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[发明专利]半导体元件试验装置以及半导体元件的试验方法-CN202080040749.2在审
发明人：阪田茂男;梶西孝博;木原诚一郎;高原博司 -专利权人：阔智有限公司
申请日： 2020-05-25 - 公布日： 2022-01-14 - 主分类号： H02M1/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种试验装置，利用隔墙(214)将配置晶体管(117)的空间和配置用于试验的驱动电路的空间分离。驱动电路具有多个开关电路基板(201)，在开关电路基板(201)安装有用于连接的导体板(204)。在进行试验的晶体管(117)的集电极c端子连接有叉形插头(205e)，在发射极e端子连接有叉形插头(205c)。通过将叉形插头(205)插入设置于隔墙(214)的开口部(216)而将叉形插头(205)与导体板(204)连接。通过变更插入叉形插头(205)的开口部(216)位置，能够进行与对应于试验项目的驱动电路的连接变更。
半导体元件试验装置以及试验方法

[发明专利]复合型半导体装置-CN201680045947.1有效
发明人： 木原诚一郎 -专利权人：罗姆股份有限公司
申请日： 2016-03-31 - 公布日： 2021-11-26 - 主分类号： H01L21/8236 文献下载
摘要：提供一种抑制了布线面积的增大的同时，改善了应答性能及可靠性的复合型半导体装置。指状电极1配置成多行多列，经由栅极端子(3)输入的信号，从与指状电极1中、同一行或相邻的两行的指状电极1的各个栅极电极(G)连接且沿上述行形成的栅极布线(18)的上述行方向上的中间区域被供给。
复合型半导体装置

[发明专利]导电膏、电极连接结构及电极连接结构的制造方法-CN201780026376.1有效
发明人：佐藤知稔;佐藤浩哉;菅沼克昭;末武爱士;长尾至成;酒金婷;木原诚一郎 -专利权人：夏普株式会社;国立大学法人大阪大学
申请日： 2017-04-28 - 公布日： 2020-06-09 - 主分类号： H01B1/20 文献下载
摘要：获得如自立在基板上的突起电极这样的电极。导电膏(202)含有导电粉末和醇类液体成分，而不含粘接剂，所述导电粉末含有导电粒子，所述导电粒子的厚度为0.05μm以上0.1μm以下，相对于该厚度方向而垂直相交的面内的最大跨度即代表长度为5μm以上10μm以下，所述醇类液体成分相对于所述导电膏的重量比为8％以上20％以下。
导电电极连接结构制造方法

[发明专利]驱动电路-CN201580028111.6有效
发明人： 木原诚一郎 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2015-02-17 - 公布日： 2019-07-23 - 主分类号： H03K17/16 文献下载
摘要：本发明的驱动电路包括通常型晶体管(Q1、Q2)、控制晶体管(Q1、Q2)的控制电路(1、2)、连接于控制电路(1)的电源节点(1c、1d)间的电容器(4)、连接于控制电路(2)的电源节点(2c、2d)间的电源(7)、连接于电源节点(1d、2d)间的MOSFET(16)、在输出电压VO为约0V时使MOSFET(16)导通的控制电路(3)和起动电路，该起动电路包含与电容器(4)并联连接的齐纳二极管(20)，即使MOSFET(16)截止也能够通过齐纳电压对电容器(4)充电。
驱动电路

[发明专利]半导体装置及复合型半导体装置-CN201680021582.9在审
发明人： 木原诚一郎 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2016-02-16 - 公布日： 2018-01-26 - 主分类号： H01L21/822 文献下载
摘要：提供改善响应性能的横向型场效应晶体管。在横向型场效应晶体管(20)中，相较于齐纳二极管(5)，区块(17)配置成接近栅极端子(7)。
半导体装置复合型

