专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种掉电防漏电模拟开关电路-CN202310802643.7在审
  • 邹林均;任罗伟;徐晟阳;陈峰 - 无锡中微爱芯电子有限公司
  • 2023-07-03 - 2023-10-03 - H03K17/687
  • 本发明公开了一种掉电防漏电模拟开关电路,属于模拟开关电路及其实施方法技术领域。一种掉电防漏电模拟开关电路,包括控制电路,控制电路与栅端控制电路和开关电路连接,栅端控制电路和开关电路之间连接并接在端口A和B上。本发明解决了电源掉电,若开关端口A或B存在信号,信号向掉电电源泄放电流的问题,同时解决了电源掉电,现有技术无法将MP1完全关闭,导致若开关端口A和B存在不同信号,端口A和端口B间会存在电流泄放的问题。本发明对电路结构进行优化,使用较少的电路逻辑,实现现有技术革新,进一步提高模拟开关电路在复杂的应用环境中的可靠性,拓宽了模拟开关电路的应用场景。
  • 一种掉电漏电模拟开关电路
  • [发明专利]一种ilink仿真器-CN202310659657.8在审
  • 姚彬彬;翁子彬;续文敏;万乐玲;白云星 - 无锡中微爱芯电子有限公司
  • 2023-06-06 - 2023-09-01 - G06F11/36
  • 本发明公开了一种ilink仿真器;包括主控MCU模块,所述主控MCU模块上电性连接有5V转3.3V电源模块、USB接口模块、仿真与触摸信号输入模块、WiFi模块;本发明为AiP系列MCU提供了仿真与烧录支持,为开发者提供了方便,从上下位机的协议上解决了下位机无法响应的问题,在上下位机的协议中定义了超时复位的功能,下位机在协议实现过程中必须实现此功能;可控的电源设计,保证了MCU的稳定复位;ilink仿真器提供可控的电源设计,从而可以对AiP系列的MCU进行调试与仿真;适配AiP触摸系列的MCU,通过触摸协议可以将触摸信息上传至上位机,实现触摸信息的监控;与wifi模块配合,实现将触摸信息回传至服务器,实现远程监控与远程调试。
  • 一种ilink仿真器
  • [发明专利]一种SAR-ADC转换误差的优化方法-CN202310816510.5在审
  • 李良;俞小平;唐映强;曾范洋;顾兵 - 无锡中微爱芯电子有限公司
  • 2023-07-05 - 2023-08-22 - H03M1/06
  • 本发明涉及模数转换器的设计改进,具体为一种SAR‑ADC转换误差的优化方法,其特征在于,包括如下步骤:包含采样电路、分段式DAC电容电路、共模电压Vcm产生模块、比较器、12bit逐次逼近寄存器控制电路和新增电阻RS组成;在分段式DAC电容电路接地的电容阵列开关处增加一个新增电阻RS,当VB电压从Vcm向低电平变化时;开关S0~S11处的电容处于放电状态;使得VA处出现瞬间的上冲电压通过新增电阻RS抑制VB出现下冲电压;减小或消除ADC在切入转换过程瞬间阵列电容与比较器之间的节点电压产生负压引起阵列电容电荷的丢失,导致最终转换值的偏差;保证了低功耗设计的基础上降低了共模电压、比较器模块的设计难度,节省了设计面积及成本。
  • 一种saradc转换误差优化方法
  • [发明专利]一种栅电压及衬底电压跟随CMOS三态门电路-CN202110736833.4有效
  • 邹林均;任罗伟;徐晟阳 - 无锡中微爱芯电子有限公司
  • 2021-06-30 - 2023-08-08 - H03K19/20
  • 本发明公开了一种栅电压及衬底电压跟随CMOS三态门电路;包括总线PAD,所述总线PAD上电性连接有P1管和N1管,所述P1管上连接有P2管,所述P1管的一端电性连接有传输门TG,所述传输门TG和所述N1管的一端电性连接有与非门和或非门,所述与非门和所述或非门的一侧电性连接有反相器,所述反相器上电性连接有N2管,所述N2管的一端电性连接有P3管,所述P3管的另一侧电性连接有P4管,所述P4管的一侧电性连接有P5管;本发明的电路上电时具有三态门功能;解决传统CMOS三态门在混合电压环境下应用及局部掉电应用下,存在电流泄露情况的问题。
  • 一种电压衬底跟随cmos三态门电路
  • [发明专利]一种可编程集成电路元件滚动码烧录方法-CN202310639418.6在审
  • 仲海东;王炯翊;彭佳丽;徐李曌;孙传涛;张康 - 无锡中微爱芯电子有限公司
  • 2023-06-01 - 2023-06-30 - G06F8/61
  • 本发明涉及可编程芯片烧录领域,具体为一种可编程集成电路元件滚动码烧录方法;在集成电路圆片级中测阶段对元件进行滚动码烧录。减少自制烧录器的研发周期及成本;简化产品生产流程,降低产品生产过程中出错的风险。建立三个程序块:滚动码配置模块、烧录模块、滚动码回收模块,滚动码配置模块通过测试机台烧录模块通信连接,烧录模块与滚动码回收模块通信连接;滚动码配置模板:在工程根目录存放一个文本文件用来存放滚动码配置;烧录模块:基于测试机提供的动态内存修改语句,根据滚动码配置参数,按照可编程芯片烧录时序,对多个工位集成电路元件烧录唯一的滚动码值;滚动码回收模块:用于回收被浪费的滚动码,参与下一轮的烧录测试。
