专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]一种供暖管道过滤装置-CN202122529319.1有效
  • 晁鑫 - 陕西德联新能源有限公司
  • 2021-10-21 - 2023-09-15 - B01D36/02
  • 本实用新型提供的一种供暖管道过滤装置,其特征在于:包括进水管,出水管与过滤装置,所述过滤装置两端通过第一法兰与进水管与出水管连接,所述过滤装置内部设置有U型过滤管道,所述U型过滤管道一侧设置有截止阀,所述截止阀一侧位于过滤装置外侧设置有转动开关,所述U型过滤管道另一侧设置有过滤器,所述过滤器底部与过滤装置连接,所述过滤器底部连接有连接底座,所述过滤器位于截止阀的一侧设置有进水孔,所述过滤器内部从下至上依次设置有过滤网和过滤棉,所述过滤器顶部设置有出水孔。
  • 一种供暖管道过滤装置
  • [实用新型]一种供暖管道固定装置-CN202122528286.9有效
  • 晁鑫 - 陕西德联新能源有限公司
  • 2021-10-20 - 2023-06-16 - B25B11/00
  • 本实用新型提供一种供暖管道固定装置,属于供暖管道技术领域。包括承重梁,所述承重梁一侧设有空腔一,所述空腔一内插接设有螺杆一,所述螺杆一上螺纹连接设有支撑杆一,所述承重梁下侧面对应空腔一设有条形通孔一,所述支撑杆一下方通过条形通孔一延伸出空腔一,所述承重梁远离空腔一的一端设有倾斜空腔二,所述倾斜空腔二内对应设有螺杆二,所述螺杆二上螺纹连接设有支撑杆二,所述承重梁下侧面对应倾斜空腔二设有条形通孔二,所述承重梁位于支撑杆一和支撑杆二之间设有固定装置。本实用新型能够对检修保养的多种直径的管路进行使用,能够调节不同的高度,使得颞部的热水不会在管路检修保养时流出,操作简单,避免携带更多工具。
  • 一种供暖管道固定装置
  • [实用新型]一种分户供暖热水管道安装装置-CN202122523069.0有效
  • 晁鑫 - 陕西德联新能源有限公司
  • 2021-10-20 - 2023-05-16 - F16L3/10
  • 本实用新型涉及管道安装领域,尤其涉及一种分户供暖热水管道安装装置。包括底板、第一安装部、第二安装部、挤压部、限位部;所述底板底部设有轮子,所述限位部包括限位板、螺杆、支撑块,所述底板顶部中间设有第三电机,所述第三电机与螺杆相连接,所述螺杆贯穿底板、支撑块,本实用新型结构简单,通过设有第一安装部、第二安装部、挤压部,三者相互配合可以安全稳定方便的固定住供暖热水管道,能够固定住多种管径的供暖热水管道,通过设有伸缩杆,可以将供暖热水管道抬升至多种高度并改变其水平位置,大大提高了实用性,能适用于多种实际安装需求。
  • 一种分户供暖热水管道安装装置
  • [实用新型]一种供暖管道排污装置-CN202122533634.1有效
  • 晁鑫 - 陕西德联新能源有限公司
  • 2021-10-20 - 2023-04-07 - C02F1/00
  • 本实用新型提供一种供暖管道排污装置,涉及供暖管道技术领域。包括进水管、出水管、供暖管道系统、清洁管、第一三通阀门和第二三通阀门,所述清洁管连通有增压水泵、加药盒和第一单向阀门,所述第一单向阀门两侧均设有与清洁管相连通的连接管一和连接管二,所述连接管一和连接管二连通有污水净化箱,所述进水管远离第一三通阀门的一端连通有初滤管。本实用新型能够对进入供暖管道内的水进行初步过滤,减少进入供暖管道内的杂质,清洁步骤简单易操作,能够对清洁管道时产生的污水进行净化处理,同时利用净化后的水对供暖管道进行冲洗,排污更彻底效果更好。
  • 一种供暖管道排污装置
  • [发明专利]一种小尺寸的存储器件结构及其制备方法-CN202210001044.0在审
  • 晁鑫;王晨;陈琳;孙清清;张卫 - 复旦大学
  • 2022-01-04 - 2022-04-12 - H01L29/788
  • 本发明公开一种小尺寸的存储器件结构及其制备方法。该小尺寸的存储器件结构包括:衬底,其形成有P阱区、N阱区和U形槽,其中,N阱区位于P阱区上方,U形槽贯穿N阱区;半浮栅介质层,形成在所述U形槽表面并延伸覆盖部分所述N阱区表面,且在N阱区表面形成有窗口;半浮栅,覆盖所述半浮栅介质层并完全填充所述U形槽,且在窗口处与N阱区表面相接触;控制栅介质层,形成在所述半浮栅上表面;控制栅,覆盖所述控制栅介质层;源区和漏区,分别形成在所述控制栅两侧的N阱区中。通过半浮栅晶体管U形槽侧壁寄生的PMOS管对半浮栅区域进行编程,极大地简化了半浮栅晶体管结构和微缩了器件单元尺寸。
  • 一种尺寸存储器件结构及其制备方法
  • [发明专利]一种垂直栅极的存储器件结构及其制备方法-CN202210001052.5在审
  • 晁鑫;王晨;陈琳;孙清清;张卫 - 复旦大学
  • 2022-01-04 - 2022-04-12 - H01L29/788