[发明专利]电平移位电路-CN201480011179.9有效
发明人： 木原诚一郎 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2014-02-27 - 公布日： 2017-07-18 - 主分类号： H03K19/0185 文献下载
摘要：本发明提供一种由噪声引起的误动作的可能性低的高可靠性的电平移位电路。电平移位电路(1)包括反相输入信号和同相输入信号分别输入控制端子的第一电流控制元件和第二电流控制元件(12a、12b)；一端与高压侧电源端子(Vb)连接，另一端与第一电流控制元件和第二电流控制元件(12a、12b)各自的第一端子连接的第一负载电路和第二负载电路(13a、13b)；一对差分输入端子(Np、Nn)分别与第一电流控制元件和第二电流控制元件(12a、12b)各自的第一端子连接的比较器(14)；第一电流输出端子和第二电流输出端子(Na、Nb)与第一电流控制元件和第二电流控制元件(12a、12b)各自的第二端子连接，分别产生分别流入第一电流控制元件和第二电流控制元件(12a、12b)的电流的电流产生电路(3)；和与第一电流输出端子和第二电流输出端子(Na、Nb)分别连接或者与第一电流输出端子和第二电流输出端子(Na、Nb)一并连接，抑制第一电流输出端子和第二电流输出端子(Na、Nb)各自的电压上升的电压抑制电路(15a、15b)。
电平移位电路

[发明专利]驱动器电路-CN201280067187.6有效
发明人： 木原诚一郎;仲岛明生 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2012-12-17 - 公布日： 2014-09-24 - 主分类号： H02M1/08 文献下载
摘要：驱动器电路包括：常导通型的第1以及第2晶体管(Q1，Q2)；第1控制电路(1)，响应于第1控制信号()而控制第1晶体管(Q1)；第2控制电路(2)，响应于第2控制信号()而控制第2晶体管(Q2)；电容器(4)，连接在第1控制电路(1)的第1以及第2电源节点(1c，1d)之间；电源(7)，连接在第2控制电路(2)的第3以及第4电源节点(2c，2d)之间；开关元件(5)，连接在第1以及第4电源节点(1d，2d)之间；以及第3控制电路(3)，在输出电压(VO)成为大约0V时使开关元件(5)导通。
驱动器电路

[发明专利]电平移位电路-CN201280047567.3有效
发明人： 木原诚一郎;内海俊一 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2012-07-27 - 公布日： 2014-06-04 - 主分类号： H03K19/0185 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于噪声的误动作的可能性低，并能低功率动作的电平移位电路。电平移位电路（1）具备：分别将与输入信号Sin同相及反相的信号作为栅极输入的第1及第2MOSFET（12a、12b）；一端与移位电平电源端相连接，另一端分别与第1及第2MOSFET的各漏极相连接的第1及第2电阻元件（13a、13b），所述移位电平电源端供给电平移位后的输出信号的高电平侧的输出电压；1对差分输入端分别连接到第1及第2MOSFET的各漏极的比较器（14）；以及与输入信号的信号电平的上升及下降分别同步来控制经由第1电阻元件流过第1MOSFET的第1电流的电流量和经由第2电阻元件流过第2MOSFET的第2电流的电流量的电流控制电路（16）。
电平移位电路

[发明专利]驱动电路及逆变器电路-CN201180053414.5有效
发明人： 木原诚一郎 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2011-09-26 - 公布日： 2013-07-03 - 主分类号： H02M7/537 文献下载
摘要：本发明利用常导通型的开关元件来构成半桥电路，并防止用作驱动电路或者逆变器电路时的桥臂短路，从而提供一种安全的电路。该电路是在输入输出端子对的一端与高压侧的第一电源电压(V1)相连的第一开关元件(14)与第二开关元件(15)进行串联连接的半桥电路中、在第二开关元件(15)与低压侧的第二电源电压(V2)之间插入了常截止型的第三开关元件(16)后的驱动电路，当由控制电路用电源(13a、13b)所提供的工作电压(VH)或(VL)不足以使控制电路（11）进行动作时，第三开关元件(16)截止。
驱动电路逆变器

[发明专利]驱动电路-CN201180050148.0有效
发明人： 木原诚一郎;仲嶋明生 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2011-07-25 - 公布日： 2013-06-19 - 主分类号： H03K17/06 文献下载
摘要：本发明实现一种能在不另外设置绝缘电源的情况下向高压侧电路提供负栅极电压的栅极驱动电路。在第一晶体管(21)与第二晶体管进行串联连接的半桥电路中，驱动电路(1)包括：电容器(13)，该电容器(13)用于经由第一控制电路(11)将负栅极电压提供给高压侧的第一晶体管(21)；以及控制电路电源(14)，该控制电路电源(14)用于经由第二控制电路(12)将负栅极电压提供给低压侧的第二晶体管(22)，电容器(13)的一端经由开关元件(30)与控制电路电源(14)的-端子侧的负电压VEE相连接，另一端与输出端子(4)的电压相连接；对开关元件(30)进行控制，使其在第二晶体管(22)变为导通状态的时刻下导通。
驱动电路

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