  • 一种可编程集成电路元件滚动码烧录方法
  • [发明专利]一种基于FPGA的验证系统及实现方法-CN202310051688.5在审
  • 张文文;来鹏飞;俞小平;梁浩;陈士金 - 无锡中微爱芯电子有限公司
  • 2023-02-02 - 2023-05-02 - G06F30/398
  • 本发明涉及智能芯片产品领域,尤其是智能芯片产品的验证,具体涉及一种基于FPGA的验证系统及实现方法,利用FPGA的优势,使用软件加硬件构建的验证系统,不仅提高实时验证速度,还可以实时监测芯片所有端口变化,实时反馈给上位机;包括负责生成测试验证向量的上位机,内置有FPGA验证管理逻辑架构的FPGA开发板和验证对象DUT,上位机、FPGA开发板和验证对象DUT依次通信连接;FPGA验证管理逻辑架构包括控制验证的核心core,存储单元RAM和验证功能的VIP模块若干,核心core执行的程序存放在RAM中,上位机将验证向量转化成core的执行程序,下载到存储单元RAM中、验证功能的VIP模块,可高效验证添加的成熟IP模块,核心core实时调用硬件实现的VIP模块进行验证DUT。
  • 一种基于fpga验证系统实现方法
  • [发明专利]一种应用于无线通信系统中节省能量的编码方式-CN202010194995.5有效
  • 林献水;范立鹏;刘明峰;陈恒江 - 无锡中微爱芯电子有限公司
  • 2020-03-19 - 2023-04-14 - H04W28/06
  • 本发明公开的属于无线射频通信技术领域,具体为一种应用于无线通信系统中节省能量的编码方式,包括以下步骤:S1:规范通信数据协议,协议包含:前导码+引导码+数据编码+停止码+防护周期;S2:固定协议中高脉宽的时间;该种应用于无线通信系统中节省能量的编码方式,发射平均功率不受编码影响、传输距离一致性高,相对于传统的编码方式,本发明编码方式通过固定高脉宽的时间,利用低脉宽时间比例差异区分编码0和编码1,在ASK/OOK无线通信的编码协议中能保证高脉宽时间长度不变,高脉宽的占空比相比传统的编码方式高脉宽占空比可以做到比较小,在维持较高发射功率的同时,相比于传统的编码方式更容易满足FCC\CE等认证要求。
  • 一种应用于无线通信系统节省能量编码方式
  • [发明专利]一种用于马达驱动自适应死区时间控制的电压检测电路-CN202211576348.6在审
  • 李文嘉;刘浩;权磊;杨悦;王峰 - 无锡中微爱芯电子有限公司
  • 2022-12-09 - 2023-04-07 - H02M1/00
  • 本发明公开了一种用于马达驱动自适应死区时间控制的电压检测电路;其应用的系统包括与门AND1、与门AND2、反相器INV1、反相器INV2、反相器INV3、高侧驱动、低侧驱动、电压检测电路、高侧功率管N1和低侧功率管N2;所述电压检测电路包括有高压管NM_H、偏置电流I1、偏置电流I2、偏置电流I3、电源电压VDD、常压管PM1、常压管PM2、常压管NM1和反相器INV4;本发明电压检测电路用于检测高侧功率管栅极电压,当高侧功率管栅极电压下降到很低时,低侧功率管才导通,防止高、低侧功率管出现直通现象;本发明可实现对高压域电压信号的检测,其检测原理及电路实现方式简单,仅使用一个高压器件,面积很小、功耗很低,适用电压范围广,应用该电路能实现死区时间的自适应控制。
  • 一种用于马达驱动自适应死区时间控制电压检测电路
  • [发明专利]一种用于高边NMOS驱动的电压检测电路-CN202211576352.2在审
  • 李文嘉;权磊;罗晟;刘浩;杨悦 - 无锡中微爱芯电子有限公司
  • 2022-12-09 - 2023-03-14 - G01R19/10
  • 本发明公开了一种用于高边NMOS驱动的电压检测电路;该检测电路可应用于采用泵电路方式实现的驱动电路系统;该系统包括有高边驱动、泵电路、电压检测电路和功率管NM1_H;所述高边驱动上电性连接有所述泵电路,所述泵电路上电性连接有所述功率管NM1_H,所述电压检测电路的输入端与所述功率管NM1_H的栅极和源极分别电性连接,所述电压检测电路的输出端与所述泵电路电性连接;所述电压检测电路中包括有高压管PM1、高压管PM2、高压管NM3、高压管NM4、偏置电流I1、偏置电流I2、偏置电流I3、稳压二极管Z1和反相器INV1;本发明利用稳压二极管的反向击穿电压作为判断阈值,对两个输入信号之间的压差进行检测,实现对高边功率管的保护,使用器件少,成本低,功耗很低。
  • 一种用于nmos驱动电压检测电路

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