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[实用新型]一种预防铝电解槽打壳锤头结壳的装置-CN201220366207.7有效
发明人：焦庆国;曹永峰;杨文杰;史志荣 -专利权人：中国铝业股份有限公司
申请日： 2012-07-27 - 公布日： 2013-02-13 - 主分类号： C25C3/14 文献下载
摘要：一种预防铝电解槽打壳锤头结壳的装置，涉及一种铝电解槽打壳装置的结构改进。其结构包括打壳气缸、打壳锤头和电解槽外围烟气集气罩；其特征在于在电解槽外围烟气集气罩与打壳锤头侧壁间设置弹簧钢片，该弹簧钢片一端固定在电解槽外围烟气集气罩下端，另一端延伸至打壳锤头的外壁侧表面处。本实用新型的装置结构简单，成本较低，能有效起到预防和解决打壳锤头结壳的生产难题，保证氧化铝顺利投入到铝电解槽内，使电解槽平稳高效运行。
一种预防电解槽锤头装置

[实用新型]一种铝电解槽效应检测报警装置-CN201220366311.6有效
发明人：刘彤;曹永峰 -专利权人：中国铝业股份有限公司
申请日： 2012-07-27 - 公布日： 2013-02-13 - 主分类号： C25C3/20 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种铝电解槽发生效应时的检测报警装置，它主要由恒流源、比较器及放大器组成；其中恒流源由二极管，恒流管，电阻及三极管组成；比较器由电阻，可调电位器，稳压二极管，电压比较器组成；放大器由电阻，三极管及声光报警器组成。本实用新型不需配电电源即能正常工作，能在铝电解槽发生效应时，及时检测并报警。本实用新型设计简单，维护容易，工作稳定可靠。
一种电解槽效应检测报警装置

[发明专利]高速电流模式逻辑到互补金属氧化物半导体信号转换电路-CN201110322330.9有效
发明人： 曹永峰 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2011-10-21 - 公布日： 2013-02-06 - 主分类号： H03M9/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种高速电流模式逻辑到互补金属氧化物半导体信号转换电路，包括：第一差分单元，第二差分单元和输出单元，其中，设有一电阻与第一反相器并联。第一差分管M1和第二差分管M2为NMOS管，第三差分管M3和第四差分管M4为PMOS管。本发明提供的CML到CMOS转换电路较传统电路将延时时间从64ps提高到了34ps，提高了将近一倍，这样为高速并转串电路提供了更多的时钟延时冗余度。
高速电流模式逻辑互补金属氧化物半导体信号转换电路

[实用新型]基于光纤和无线自组网的输电线路监测系统-CN201220166588.4有效
发明人：孙毅;张亚东;毕建军;曹永峰;林轩竹;肖学东;龚钢军;赵希奎;刘培强;陆俊 -专利权人：华北电力大学;黑龙江省电力有限公司通信自动化中心
申请日： 2012-04-18 - 公布日： 2012-12-12 - 主分类号： G08C23/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了高压输电线路监测技术领域中的一种基于光纤和无线自组网的输电线路监测系统。包括两个与光缆相连接的网络边缘设备和至少一个网络中继设备；网络边缘设备包括安装金具、通信基站和应用设备；安装金具包括终端支撑式光纤接头盒和模块安装挂柜，通信基站包括第一取电模块、第一无线通信模块和光通信模块；应用设备包括第二取电模块、第二无线通信模块和信息采集终端；网络中继设备包括安装金具、通信基站和应用设备；安装金具包括模块安装挂柜，通信基站包括第一取电模块和第一无线通信模块；应用设备包括第二取电模块、第二无线通信模块和信息采集终端。本实用新型解决了输电线路上信息采集传输的问题，并提升了整个系统的稳定性。
基于光纤无线组网输电线路监测系统

[发明专利]一种有效判定铜扩散阻挡层阻挡能力的方法-CN201210259216.0有效
发明人： 曹永峰 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2012-07-25 - 公布日： 2012-11-07 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供的一种有效判定铜扩散阻挡层阻挡能力的方法，包括以下步骤：在半导体器件介质层上形成接触孔和金属层所需的沟槽结构；沉淀阻挡层并在沟槽结构中淀积铜形成金氧半场效晶体管；步骤6，通过测量器件的电学特性是否符合预定标准，如是，阻挡层具有阻挡能力；如否，重新进行步骤4至6。本发明的方法比现有的方法更加有效的监控判定和评估。并能准确的对扩散阻挡层的质量和厚度进行有效的评估，从而对于Cu工艺的等比例缩小提供准确的数据。
一种有效判定扩散阻挡能力方法

