要成分的树脂粒子来制作体积密度大的平均粒径50μm以下的树脂粉末的方法。该方法对平均粒径100μm以上的树脂粒子(A)实施机械性粉碎处理，得到平均粒径0.02～50μm的树脂粉末。树脂粒子(A)由以含氟共聚物(X1)为主要成分的材料(X)构成，含氟共聚物(X1)为具有含有选自含羰基的基团、羟基、环氧基以及异氰酸酯基的至少1种官能团的单元(1)、和基于四氟乙烯的单元(2)的熔点为260～320℃的含氟共聚物。
树脂粉末制造方法复合体成形陶瓷金属层叠印刷以及预浸料

[发明专利]含氟树脂薄膜和层叠体以及热压层叠体的制造方法-CN201880032297.6有效
发明人：细田朋也;寺田达也;山边敦美;木寺信隆;笠井涉 -专利权人： AGC株式会社
申请日： 2018-05-17 - 公布日： 2022-05-24 - 主分类号： C08J5/18 文献下载
摘要：本发明的目的在于，提供耐热性优异并且与预浸料等层叠对象物的层间粘附性优异的含氟树脂薄膜或含氟树脂层叠体、使用该薄膜或层叠体的热压层叠体的制造方法、以及印刷电路板的制造方法。一种含氟树脂薄膜，其包含熔点为260℃～380℃的含氟树脂，并且利用原子力显微镜测定所述含氟树脂薄膜的厚度方向的至少一个表面的1μm2内时的算术平均粗糙度Ra为3.0nm以上。一种层叠体1，其具有包含所述含氟树脂的层A10和由其它基材形成的层B12，并且利用原子力显微镜测定层A10的第二表面10b的1μm2内时的算术平均粗糙度Ra为3.0nm以上。
树脂薄膜层叠以及热压制造方法

[发明专利]滤波器-CN201980007434.5有效
发明人： 木寺信隆 -专利权人： AGC株式会社
申请日： 2019-01-08 - 公布日： 2021-08-10 - 主分类号： H01P1/208 文献下载
摘要：本发明的滤波器具备导波路，该导波路形成于被导体壁包围的电介质，所述导体壁具有向所述导波路的内侧突出的至少一个控制壁，所述控制壁具有在所述控制壁的突出方向上的末端部和在所述突出方向上的中心部，所述末端部具有壁厚与所述中心部不同的壁部。
滤波器

[发明专利]高频器件用玻璃基板和高频器件用电路基板-CN202011633954.8在审
发明人：小野和孝;野村周平;木寺信隆;竹下畅彦 -专利权人： AGC株式会社
申请日： 2017-08-30 - 公布日： 2021-05-07 - 主分类号： C03C3/091 文献下载
摘要：本发明的玻璃基板(2)，以氧化物基准的摩尔百分率计，在0.001～5％的范围内含有碱金属氧化物，并且碱金属氧化物中由Na2O/(Na2O+K2O)表示的摩尔比为0.01～0.99的范围，且在合计含量1～40％的范围内含有Al2O3和B2O3，并且由Al2O3/(Al2O3+B2O3)表示的摩尔比为0～0.45的范围，以SiO2为主成分。玻璃基板(2)的至少一个主表面的表面粗糙度以算术平均粗糙度Ra的值计为1.5nm以下且35GHz下的介电损耗角正切为0.007以下。
高频器件玻璃用电路基

[发明专利]配线基板的制造方法-CN201680061629.4有效
发明人：细田朋也;佐佐木徹;木寺信隆;寺田达也 -专利权人： AGC株式会社
申请日： 2016-10-20 - 公布日： 2020-12-01 - 主分类号： H05K3/42 文献下载
摘要：本发明在不进行使用金属钠的蚀刻处理的条件下，制造充分抑制了形成于由氟树脂材料构成的层的孔中的导通不良、具有优良的电特性的配线基板。本发明的配线基板1的制造方法是在依次层叠第一导体层12、和由相对介电常数为2.0～3.5的氟树脂材料构成的层(A)10、和第二导体层14、和接合层16、和由热固化性树脂的固化物构成的层(B)18而成的层叠体上形成孔20，然后在不进行使用金属钠的蚀刻处理的条件下对孔20的内壁面20a实施高锰酸溶液处理以及等离子处理的任一种或两种后，在孔20的内壁面20a形成镀覆层22。其中，该氟树脂材料含有具有特定的官能团的能够熔融成形的氟树脂(a)以及强化纤维基材。
配线基板制造方法

