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[发明专利]氧化孔生成方法及垂直腔面发射激光器-CN202111071933.6有效
发明人：郭海侠;李加伟;曼玉选;赖明智 -专利权人：苏州长瑞光电有限公司
申请日： 2021-09-14 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：本发明公开了一种氧化孔生成方法，用于在垂直腔面发射激光器制备过程中，对主动区平台进行氧化处理以在所述主动区平台内的氧化限制层中间形成氧化孔；所述氧化处理的具体方法如下：先使用氧等离子体对主动区平台的侧壁进行干法氧化，在所述氧化限制层外缘生成一圈疏松多孔结构；然后经由所述疏松多孔结构对主动区平台的侧壁进行湿法氧化，在氧化限制层中间形成所期望的氧化孔。本发明还公开了一种垂直腔面发射激光器。相比现有技术，本发明可在垂直腔面发射激光器制备过程中对氧化限制层的氧化进程进行更为精准的控制，同时有效减少氧化层及GaAs界面的分离或开裂现象。
氧化生成方法垂直发射激光器

[发明专利]垂直腔面发射激光器制备方法及垂直腔面发射激光器-CN202111071919.6有效
发明人： 曼玉选;赖铭智;郭海侠 -专利权人：苏州长瑞光电有限公司
申请日： 2021-09-14 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：本发明公开了一种垂直腔面发射激光器制备方法，包括：对柱状主动区平台进行氧化处理以形成氧化孔的步骤，具体如下：第一次湿法氧化，在柱状主动区平台内的氧化限制层中间形成孔径尺寸大于目标孔径尺寸的第一氧化孔，然后去除氧化限制层最外圈的一圈氧化铝；第二次湿法氧化，在柱状主动区平台内的氧化限制层中间形成孔径尺寸小于第一氧化孔但大于目标孔径尺寸的第二氧化孔，然后去除氧化限制层最外圈的一圈氧化铝；依此类推，直到第N次湿法氧化后，形成孔径尺寸等于目标孔径尺寸的氧化孔，N为大于等于2的整数。本发明还公开了一种垂直腔面发射激光器。本发明可消除氧化限制层在氧化过程中出现开裂或者鼓裂的现象，从而有效提高器件可靠性。
垂直发射激光器制备方法

[发明专利]锥形半导体激光器及其制作方法-CN202110045443.2在审
发明人： 曼玉选;仲莉;马骁宇;刘素平;井红旗 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2021-01-13 - 公布日： 2022-07-19 - 主分类号： H01S5/20 文献下载
摘要：本发明提供了一种锥形半导体激光器，包括：衬底；依次覆盖于衬底表面的N型限制层、N型波导层、有源层、P型波导层和P型刻蚀阻挡层；N型反型层，覆盖于P型刻蚀阻挡层表面，N型反型层中间开设有凹陷且使P型刻蚀阻挡层暴露的脊形单模区和锥形放大区，锥形放大区与脊形单模区相连且沿背离脊形单模区方向的宽度逐渐增大；P型限制层，覆盖于N型反型层表面，P型限制层上靠近N型反型层一侧设有与N型反型层的凹陷侧面和凹陷底面匹配的脊形凸台结构；欧姆接触层，覆盖于P型限制层表面；P面电极和N面电极。本发明还提供了该锥形半导体激光器的制作方法。本发明可明显减少光刻和刻蚀工艺次数，提高器件的性能。
锥形半导体激光器及其制作方法

[发明专利]电镀夹具-CN201810319112.1在审
发明人：刘素平;曼玉选;王鑫;李伟;马骁宇 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2018-04-10 - 公布日： 2019-10-22 - 主分类号： C25D17/08 文献下载
摘要：本公开提供了一种电镀夹具，包括：前盖和后盖；其中，所述前盖包括：顶侧、周侧、底侧及贯通开口；在所述前盖的周侧上沿所述前盖厚度方向依次设有第一固定凹槽和第二固定凹槽，所述第一固定凹槽、第二固定凹槽及贯通开口从所述前盖顶侧延伸至底侧，所述第一固定凹槽用于容纳所述夹具的夹持对象，所述第二固定凹槽用于容纳金属电极。本公开电镀夹具，可以支持多种尺寸和形状的晶圆，解决了半导体晶圆夹持的一致性问题，保证了镀层金属的均匀性，提高了半导体晶圆电镀的装配效率。
固定凹槽前盖电镀夹具半导体晶圆贯通开口顶侧夹持夹具容纳一致性问题镀层金属金属电极装配效率后盖电镀均匀性晶圆延伸保证

[发明专利]半导体器件芯片结构及其制备方法-CN201810212303.8在审
发明人： 曼玉选;祁琼;彭岩;刘素平;马骁宇 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2018-03-14 - 公布日： 2019-09-24 - 主分类号： H01S5/22 文献下载
摘要：本公开提供了一种半导体器件芯片结构及其制备方法，其中，所述半导体器件芯片结构的制备方法，包括以下步骤：在半导体外延片上形成光刻胶掩膜，并通过曝光后显影形成周期性结构；刻蚀去除无光刻胶掩蔽区域的部分外延层，在半导体外延片上形成脊形台面结构；在形成有脊形台面结构的所述半导体外延片的表面上沉积电绝缘介质层；去除所述脊形台面上的电绝缘介质，制作出电流注入窗口；以及在半导体外延片上形成P型电极和N型电极，由此完成半导体器件芯片结构的制备。本公开半导体器件芯片结构及其制备方法，在确保器件性能良好的前提下，简化了半导体器件的制备流程，提高了制备时效。
制备半导体器件芯片半导体外延片脊形台面去除电绝缘介质层半导体器件电绝缘介质光刻胶掩膜周期性结构器件性能掩蔽区域注入窗口外延层脊形刻蚀无光显影沉积曝光