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[发明专利]原边反馈反激式电源CCM模式下的死区时间自动优化系统-CN201711474037.8有效
发明人：徐申;陈明刚;王浩;肖金玉;苏巍;孙伟锋;时龙兴 -专利权人：东南大学;无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2017-12-29 - 公布日： 2020-12-29 - 主分类号： H02M1/38 文献下载
摘要：一种原边反馈反激电源CCM模式下的死区时间自动优化系统，包括单输出DAC中点采样模块、数字控制模块、电流检测模块、死区时间计算模块和PWM驱动模块构成的控制系统与受控的同步整流原边反馈反激式变换器形成闭环，通过DAC采样机制，采样原边电流推算副边平均电流，得到CCM情况下原边平均电流Imid_p和副边平均电流Is(tmid)，将副边电流输入到死区时间计算模块，得到合理的死区时间td，最后通过原边反馈回路和得到的死区时间td共同控制PWM驱动模块，产生原边开关管驱动信号duty以及副边整流管驱动信号duty_SR，使得在CCM模式下副边整流管关闭与原边开关管开启之间的死区时间能够的合理的优化。
反馈反激式电源 ccm 模式死区时间自动优化系统

[发明专利]一种提高同步整流原边反馈反激式电源动态性能的方法-CN201711474042.9有效
发明人：徐申;王炜;林峰;何波涌;苏巍;孙伟锋;时龙兴 -专利权人：东南大学;无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2017-12-29 - 公布日： 2020-12-29 - 主分类号： H02M7/219 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高同步整流原边反馈反激式电源动态性能的方法，针对已有的小功率DCM下的动态控制算法存在的不足，尤其是重载切轻载情况下，动态恢复时间过长的缺陷，通过控制变换器原边开关管的关断和副边同步整流管以固定占空比开关，抽取输出端负载电容的能量至原边，使输出电压迅速下降，同时一直以固定的频率对输出电压进行采样，当输出电压降低至额定值时，根据负载大小判断出此时系统对应的跳出高动态模式后的稳态模式，然后系统进入稳态模式。本发明能够将输出电压缩短在2.5ms内，并且系统在离开动态模式进入稳态模式时输出电压纹波很小，显著提高了大功率下反激变换器的动态性能。
一种提高同步整流反馈反激式电源动态性能方法

[发明专利]一种横向双扩散金属氧化物半导体器件及其制作方法-CN201710801871.7有效
发明人：何乃龙;张森;李许超 -专利权人： 无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2017-09-07 - 公布日： 2020-12-25 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种横向双扩散金属氧化物半导体器件及其制作方法，该横向双扩散金属氧化物半导体器件包括：半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有漂移区；在所述漂移区中形成有阱区和漏区，在所述阱区中有源区和沟道；在所述漂移区中形成有位于所述阱区和所述漏区之间的深沟槽隔离结构，在所述深沟槽隔离结构的底部形成有交替设置的第一P型注入区和第一N型注入区，所述第一P型注入区和所述第一N型注入区沿所述阱区到所述漏区的方向延伸。该横向双扩散金属氧化物半导体器件可以降低导通电阻且表面不形成高电场。该横向双扩散金属氧化物半导体器件的制作方法具有类似的优点。
一种横向扩散金属氧化物半导体器件及其制作方法

[发明专利]氮化硅薄膜及MIM电容的制作方法-CN201410387498.1有效
发明人：雷天飞;秦仁刚 -专利权人： 无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2014-08-07 - 公布日： 2020-12-25 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种氮化硅薄膜的制作方法，包括：提供衬底；在所述衬底上采用等离子增强型化学气相沉积法分两步沉积氮化硅薄膜，包括：步骤一、预沉积，所述预沉积具有较低的沉积速率；步骤二、进行主沉积直到达到氮化硅薄膜的预定厚度，所述主沉积具有较高的沉积速率。本发明还提供一种MIM电容的制作方法，其采用上述方法制作氮化硅薄膜作为电容绝缘层。采用本发明的方法，沉积的氮化硅薄膜的致密性高，降低了氮化硅薄膜中空洞出现的几率，显著提高击穿电压，并降低漏电电流，进而提高器件的可靠性和良率。
氮化薄膜 mim 电容制作方法

