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[实用新型]单晶炉反射装置-CN201920242761.6有效
发明人：邹凯;和江变;曾世铭 -专利权人：包头市山晟新能源有限责任公司
申请日： 2019-02-26 - 公布日： 2019-11-15 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本公开提出一种单晶炉反射装置，单晶炉反射装置设于单晶炉的底部，反射装置包括第一反射板、第二反射板、保温材料及反射片。第二反射板设于第一反射板之下，第一反射板与第二反射板之间通过保温材料进行填充，反射片设于第一反射板之上。反射片提高了单晶炉反射装置的反射热量能力，保温材料填充于第一反射板与第二反射板之间，可以有效避免保温材料吸附单晶炉内的高温挥发物，从而解决了保温材料的难清理及二次污染的问题，并且也有效减缓了保温材料的老化，延长了其使用寿命。
反射板保温材料单晶炉反射装置反射片填充高温挥发物二次污染使用寿命吸附反射老化

[实用新型]加热装置-CN201920242076.3有效
发明人：邹凯;和江变;曾世铭 -专利权人：包头市山晟新能源有限责任公司
申请日： 2019-02-26 - 公布日： 2019-11-15 - 主分类号： C30B15/14 文献下载
摘要：本公开提出一种加热装置，包括第一加热板、第二加热板及两个连接件。第一加热板包括两块第一连接板及第一加热条，两块第一连接板间隔设置，第一加热条的两端分别连接于两块第一连接板，第二加热板相间隔且相平行地设于第一加热板上方，包括两块第二连接板及第二加热条，两块第二连接板间隔设置，且与两块第一连接板的位置分别对应，第二加热条的两端分别连接于两块第二连接板；两个连接件，每个连接件分别可拆装地连接于其中一块第一连接板与其中一块第二连接板之间，加热装置为双层加热板连接构成，从而使加热装置的热量反射性能增强、热量利用率提高、功耗变低。
连接板加热板加热条加热装置连接件间隔设置热量利用率双层加热板热量反射性能增强地连接可拆装功耗平行

[实用新型]水冷装置及单晶硅生长炉-CN201820384023.0有效
发明人：陈家骏;邹凯;曾世铭;徐由兵;田栋东 -专利权人：包头市山晟新能源有限责任公司
申请日： 2018-03-20 - 公布日： 2018-11-02 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本实用新型提出一种水冷装置及单晶硅生长炉。本实用新型的水冷装置用于单晶硅生长炉，包括法兰盘、管道、内导流筒、外导流筒和导流筒夹层。法兰盘，设于炉体顶部，炉盖设于所述法兰盘上，法兰盘设有能与外界连通的进水口和出水口。管道设于炉内并沿竖直方向呈环状，以形成供单晶硅棒伸入的水套，管道的一端与进水口连通，另一端与出水口连通。内导流筒设于水套外部，内导流筒外部还设有外导流筒，内导流筒与外导流筒形成导流筒夹层。使用本实用新型的水冷装置，能提高单晶硅的生长速度，提高产量。
内导流筒水冷装置法兰盘单晶硅生长炉本实用新型外导流筒出水口导流筒进水口夹层水套连通单晶硅单晶硅棒炉体顶部外界连通外部炉盖炉内伸入竖直生长

[实用新型]单晶硅生长装置及导流筒-CN201820391580.5有效
发明人：陈家骏;邹凯;曾世铭;徐由兵;田栋东 -专利权人：包头市山晟新能源有限责任公司
申请日： 2018-03-21 - 公布日： 2018-10-30 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本实用新型提出一种单晶硅生长装置及导流筒。本实用新型的导流筒包括外筒体、内筒体和锥筒。内筒体设于外筒体内。锥筒设于内筒体内，锥筒侧壁的内表面具有凸起和/或凹槽，且锥筒的传热系数均大于内筒体的传热系数。
锥筒导流筒内筒体单晶硅生长装置本实用新型传热系数体内内表面外筒体侧壁内筒凸起外筒

[实用新型]单晶硅棒夹持装置-CN201721790825.3有效
发明人：邹凯;曾世铭;陈家骏;陈文波;徐由兵;田栋东 -专利权人：包头市山晟新能源有限责任公司
申请日： 2017-12-19 - 公布日： 2018-09-25 - 主分类号： B28D5/00 文献下载
摘要：本实用新型提出一种单晶硅棒夹持装置，包括基座和多个夹持组件。基座能设于一工作台上。多个夹持组件设于基座并沿第一方向排列，每个夹持组件包括螺杆、第一夹块和第二夹块，螺杆垂直于第一方向且具有旋向相反的第一螺纹段和第二螺纹段，第一夹块和第二夹块滑动配合于基座且分别与第一螺纹段和第二螺纹段螺纹连接，并能在螺杆转动时相向或背向移动。
螺纹段夹块夹持组件单晶硅棒夹持装置螺杆本实用新型背向移动方向排列滑动配合螺杆转动螺纹连接旋向相反相向垂直

