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[发明专利]文档检索装置、文档检索系统、文档检索程序、以及文档检索方法-CN202180045775.9在审
发明人：南拓也;奥野好成 -专利权人： 昭和电工株式会社
申请日： 2021-07-19 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： G06F16/33 文献下载
摘要：保持文档检索的正确性与网罗性的均衡、提高精度。本发明一实施方式的文档检索装置包括：输入接受部，接受文档检索的关键词的输入；文档检索部，取得与所述关键词的一部分字符被置换成通配符后的字符串一致的命中字符串，以及所述命中字符串前后的字符串，并根据所述命中字符串以及所述命中字符串前后的字符串，算出所述命中字符串的似然度；检索结果显示部，根据所述似然度，输出文档检索的结果。
文档检索装置检索系统程序以及方法

[发明专利]散热单元的制造方法-CN201780053158.7有效
发明人：田村忍;松泽崇之 -专利权人： 昭和电工株式会社
申请日： 2017-09-11 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H01L23/473 文献下载
摘要：提供一种能够简单且低成本制造散热单元的方法。散热单元(12)的制造方法，使从销用的第2板材(22)冲压形成的销(17)穿过具有多个贯穿孔(16)的基板用的第1板材(20)的贯穿孔(16)。在第1板材(20)上沿着第1板材(20)的长度方向并排设置多个基板形成部(25)。在第2板材(22)上沿着第2板材(22)的长度方向并排设置多个销冲压部(26)。所述方法包括：工序A，在第1板材(20)的基板形成部(25)形成贯穿孔(16)；工序B，对第2板材(22)的销冲压部(26)实施半冲压加工，形成向第2板材(22)的一面侧突出的半冲压状的销成型部(27)；工序C，在从第2板材(22)冲压销成型部(27)制作销(17)的同时使销(17)穿过第1板材(20)的贯穿孔(16)；以及工序D，将贯穿孔(16)中插通有销(17)的基板形成部(25)从第1板材(20)上切断，制作基板。
散热单元制造方法

[发明专利]磁传感器、测量装置及磁传感器的制造方法-CN201880075250.8有效
发明人：远藤大三 -专利权人： 昭和电工株式会社
申请日： 2018-10-25 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： G01R33/02 文献下载
摘要：磁传感器1具备：薄膜磁铁20，其由硬磁体层103构成，且在面内方向上具有磁各向异性；和感应部30，其具备通过磁阻抗效应来感应磁场的感应元件31，所述感应元件31由在硬磁体层103上层叠设置的软磁体层105构成，具有长边方向和短边方向，长边方向朝向薄膜磁铁20产生的磁场的方向，并且在与长边方向交叉的方向上具有单轴磁各向异性，薄膜磁铁20和感应元件31被设置为：与和薄膜磁铁20的一个磁极呈对向地设置于外部的对向构件构成磁路。
传感器测量装置制造方法

[发明专利]四氟甲烷的制造方法-CN201880085975.5有效
发明人：福地阳介;菅原智和;小黑慎也;小林浩 -专利权人： 昭和电工株式会社
申请日： 2018-12-25 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： C07C17/361 文献下载
摘要：提供一种四氟甲烷的制造方法，其难以损坏反应装置，能够安全且廉价地稳定制造四氟甲烷。向含有氟化烃和反应诱导剂的原料液(1)导入氟气来制造四氟甲烷，氟化烃由化学式CpHqClrFs(化学式中的p为3以上且18以下的整数，q为0以上且3以下的整数，r为0以上且9以下的整数，s为5以上且30以下的整数)表示并且不具有碳‑碳不饱和键。反应诱导剂是在常温常压下为固体的烃聚合物，并且通过与氟气反应而诱导由氟化烃和氟气生成四氟甲烷的反应。
甲烷制造方法

[发明专利]含氟醚化合物、磁记录介质用润滑剂及磁记录介质-CN201880053763.9有效
发明人：加藤刚 -专利权人： 昭和电工株式会社
申请日： 2018-08-07 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： C07C235/06 文献下载
摘要：一种含氟醚化合物，其特征在于，由下述式(1)表示。R1‑R2‑CH2‑R3‑CH2‑R4‑R5(1)(在式(1)中，R3为全氟聚醚链。R2和R4为具有极性基的2价连接基，可以相同也可以不同。R1和R5与R2或R4所具有的除碳原子以外的原子的结合键结合。R1和R5为由碳原子数1～8的有机基构成的末端基，可以相同也可以不同。R1和R5之中的至少一者为碳原子数1～8的链状有机基的1个以上氢被具有酰胺键的基团取代了的基团)。
含氟醚化合物记录介质润滑剂