[发明专利]高频器件用石英玻璃及高频器件-CN201880068797.5在审
发明人： 木寺信隆;佐佐木寿弥;岩桥康臣 -专利权人： AGC株式会社
申请日： 2018-10-29 - 公布日： 2020-06-09 - 主分类号： C03C3/06 文献下载
摘要：一种高频器件用石英玻璃，OH基浓度为300wtppm以下，频率25GHz以上且30GHz以下的FQ值为90000GHz以上，在20GHz以上且100GHz以下的频带中将FQ值近似为频率的一次函数时的斜率为1000以上。高频器件使用该石英玻璃而形成。
高频器件石英玻璃

[发明专利]树脂粉末、其制造方法、复合体、成形体、陶瓷成形体的制造方法、金属层叠板、印刷基板以及预浸料-CN201580041455.0有效
发明人：细田朋也;西栄一;佐佐木徹;木寺信隆 -专利权人： AGC株式会社
申请日： 2015-07-31 - 公布日： 2019-09-20 - 主分类号： C08J3/12 文献下载
摘要：本发明提供一种可通过机械性粉碎，由PFA等熔点为260～320℃的含氟共聚物为主要成分的树脂粒子来制作体积密度大的平均粒径50μm以下的树脂粉末的方法。该方法对平均粒径100μm以上的树脂粒子(A)实施机械性粉碎处理，得到平均粒径0.02～50μm的树脂粉末。树脂粒子(A)由以含氟共聚物(X1)为主要成分的材料(X)构成，含氟共聚物(X1)为具有含有选自含羰基的基团、羟基、环氧基以及异氰酸酯基的至少1种官能团的单元(1)、和基于四氟乙烯的单元(2)的熔点为260～320℃的含氟共聚物。
树脂粉末制造方法复合体成形陶瓷金属层叠印刷以及预浸料

[发明专利]高频器件用玻璃基板和高频器件用电路基板-CN201780056271.0在审
发明人：小野和孝;野村周平;木寺信隆;竹下畅彦 -专利权人： AGC株式会社
申请日： 2017-08-30 - 公布日： 2019-05-03 - 主分类号： C03C4/16 文献下载
摘要：本发明的玻璃基板(2)，以氧化物基准的摩尔百分率计，在0.001～5％的范围内含有碱金属氧化物，并且碱金属氧化物中由Na₂O/(Na₂O+K₂O)表示的摩尔比为0.01～0.99的范围，且在合计含量1～40％的范围内含有Al₂O₃和B₂O₃，并且由Al₂O₃/(Al₂O₃+B₂O₃)表示的摩尔比为0～0.45的范围，以SiO₂为主成分。玻璃基板(2)的至少一个主表面的表面粗糙度以算术平均粗糙度Ra的值计为1.5nm以下且35GHz下的介电损耗角正切为0.007以下。
玻璃基板碱金属氧化物高频器件摩尔比介电损耗角正切算术平均粗糙度表面粗糙度摩尔百分率氧化物基准主表面路基

[发明专利]配线基板的制造方法-CN201680061697.0在审
发明人：细田朋也;佐佐木徹;木寺信隆;寺田达也 -专利权人：旭硝子株式会社
申请日： 2016-10-20 - 公布日： 2018-06-08 - 主分类号： H05K3/42 文献下载
摘要：本发明提供即使不进行使用金属钠的蚀刻处理，也可制造充分抑制形成于电绝缘体层的孔中的导通不良、且电绝缘体层中即使不含有由强化纤维构成的织布或无纺布也可抑制翘曲等无法预期的变形的配线基板。配线基板1的制造方法是在具备包括第一导体层12和特定的氟树脂层(A)16以及耐热性树脂层(B)18、不含有强化纤维基材、相对介电常数为2.0～3.5、线膨胀系数为0～35ppm/℃的电绝缘体层10，和第二导体层14的层叠体上形成孔20，在不进行使用金属钠的蚀刻处理的条件下，对孔20的内壁面20a实施高锰酸溶液处理以及等离子处理的任一种或两种后，在孔20的内壁面20a上形成镀覆层22。
电绝缘体层配线基板蚀刻处理金属钠内壁面制造耐热性树脂层强化纤维基材相对介电常数等离子处理第二导体层第一导体层线膨胀系数氟树脂层强化纤维溶液处理变形的层叠体镀覆层高锰酸无纺布预期的导通对孔翘曲织布

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