[发明专利]一种改善Ge沟道器件CV回滞性和衬底界面态的集成方法-CN201210167970.1无效
发明人： 曹永峰 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2012-05-28 - 公布日： 2012-10-10 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：本发明提供一种改善Ge沟道器件CV回滞性和衬底界面态的集成方法，在Ge沟道器件集成过程中还包括后金属退火处理，所述后金属退火处理在完成高介电常数材料层淀积后进行。
一种改善 ge 沟道器件 cv 回滞性衬底界面集成方法

[发明专利]一种无损铜后道可靠性测试工艺-CN201210066522.2无效
发明人： 曹永峰 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2012-03-14 - 公布日： 2012-08-01 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种无损铜后道可靠性测试工艺。本发明一种无损铜后道可靠性测试工艺，通过在后道可靠性测试工艺中，采用常规的1/f噪声系统收集噪声数据信息，并根据该数据信息建立测试器件的可靠性寿命与1/f噪声之间的函数关系，实现无损的后道可靠性评估，不仅降低了工艺成本还减小了测试周期，且在后续的后道工艺中，利用1/f噪声系统采集器件噪声信息数据，根据器件的可靠性寿命与1/f噪声之间的函数关系，能较好的实现后道工艺可靠性的早期预警。
一种无损铜后道可靠性测试工艺

[发明专利]一种使用金属硬掩膜提高STI特性的方法-CN201210066500.6无效
发明人： 曹永峰 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2012-03-14 - 公布日： 2012-07-25 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种使用金属硬掩膜提高STI特性的方法。本发明一种使用金属硬掩膜提高STI特性的方法，通过将传统的氧化物/氮化物结构改为氧化物/氮化物/TiN硬掩膜结构，从而利用金属与非金属在刻蚀速率上的超高选择比，保护氮化物层在STI刻蚀、CMP等工艺过程中的厚度损失，从而降低STI工艺中对初始的氮化物层的厚度的要求，进而降低浅沟槽隔离的应力控制和凸起控制难度，且能有效的避免由于氮化物与硅化物的晶格结构不匹配，造成的脱落现象的发生，且TiN在CMP工艺中易被去除，所以在STICMP中增加一次TiNCMP步骤即可将其完全去除，工艺实施较为简单，最终提高了产品良率及降低了生产成本。
一种使用金属硬掩膜提高 sti 特性方法

[发明专利]一种提高高深宽比浅沟槽隔离填充特性的方法-CN201210077718.1无效
发明人： 曹永峰 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2012-03-22 - 公布日： 2012-07-25 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种提高高深宽比浅沟槽隔离填充特性的方法。本发明一种提高高深宽比浅沟槽隔离填充特性的方法，通过在常规工艺中使用的一步HARP填充工艺的基础上，将其改进为两次HARP填充工艺，并在第一次HARP填充工艺之后增加一步等离子重塑工艺，从而增大第二次HARP填充工艺的工艺窗口，不仅增强了沟槽的填充能力，还可以去除掉传统工艺中的氮化物紧缩工艺步骤，从而降低了对于氮化层初始厚度的要求，进而降低了STI的应力控制和凸起控制难度，提高产品的良率及降低生产成本。
一种提高高深沟槽隔离填充特性方法

[发明专利]一种宽频带锁相环频率综合器电路-CN201210016167.8有效
发明人： 曹永峰 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2012-01-18 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： H03L7/08 文献下载
摘要：本发明提供一种宽频带锁相环频率综合器，包括鉴频鉴相器、电荷泵、环路滤波器、压控振荡器和电压反馈输入频率分频电路，所述电压反馈输入频率分频电路连接在电荷泵输出端与鉴频鉴相器输入端之间，所述电荷泵连接在鉴频鉴相器输出端和环路滤波器输入端之间，所述压控振荡器连接在环路滤波器输出口端与电荷泵输入端之间；所述电压反馈输入频率分频电路检测锁相环电荷泵输出的压控振荡器控制电压。
一种宽频带锁相环频率综合电路