[发明专利]LDMOS的隔离结构的制造方法-CN201710534702.1有效
发明人：祁树坤;孙贵鹏 -专利权人： 无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2017-07-03 - 公布日： 2020-12-15 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明涉及一种LDMOS的隔离结构的制造方法，包括：在晶圆表面形成第一沟槽；向第一沟槽内填充氧化硅；通过刻蚀去除掉第一沟槽内的氧化硅表面的一部分；通过热氧化在第一沟槽顶部的拐角处形成氧化硅拐角结构；在晶圆表面淀积含氮化合物，覆盖第一沟槽内的氧化硅表面及氧化硅拐角结构表面；干法刻蚀含氮化合物，将第一沟槽内的氧化硅表面的含氮化合物去除，形成含氮化合物侧壁残留；以含氮化合物侧壁残留为掩膜，继续向下刻蚀形成第二沟槽；在第二沟槽的侧壁和底部形成氧化硅层；去除含氮化合物侧壁残留；向第一沟槽和第二沟槽内填充氧化硅。本发明可以提高击穿电压，节省了光刻版。
ldmos 隔离结构制造方法

[发明专利]横向扩散金属氧化物半导体场效应管-CN201611265906.1有效
发明人：张广胜;张森;胡小龙;吴肖 -专利权人： 无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2016-12-30 - 公布日： 2020-12-15 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种横向扩散金属氧化物半导体场效应管，包括第二导电类型的衬底、所述衬底上的第一导电类型的漂移区、所述衬底上的第二导电类型的沟道区、所述漂移区表面的第一导电类型的漏极区、所述沟道区表面的源极区、所述漏极区与源极区之间的第一场氧层以及位于所述沟道区远离所述漏极区的一侧的第二场氧层，所述横向扩散金属氧化物半导体场效应管还设有从所述第二场氧层向下贯穿至所述衬底的隔离沟槽，所述隔离沟槽内的填充物的电导率小于所述衬底、漂移区及沟道区的电导率。本发明能够减小器件在高温工作的条件下的漏电流对外围控制电路的串扰。
横向扩散金属氧化物半导体场效应

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201910467442.X在审
发明人：汪广羊 -专利权人： 无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2019-05-31 - 公布日： 2020-12-01 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体器件，包括：衬底、源极区、漏极区、体引出区，第一LDD区，具有第一导电类型，设于所述第一区域的至少一侧，与所述边界直接接触，且接触的部位包括所述边界上至少一个源极区的边缘和边界上至少一个体引出区的边缘；第二LDD区，具有第一导电类型，且掺杂浓度低于所述漏极区的掺杂浓度，设于所述漏极区的与源极区相对侧，且与所述漏极区的边沿直接接触。本发明设置第一导电类型的第一LDD区，能够把第二导电类型的体引出区的沟道电流收集走，从而使器件的导通电阻Rdson降低。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]一种基于调节PWM载波频率降低开关磁阻电机噪声的方法-CN201711476370.2有效
发明人：钟锐;张铭书;张森;肖金玉;苏巍;孙伟锋;时龙兴 -专利权人：东南大学;无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2017-12-29 - 公布日： 2020-12-01 - 主分类号： H02P25/098 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于调节PWM载波降低开关磁阻电机噪声的方法，通过改变PWM载波频率改变开关频率，破坏激励的周期性，进而破坏径向电磁力的周期性，避免了电磁力的频谱分量和定子固有频率重合引发共振，从而达到降低噪声的目的。本发明提出的基于调节PWM载波降低开关磁阻电机噪声的方法，是从控制方向来实现降低开关磁阻电机噪声的，适用范围广，不影响其它性能参数，并且无需硬件电路辅助，应用成本低廉，易于实现。
一种基于调节 pwm 载波频率降低开关磁阻电机噪声方法