[实用新型]水冷装置及单晶硅生长炉-CN201721859989.7有效
发明人：陈家骏;邹凯;曾世铭;徐由兵;田栋东 -专利权人：包头市山晟新能源有限责任公司
申请日： 2017-12-26 - 公布日： 2018-09-18 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本实用新型提出一种水冷装置及单晶硅生长炉。本实用新型的水冷装置用于单晶硅生长炉，包括法兰盘和第一管道。法兰盘设于炉体顶部，炉盖设于法兰盘上，法兰盘设有能与外界连通的第一进水口和第一出水口。第一管道设于炉体内并沿竖直方向往复螺旋盘绕，以形成包括内层管路和外层管路的第一水套，第一管道的一端与第一进水口连通，另一端与第一出水口连通。使用本实用新型的水冷装置，能提高单晶硅的生长速度，提高产量。
水冷装置法兰盘单晶硅生长炉本实用新型第一管道出水口进水口连通单晶硅炉体顶部螺旋盘绕外层管路外界连通炉盖内层竖直水套体内生长

[实用新型]单晶炉导流筒-CN201721674397.8有效
发明人：陈家骏;邹凯;曾世铭;徐由兵 -专利权人：包头市山晟新能源有限责任公司
申请日： 2017-12-05 - 公布日： 2018-09-04 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本实用新型提出一种单晶炉导流筒。本实用新型的单晶炉导流筒具有上端口和下端口，且该单晶炉导流筒包括外筒体、内筒体、外锥筒和内锥筒。内筒体设于外筒体内。外锥筒设于内筒体内。内锥筒设于外锥筒内，并与外锥筒间形成有连通上端口和下端口的气流通道，且内锥筒和外锥筒的传热系数均大于内筒体和外筒体的传热系数。
外锥筒单晶炉导流筒内筒体内锥筒本实用新型传热系数上端口外筒体下端口体内气流通道内筒外筒连通

[实用新型]用于石墨纸的冲压装置-CN201621018254.7有效
发明人：徐由兵;曾世铭;邹凯;陈家俊;李英涛;田栋东 -专利权人：包头市山晟新能源有限责任公司
申请日： 2016-08-31 - 公布日： 2017-03-15 - 主分类号： B26F1/44 文献下载
摘要：本实用新型公开一种用于石墨纸的冲压装置，该冲压装置包括第一冲压件、第二冲压件以及退料装置；第一冲压件包括第一侧面，第一侧面上设置有冲压刀刃，第一冲压件上设置有通孔，通孔的延伸方向与冲压刀刃的延伸方向相同；第二冲压件包括第二侧面，第二侧面与第一侧面相对；退料装置包括基部和突出部，基部设置于第一冲压件的远离第二冲压件的一侧，突出部由基部向第二冲压件延伸，沿延伸方向，突出部在通孔内移动；其中，第一冲压件相对第二冲压件运动，第一冲压件与第二冲压件的相对运动方向与冲压刀刃的延伸方向平行。使用该冲压装置剪切石墨纸形成的垫圈具有较高的质量，例如不带有毛刺，而且垫圈的结构完整。
用于石墨冲压装置

[发明专利]一种N型单晶硅生长用籽晶的制备方法-CN201610721226.X在审
发明人：邹凯;曾世铭;陈家俊;徐由兵;李英涛;田栋东 -专利权人：包头市山晟新能源有限责任公司
申请日： 2016-08-24 - 公布日： 2016-12-14 - 主分类号： C30B15/36 文献下载
摘要：本发明提供了一种N型单晶硅生长用籽晶的制备方法，包括以N型单晶硅棒拉晶过程中产生的晶棒废料为原料制备所述籽晶。本发明以单晶硅棒被切除的尾部废料为原料制备籽晶，不仅可以提高原料的有效利用率，并且降低了生产成本。
一种单晶硅生长籽晶制备方法

[实用新型]一种增加单晶炉投料量的导流筒-CN201520564085.6有效
发明人：邹凯;贾瑞峰;高兆伍;徐由兵;曾世铭 -专利权人：包头市山晟新能源有限责任公司
申请日： 2015-07-30 - 公布日： 2016-01-20 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种增加单晶炉投料量的导流筒，包括上部导流筒和设置于所述上部导流筒内的下部导流筒，在所述上部导流筒内开设有上部通孔，所述下部导流筒自所述上部通孔的下端口伸出所述上部导流筒，所述下部导流筒能够在所述上部通孔内沿所述上部通孔的轴线方向移动；所述上部导流筒包括环绕所述上部通孔的上部筒体，所述上部筒体具有上部空腔；在所述下部导流筒内开设有下部通孔，所述下部导流筒包括环绕所述下部通孔的下部筒体，所述下部筒体具有下部空腔；在所述上部空腔和所述下部空腔内均填充有隔热层。本实用新型的导流筒，将原有的单导流筒结构设计成分级结构，增加了单晶炉投料量，延长了导流筒的使用寿命，降低了使用成本。
一种增加单晶炉投料导流