  • 本发明公开一种垂直栅极的存储器件结构及其制备方法。该垂直栅极的存储器件结构包括:衬底,其形成有P阱区、N阱区和U形槽,其中,N阱区位于P阱区上方,U形槽贯穿N阱区;第一栅氧化层,形成在所述U形槽表面并延伸覆盖部分所述N阱区表面,且在U形槽的侧壁和N阱区表面处形成有窗口;半浮栅,形成在所述U形槽中,覆盖所述第一栅氧化层,且在窗口处与N阱区相接触;控制栅介质层,形成在所述U形槽中,覆盖所述半浮栅并延伸覆盖部分所述第一栅氧化层;控制栅,覆盖所述控制栅介质层,并完全填充U形槽;源区和漏区,分别形成在所述控制栅两侧,所述N阱区中。
  • 一种垂直栅极存储器件结构及其制备方法
  • [发明专利]一种分栅结构的半浮栅晶体管及其制备方法-CN202111414300.0在审
  • 晁鑫;王晨;陈琳;孙清清;张卫 - 复旦大学
  • 2021-11-25 - 2022-03-22 - H01L21/336
  • 本发明公开一种分栅结构的半浮栅晶体管及其制备方法。该分栅结构的半浮栅晶体管包括衬底,其形成有P阱区、N阱区和U型槽,其中,N阱区位于P阱区上方,U型槽贯穿N阱区;第一栅氧化层,形成在所述U型槽表面并延伸覆盖部分所述N阱区表面,且在一侧形成有窗口;半浮栅,覆盖所述第一栅氧化层并完全填充所述U型槽,且在窗口处与N阱区相接触;控制栅介质层、控制栅和掩膜层,控制栅介质层覆盖所述半浮栅,控制栅和掩膜层依次形成在所述控制栅介质层上;分离栅介质层和分离栅,分离栅介质层形成在N阱区表面并延伸覆盖部分掩膜层表面,分离栅覆盖分离栅介质层并填充分离栅区域;源区和漏区,分别形成在所述控制栅和分离栅两侧,所述N阱区中。
  • 一种结构半浮栅晶体管及其制备方法
  • [发明专利]一种具有稳定阈值电压的半浮栅晶体管及其制备方法-CN202111511478.7在审
  • 晁鑫;王晨;陈琳;孙清清;张卫 - 复旦大学
  • 2021-12-06 - 2022-03-18 - H01L21/336
  • 本发明公开一种具有稳定阈值电压的半浮栅晶体管及其制备方法。该具有稳定阈值电压的半浮栅晶体管包括:衬底,其形成有P阱区、N阱区和U型槽,其中,N阱区位于P阱区上方,U型槽贯穿N阱区;第一栅氧化层,形成在U型槽表面并延伸覆盖部分N阱区表面,且在一侧形成有窗口;半浮栅,覆盖第一栅氧化层并完全填充U型槽,且在窗口处与N阱区相接触;半浮栅晶体管的沟道紧贴U形槽的底部;控制栅介质层、控制栅和第二氮化硅层,依次形成在半浮栅上;分离栅介质层和分离栅,分离栅介质层覆盖隧穿晶体管沟道区,并延伸覆盖部分第二氮化硅层,分离栅覆盖分离栅介质层并填充分离栅区域;源区和漏区,分别形成在两侧的N阱区中。
  • 一种具有稳定阈值电压半浮栅晶体管及其制备方法
  • [发明专利]一种隧穿效率可调的半浮栅晶体管及其制备方法-CN202111477722.2在审
  • 晁鑫;王晨;陈琳;孙清清;张卫 - 复旦大学
  • 2021-12-06 - 2022-03-11 - H01L21/336
  • 本发明公开一种隧穿效率可调的半浮栅晶体管及其制备方法。该隧穿效率可调的半浮栅晶体管制备方法包括以下步骤:形成P阱区,进行第一次轻掺杂N型离子注入形成N阱区,以形成半浮栅晶体管的沟道杂质分布,N阱区位于P阱区上方;刻蚀形成U形槽,使U型槽贯穿N阱区;形成第一栅氧化层,在N阱区表面形成窗口,形成半浮栅,使其在窗口处与N阱区相接触;之后进行边缘刻蚀,使邻接窗口一侧的部分N阱区的表面露出,进行第二次重掺杂N型离子注入,在N阱区中形成N+掺杂区,以调控隧穿晶体管的隧穿效率;形成控制栅介质,使其覆盖半浮栅并延伸覆盖部分N+掺杂区,接着形成控制栅,使其覆盖控制栅介质;在控制栅两侧形成源区和漏区。
  • 一种效率可调半浮栅晶体管及其制备方法
  • [发明专利]一种高效编程的半浮栅晶体管及其制备方法-CN202111414299.1在审
  • 晁鑫;王晨;陈琳;孙清清;张卫 - 复旦大学
  • 2021-11-25 - 2022-03-04 - H01L21/336
  • 本发明公开一种高效编程的半浮栅晶体管及其制备方法。该高效编程的半浮栅晶体管,包括:衬底,其形成有P阱区、N阱区和U型槽,其中,N阱区位于P阱区上方,U型槽贯穿N阱区;半浮栅介质层,形成在U型槽表面并延伸覆盖一侧的部分N阱区表面,且在另一侧形成有窗口;半浮栅,覆盖半浮栅介质层并完全填充U型槽,且在窗口处与N阱区相接触;控制栅介质层、控制栅和掩膜层,控制栅介质层覆盖半浮栅,控制栅和掩膜层依次形成在控制栅介质层上;分离栅介质层和分离栅,分离栅介质层形成在N阱区表面并延伸覆盖部分掩膜层表面,分离栅覆盖分离栅介质层并填充分离栅区域;源区和漏区,分别形成在控制栅和分离栅两侧,N阱区中。
  • 一种高效编程半浮栅晶体管及其制备方法

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