[发明专利]蚀刻方法以及半导体元件的制造方法-CN202180041568.6在审
发明人：松井一真 -专利权人： 昭和电工株式会社
申请日： 2021-05-27 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：提供能够与非蚀刻对象物相比选择性地蚀刻具有氮化硅的蚀刻对象物的蚀刻方法。该蚀刻方法具备蚀刻工序，在蚀刻工序中，使蚀刻气体在等离子体的存在下接触具有蚀刻对象物和非蚀刻对象物的被蚀刻构件，与非蚀刻对象物相比选择性地蚀刻蚀刻对象物，蚀刻气体含有在分子内具有碳‑氧双键和醚键中的至少一种键的碳原子数为3以下的氟化合物。蚀刻气体中的氟化合物的浓度为0.5体积％以上且40体积％以下，蚀刻对象物具有氮化硅。
蚀刻方法以及半导体元件制造

[发明专利]感光性树脂组合物及其树脂固化膜-CN202180047283.3在审
发明人：周正伟;木下健宏 -专利权人： 昭和电工株式会社
申请日： 2021-06-23 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： G03F7/038 文献下载
摘要：提供显影性良好并且低温固化性优异的感光性树脂组合物、使感光性树脂组合物固化而成的树脂固化膜、和具备树脂固化膜的图像显示元件。本发明的感光性树脂组合物含有(A)共聚物、(B)光产酸剂、和(C)溶剂。(A)共聚物为包含来源于(A‑1)具有烷氧基甲硅烷基的聚合性不饱和化合物的结构单元(a‑1)、和来源于(A‑2)具有酸基的聚合性不饱和化合物的结构单元(a‑2)的共聚物。(A)共聚物中的全部结构单元中的上述结构单元(a‑1)的含量为45～99摩尔％。
感光性树脂组合及其固化

[发明专利]SiC外延晶片的制造方法-CN201911073469.7有效
发明人：西原祯孝 -专利权人： 昭和电工株式会社
申请日： 2019-11-05 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明涉及SiC外延晶片的制造方法。提供一种在正向上流动了电流时不易产生堆垛层错的SiC外延晶片的制造方法。本实施方式涉及的SiC外延晶片的制造方法包括：测定基底面位错密度的测定工序、决定外延层的层构成的层构成决定工序以及生长外延层的外延生长工序，(i)在所述层构成决定工序中，在所述基底面位错密度小于预定值的情况下，所述外延层从所述SiC基板侧起包括转换层和漂移层，(ii)在所述基底面位错密度为预定值以上的情况下，所述外延层从所述SiC基板侧起包括转换层、复合层以及漂移层。
sic 外延晶片制造方法

[发明专利]碳纤维及其制造方法-CN201880069537.X有效
发明人：五十岚威史;武居共之;高宇;栗谷真澄 -专利权人： 昭和电工株式会社
申请日： 2018-10-17 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： D06M11/74 文献下载
摘要：依次执行使包含富勒烯C60和C70的富勒烯混合物溶解于有机溶剂以制备富勒烯溶液的步骤(I)、将原料碳纤维浸渍在所述富勒烯溶液中的步骤(II)、及从所述富勒烯溶液中取出所述碳纤维并对所取出的所述碳纤维进行乾燥的步骤(III)，据此获得碳纤维。
碳纤维及其制造方法

[发明专利]导热性氨基甲酸酯树脂组合物及固化物-CN202280002251.6在审
发明人：舟桥一;御法川直树;佐藤光;小林郁惠;行武初;家村武志 -专利权人： 昭和电工株式会社
申请日： 2022-01-28 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： C08G18/08 文献下载
摘要：一种导热性氨基甲酸酯树脂组合物，其特征在于，是包含蓖麻油系多元醇、多异氰酸酯化合物、和填料的导热性氨基甲酸酯树脂组合物，上述多异氰酸酯化合物的异氰酸酯基与上述蓖麻油系多元醇的羟基的当量比[NCO/OH]为0.8～1.6，上述填料包含平均粒径为0.03～10μm的填料(A)，上述填料(A)用特定的表面处理剂进行了表面处理。
导热性氨基甲酸酯树脂组合固化