[发明专利]一种提高反激谐振类开关电源输出稳定性的采样方法-CN201711480413.4有效
发明人：孙伟锋;赵思宇;王浩;何波涌;苏巍;徐申;时龙兴 -专利权人：东南大学;无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2017-12-29 - 公布日： 2020-11-27 - 主分类号： H02M7/217 文献下载
摘要：一种提高反激谐振类开关电源输出稳定性的采样方法，通过采样模块采集原边辅助绕组电压Vsense与本周期的模拟形式的反馈电压Vref相比较，VrefVsense的时间T1,VrefVsense的时间T2，Tr＝T1‑T2，Tr的大小为T1与T2相差的时钟周期，根据Tr的大小，计算当前周期的数字量的误差信号err，调节数字量反馈电压VREF的大小，经数模转换器得到模拟量Vref后，再与辅助绕组的电压信号Vsense相比较，形成闭环负反馈调节反馈电压Vref的值，err和VREF输入到控制模块，控制模块产生占空比控制信号duty调节原边开关管的导通时间与关闭时间，以稳定开关电源的输出。
一种提高谐振开关电源输出稳定性采样方法

[发明专利]一种基于调节电流斩波限降低开关磁阻电机噪声的方法-CN201711473986.4有效
发明人：孙伟锋;邵为建;张森;肖金玉;苏巍;钟锐;时龙兴 -专利权人：东南大学;无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2017-12-29 - 公布日： 2020-11-27 - 主分类号： H02P25/098 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于调节电流斩波限降低开关磁阻电机噪声的方法，该方法在低速电流斩波控制(CCC)模式下，使用伪随机方法为每相电流斩波限引入随机偏移量，使得各相电流斩波的上、下限不同，破坏激励的周期性，进而破坏径向电磁力的周期性，避免其频率与电机定子固有频率一致，从而通过破坏共振，达到降低开关磁阻电机噪声的目的。本发明的特点是无需硬件电路辅助，应用成本低廉，易于实现。
一种基于调节电流斩波限降低开关磁阻电机噪声方法

[发明专利]半导体器件制备方法-CN201910430240.8在审
发明人：文浩宇;孙晓峰;秦仁刚;周耀辉 -专利权人： 无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2019-05-22 - 公布日： 2020-11-24 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本申请涉及一种半导体器件制备方法，包括：提供衬底，在衬底上形成缓冲氧化层和氮化硅掩膜；开设刻蚀窗口并刻蚀衬底，形成沟槽；在沟槽的内壁依次形成隔离氧化层和隔离氮化硅层；刻蚀部分隔离氮化硅层，使隔离氮化硅层的延伸高度低于衬底上表面，并形成覆盖氮化硅掩膜和填满沟槽的介质氧化层；对介质氧化层进行研磨并停止于氮化硅掩膜；去除氮化硅掩膜和缓冲氧化层，且不暴露隔离氮化硅层；在衬底表面形成栅氧层，并在栅氧层上形成多晶硅层。在上述过程中，隔离氮化硅层与栅氧层和多晶硅层没有接触，且不会形成尖角，因此不会影响栅氧层的TDDB测试。
半导体器件制备方法

