本发明提供一种找出电阻式随机存取存储器(resistive random access memory，RRAM)的最佳操作条件的方法，包括：取得RRAM芯片，并依据第一操作条件对RRAM芯片进行成型操作及初始重置操作；将RRAM芯片区分为多个区块；基于多个操作电压对前述区块个别进行设定操作；取得各区块中的错误位元值；依据各区块中的错误位元值及前述操作电压产生关联于RRAM芯片的操作特性曲线，其中操作特性曲线具有最低错误位元值及操作电压区间；以及当最低错误位元值符合第一条件且操作电压区间符合第二条件时，判定前述第一操作条件为RRAM芯片的最佳操作条件。