[发明专利]透明导电膜层合体及其加工方法-CN202080072875.6有效
发明人：山木繁;米田周平 -专利权人： 昭和电工株式会社
申请日： 2020-10-13 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： B32B27/36 文献下载
摘要：本发明提供可以抑制加热工序中及加热工序后的卷曲的透明导电膜层合体及其加工方法。所述透明导电膜层合体是包含透明导电膜10和层合于所述透明导电膜10上的载体膜1的透明导电膜层合体，其特征在于，所述载体膜1是不具有粘合剂层的聚碳酸酯膜，所述透明导电膜10是依次层合了透明树脂膜2、包含金属纳米线和粘结剂树脂的透明导电层3、和外涂层4而构成，所述透明树脂膜2由非晶性环烯烃类树脂形成，所述载体膜1可剥离地层合于所述透明导电膜2的相对于所述透明导电层3为另一侧的主面上。
透明导电合体及其加工方法

[发明专利]四氟甲烷的制造方法-CN201880085962.8有效
发明人：福地阳介;菅原智和;小黑慎也;小林浩 -专利权人： 昭和电工株式会社
申请日： 2018-12-25 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： C07C17/361 文献下载
摘要：提供一种四氟甲烷的制造方法，其难以损坏反应装置，能够安全且廉价地稳定制造四氟甲烷。向含有氟化烃的原料液(1)导入氟气并且以气体状导入反应诱导剂来制造四氟甲烷，氟化烃由化学式CpHqClrFs(化学式中的p为3以上且18以下的整数，q为0以上且3以下的整数，r为0以上且9以下的整数，s为5以上且30以下的整数)表示并且不具有碳‑碳不饱和键。反应诱导剂通过与氟气反应而诱导由氟化烃和氟气生成四氟甲烷的反应，并且是选自在常温常压下为气体的烃和氢气中的至少一种。
甲烷制造方法

[发明专利]液相色谱用填充剂及液相色谱用柱-CN201880032033.0有效
发明人：中岛修弥;小田奈津姬;加藤顺也 -专利权人： 昭和电工株式会社
申请日： 2018-06-29 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： B01J20/281 文献下载
摘要：本发明涉及液相色谱用填充剂以及使用了该填充剂的柱，上述液相色谱用填充剂包含：具有来源于(甲基)丙烯酸酯的单体单元和来源于二乙烯基苯的单体单元的共聚物的粒子，其特征在于，上述来源于(甲基)丙烯酸酯的单体单元：上述来源于二乙烯基苯的单体单元为70～90质量％：30～10质量％，在上述粒子表面结合有磺基，包含式(1)所示的结构作为结合了磺基的结构，在上述粒子中包含磺基40μmol/g～300μmol/g，(式中，R表示来源于共聚物粒子表面的结构部分，X表示氧原子或硫原子，n表示2～4的整数。)。上述柱可以适合用于蛋白质、氨基酸等的分析，并且能够有效率地生产。
色谱填充

[发明专利]蚀刻方法-CN201880027461.4有效
发明人：福世知行 -专利权人： 昭和电工株式会社
申请日： 2018-06-01 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：提供一种能够将硅氮化物层的蚀刻速度和硅氧化物层的蚀刻速度控制为相同程度的蚀刻方法。将具备具有层叠了的硅氧化物层(2)和硅氮化物层(3)的层叠膜(5)的被处理体，通过含有由碳、溴和氟构成的卤化碳化合物的蚀刻气体进行处理。硅氧化物层(2)和硅氮化物层(3)以相同程度的蚀刻速度被蚀刻。
蚀刻方法

[发明专利]含有极性基的烯丙基单体共聚物的制造方法-CN201980014537.4有效
发明人：伊藤慎库;野崎京子;黑田润一;奥村吉邦;林慎也;小林稔;安川雄一郎 -专利权人：国立大学法人东京大学;昭和电工株式会社;日本聚乙烯株式会社
申请日： 2019-01-29 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： C08F210/02 文献下载
摘要：本发明涉及乙烯与通式(1)所示的具有极性基的烯丙基单体的共聚物、或乙烯与上述通式(1)所示的具有极性基的烯丙基单体与其它单体的共聚物的制造方法，其特征在于，使用通式(C1)所示的金属配位化合物作为聚合催化剂，使通式(2)所示的具有硅‑氢键的硅烷化合物共存。(式中的符号如在说明书中所记载的那样。)根据本发明，可以以高催化活性制造能够进行各种应用的具有极性基的烯丙基单体共聚物。
含有极性丙基单体共聚物制造方法