[发明专利]半导体器件制备方法及半导体器件-CN201910431035.3在审
发明人：周耀辉;秦仁刚;孙晓峰;文浩宇 -专利权人： 无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2019-05-22 - 公布日： 2020-11-24 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本申请涉及一种半导体器件制备方法及一种半导体器件，该制备方法包括：提供衬底，在衬底上形成缓冲氧化层和氮化硅掩膜；开设刻蚀窗口并刻蚀衬底，形成沟槽；在沟槽的内壁依次形成隔离氧化层和隔离氮化硅层；向沟槽内填满牺牲层；对牺牲层进行回刻，去除部分牺牲层，使牺牲层的高度低于衬底的上表面以暴露部分隔离氮化硅层，并对隔离氮化硅层进行刻蚀；去除剩余的牺牲层，并形成覆盖氮化硅掩膜和填满沟槽的介质氧化层；对介质氧化层进行研磨；去除氮化硅掩膜和缓冲氧化层，且不暴露隔离氮化硅层；在衬底表面形成栅氧层，并在栅氧层上形成多晶硅层。在上述过程中，隔离氮化硅层不会形成尖角，因此不会影响栅氧层的TDDB测试。
半导体器件制备方法

[发明专利]微机电系统器件-CN201910392505.X在审
发明人：胡永刚;周国平;夏长奉 -专利权人： 无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2019-05-13 - 公布日： 2020-11-13 - 主分类号： B81B3/00 文献下载
摘要：本申请涉及一种MEMS器件，包括衬底依次叠设于衬底上的第一牺牲层、第一导电薄膜、第二牺牲层和第二导电薄膜，其中，第二牺牲层开设有空腔；还包括开设有第一通孔的限幅层和开设有第二通孔的隔离层，第一通孔的正投影位于第二通孔内且第一通孔的孔径小于第二通孔的孔径，限幅层的正投影与空腔的开口区域部分重合，第一通孔的正投影与空腔开口区域部分重合，限幅层位于第一导电薄膜与第一牺牲层之间且隔离层位于限幅层与第一导电薄膜之间，和/或，位于第二导电薄膜上且隔离层位于限幅层与第二导电薄膜之间。上述MEMS期间，通过设置限幅层，在不影响导电薄膜应力的前提下，可以限制导电薄膜的形变程度，从而保护器件。
微机系统器件

[发明专利]具有沟槽内渐变厚度的场板结构的半导体器件的制造方法-CN201710534674.3有效
发明人：祁树坤;孙贵鹏 -专利权人： 无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2017-07-03 - 公布日： 2020-11-13 - 主分类号： H01L29/40 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有沟槽内渐变厚度的场板结构的半导体器件的制造方法，包括：在晶圆表面形成沟槽；通过淀积向沟槽内填充氧化硅；将沟槽内的氧化硅通过刻蚀去除掉表面的一部分；通过热氧化在沟槽顶部的拐角处形成氧化硅拐角结构；在晶圆表面淀积含氮化合物；干法刻蚀含氮化合物，氧化硅拐角结构表面形成向沟槽内延伸的含氮化合物侧壁残留；以含氮化合物侧壁残留为掩膜，将沟槽内的氧化硅通过刻蚀去除掉表面的一部分；重复执行以上三个步骤，直至将沟槽内的氧化硅刻蚀至所需的底部氧化硅厚度；去除沟槽内的含氮化合物，向沟槽内填入多晶硅。本发明减少了氧化时间，提高了生产效率。且减少了衬底杂质向外延层的反扩，同时工艺简单。
具有沟槽渐变厚度板结半导体器件制造方法

[发明专利]微机电系统器件制备方法-CN201910383273.1在审
发明人：胡永刚;周国平;夏长奉 -专利权人： 无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2019-05-09 - 公布日： 2020-11-10 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本申请涉及一种MEMS器件制备方法，包括：提供衬底，在衬底的正面形成第一牺牲层，在第一牺牲层上形成功能结构；对衬底的背面进行刻蚀形成沟槽，刻蚀停止于第一牺牲层，沟槽相互连通且围合成封闭图形，衬底被沟槽包围的部分作为支撑结构；及刻蚀第一牺牲层，支撑结构随着与支撑结构相接触的第一牺牲层被刻蚀掉而脱落，形成背腔。上述制备方法，在第二步衬底刻蚀过程中仅形成较小面积的沟槽，使得沟槽上方结构承受应力的能力较强，在后续工序中不容易变形或破裂，提高产品良率。
微机系统器件制备方法