[实用新型]一种用于单晶硅生长的二次加料器-CN201520570127.7有效
发明人：邹凯;陈家骏;刘小明;李英涛;高一凡;曾世铭;倪海江;王起发 -专利权人：包头市山晟新能源有限责任公司
申请日： 2015-07-31 - 公布日： 2015-12-09 - 主分类号： C30B15/02 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种用于单晶硅生长的二次加料器，包括筒体、上部定位保持架、拉杆以及锥台，当二次加料器进行加料时，作用拉杆带动锥台向下移动，锥台与筒体之间形成空隙可进行加料。本实用新型的二次加料器可以安全可靠的实现单晶炉的二次投料，加料器结构简单、方便制造、成本低廉，加料器的运行更加安全，可避免对单晶炉造成安全隐患，还可以使原料投放更集中，有效避免了二次加料过程中原料及熔硅的飞溅，而且还能避免现有加料器易产生的二次金属污染问题。将本实用新型的二次加料器应用于单晶硅生产中，可提高产量、降低能耗、提高产品品质。
一种用于单晶硅生长二次料器

[实用新型]上排气热场单晶炉-CN201520596641.8有效
发明人：徐由兵;曾世铭;高一凡;李英涛;贾瑞峰;邹凯;高兆伍;刘小明;陈家俊 -专利权人：包头市山晟新能源有限责任公司
申请日： 2015-08-07 - 公布日： 2015-12-09 - 主分类号： C30B15/14 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种上排气热场单晶炉，所述上排气热场单晶炉包括主炉室、导流筒、石英坩埚、上保温筒和抽空口，所述上保温筒上开设有多个在所述上保温筒的圆周上均匀分布的孔口，经所述孔口形成所述上排气热场单晶炉的上排气通道，所述上排气通道经所述导流筒、所述石英坩埚内的液面、向上经过所述孔口、向下经过所述主炉室的内壁至所述抽空口。本实用新型可提高硅单晶的成品率并降低生产成本。
排气热场单晶炉

[发明专利]硅单晶拉制方法-CN201510417457.7在审
发明人：李英涛;徐由兵;贾瑞峰;邹凯;高一凡;曾世铭 -专利权人：包头市山晟新能源有限责任公司
申请日： 2015-07-15 - 公布日： 2015-11-18 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：一种硅单晶拉制方法包括如下步骤：全熔稳定，将坩埚内的硅料熔化，待所述硅料完全熔化后将功率降至引晶功率；然后将所述坩锅转开至引晶转速稳定熔体；引晶，高温熔接，采用Dash缩颈排除位错法引晶；放肩；转肩；等径，手动控制晶体等径生长至所需长度，待直径控制均匀、拉速稳定后自动控制所述晶体生长；收尾；以及停炉。采用本发明的方法拉制的硅单晶，单晶头部空位团明显减少，头部氧含量也较现有方法制备的单晶低，采用本发明的方法拉制硅单晶制备的电池不会出现黑心片问题。
硅单晶拉制方法

[发明专利]一种用于单晶炉的停炉冷却方法-CN201410436075.4无效
发明人： 曾世铭;高一凡;刘立中;高兆伍 -专利权人：江苏拜尔特光电设备有限公司
申请日： 2014-08-29 - 公布日： 2014-12-17 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于单晶炉的停炉冷却方法，该停炉冷却方法的步骤如下：1）在单晶炉拉制单晶结束后，首先停止加热系统供电；2）接着继续通0.5～3小时的氩气并运行真空泵以冷却单晶硅棒；3）关闭真空大阀，将氩气压力充到-0.025MPa后停止通入氩气并关闭真空泵，保压继续冷却2～4.5小时后即可拆炉。本发明通过缩短氩气通入时间、抽真空时间和保压冷却的方式，使得晶棒出炉平均温度和停炉后加热器平均温度比传统方法分别低约80℃和50ºC，制得的单晶硅棒无发脆、隐裂现象，经切片工序加工后无应力硅片，故保证了单晶硅棒的质量并提高了拆炉时的安全性，节约了氩气、电耗并延长真空泵的寿命，操作简单并易于推广应用。
一种用于单晶炉冷却方法

[发明专利]一种用水淬法粉碎制备母合金的方法-CN201310296739.7无效
发明人：杨超;刘立中;徐由兵;李英涛;傅亮;曾世铭 -专利权人：江西旭阳雷迪高科技股份有限公司
申请日： 2013-07-16 - 公布日： 2013-10-23 - 主分类号： C30B33/02 文献下载
摘要：一种用水淬法粉碎制备母合金的方法，步骤包括，选取一台单晶炉，放入一个石英坩埚，关闭炉子进行抽空，通电加热，在石英坩埚内壁温度达到750～800℃，再放入装有母合金硅块的筐；将25-30公斤20mm厚的含硼的硅块装入淬火筐中，将筐吊入炉内，置于石英坩埚中，筐底部接近坩埚埚底。加热半小时后，含硼硅块温度接近650℃；将淬火筐快速升起，旋开单晶拉制炉的副炉室，下降筐，待筐的上沿下降至离开副室筒后，将筐抬起与挂钩分离，直接快速沉入冷水槽中，同时将另一装有含硼硅块淬火筐置入炉内加热。解决了破碎难的问题。具有节约原料、降低成本、减轻劳动强度的特点。
一种用水淬法粉碎制备合金方法

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