[发明专利]一种电导法量测界面态密度的改进方法-CN201110322332.8无效
发明人： 曹永峰 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2011-10-21 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种电导法量测界面态密度的改进方法，具体包括：将待测MOS电容结构偏置在积累区，在积累区条件下，使用Cp-G模型测量固定偏压下，扫描预设频率情况下的值，计算可得各个频率下的串联电阻的对应值；利用在积累区得到的随测试频率变化的串联电阻模型，得到在反型区下的精确模型，从而得到更准确的界面态测试结果。本发明对待测器件的串联电阻进行模型化处理，消除其在电导法量测界面态时对于有效信号的干扰；通过一定的方法，得到随量测频率变化的串联电阻模型，精确模拟电导法量测过程中的实际情况；提高电导法量测界面态的精度。
一种电导法量测界面密度改进方法

[发明专利]纳米级多叉指射频CMOS模型及其提取方法-CN201110341140.1无效
发明人： 曹永峰 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2011-11-02 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本发明的一种纳米级多叉指射频CMOS模型，包括核心MOSFET模型和外围等效寄生参数子电路，所述核心MOSFET模型的STI应力模型参数为：根据大尺寸多叉指CMOS器件的常规NMOS直流模型的测量数据与常规CMOS直流模型仿真特性存在的差异修正常规MOS模型中的STI应力模型参数Kvtho、kuo和lkuo。本发明的模型能够适用于多叉指CMOS器件测量中，与器件能够很好的拟合，具有较高的精确度提取方法的准确性。
纳米级多叉指射频 cmos 模型及其提取方法

[发明专利]硅纳米线探测单元-CN201110388980.3有效
发明人： 曹永峰 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2011-11-30 - 公布日： 2012-06-27 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供了一种硅纳米线探测单元，包括源极、漏极以及耦接在所述源极与所述漏极之间的硅纳米线，其中，在所述硅纳米线上设置有光刻胶加固结构，和/或分别在所述漏极与所述硅纳米线的连接处、所述源极与所述硅纳米线的连接处设置第一应力释放区和第二应力释放区。本发明的技术方案可以降低SiNW探测单元对于光刻、刻蚀工艺的要求，提高了SiNW探测单元的良率。
纳米探测单元

[发明专利]一种利用侧向边墙技术提高STI凹陷区特性的方法-CN201110265265.0有效
发明人： 曹永峰 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2011-09-08 - 公布日： 2012-05-16 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种利用侧向边墙技术提高STI凹陷区特性的方法。本发明公开了一种利用侧向边墙技术提高STI凹陷区特性的方法，在标准STI工艺中，通过适当的工艺步骤，在沟槽氧化物的侧壁形成一个氮化硅材质的侧墙，其中氮化硅通过等离子体增强化学气相淀积方法生长。该侧墙在垫氧化物层以及输入输出区（厚栅氧区）的氧化物去除过程中，作为牺牲层，通过自己的腐蚀减少沟槽氧化物的侧壁在湿法过程中的损失，从而减小沟槽氧化物的侧壁位置处的凹陷程度。达到保护沟槽氧化物的侧壁及其上拐角的目的，以控制生成的凹陷区的形貌。
一种利用侧向技术提高 sti 凹陷特性方法

[发明专利]PMOS源漏区离子注入方法及相应的器件制造方法-CN201110388784.6有效
发明人： 曹永峰 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2011-11-30 - 公布日： 2012-05-02 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：本发明公开了一种PMOS源漏区离子注入方法及相应的器件制造方法。利用无定形碳层可以完全去除掉并不会造成硅凹陷的特性，使用无定形碳层作为PMOS源漏区离子注入的垫层，可以在基本不改变注入杂质分布的情况下，降低注入杂质在硅衬底中的射程，从而可以得到比常规方法更浅的超浅结；或者是在保持超浅结结深不变的情况下，增大注入的能量，从而在一定程度上缓解工艺对于大剂量、低能量离子注入的需求，降低PMOS源漏区离子注入的工艺难度。本发明提供的PMOS源漏区离子注入方法及相应的器件制造方法，可以改进PMOS源漏区超浅结的离子注入工艺，降低工艺难度。
pmos 源漏区离子注入方法相应器件制造