“方粮”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果28个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种复用器、设计方法和多通道混合复用器-CN202310400219.X在审
发明人：杨俊波;马汉斯;杜特;姜鑫鹏;方粮;韦雪玲;农洁;张伊祎 -专利权人：中国人民解放军国防科技大学
申请日： 2023-04-12 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： G02B6/12 文献下载
摘要：本发明提供一种复用器、设计方法和多通道混合复用器，复用器包括依次连接的输入波导、优化区和总线波导，优化区被划分为多个单元，每个单元有2个状态，每个单元的状态按照优化方式得到；优化方式为，改变池化窗口内至少一个单元的状态，如果改变状态后的优化区的输出光谱，相比改变状态前的优化区的输出光谱，更接近目标输出光谱，则保留改变后的池化窗口状态；按照上述方式遍历所有单元，直至稳定；池化窗口为至少一个单元的集合。本申请通过设置池化窗口的优化方式计算并设置最优性能的优化区，加快优化速度，提高优化效果，通过优化区与多个输入波导连接并同步传输至总线波导内，减小了整体的设计尺寸，同时进一步提高了传输容量。
一种复用器设计方法通道混合

[实用新型]一种多模式反射器-CN202320806937.2有效
发明人：马汉斯;杨俊波;姜鑫鹏;杜特;韦雪玲;农洁;张伊祎;方粮 -专利权人：中国人民解放军国防科技大学
申请日： 2023-04-12 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： G02B6/14 文献下载
摘要：本实用新型属于微纳光电子元器件技术领域，具体是涉及一种多模式反射器，包括衬底，所述衬底上设置有顶层硅，所述顶层硅包括相互连接的波导和优化区，所述优化区被划分为多个单元，每个单元有2个状态，各个单元的状态形成一个满足预定输出目标的非周期性打孔阵列，本实用新型基于智能算法设计的多模式反射器，尺寸仅有3000nm×3000nm，可以实现对TE0和TE1模式高效地反射，有效解决现有硅基片上反射器尺寸较大，且模式单一的问题。
一种模式反射

[发明专利]一种3D光开关-CN202310020654.X在审
发明人：杨俊波;马汉斯;杜特;方粮;翁俊杰;韦雪玲;农洁;张伊祎;李宁 -专利权人：中国人民解放军国防科技大学
申请日： 2023-01-06 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： G02F1/313 文献下载
摘要：本发明属于集成光电子技术领域，具体是涉及到一种3D光开关，包括衬底、位于衬底上方的芯层和位于芯层上方的上包层；所述芯层包括多层波导阵列，所述波导阵列包括多个平行分布的端口波导；在同一层的波导阵列上，相邻的端口波导之间设置有至少一个调控波导A；在不同层的波导阵列上，相邻层的端口波导之间设置有至少一个调控波导B；光从任意所述端口波导进入，通过调控波导耦合后，实现从任意端口波导输出；多个调控波导交错排布；所述调控波导包括基底波导和位于基底波导表面的相变材料；本发明结构简单，尺寸小，性能好，可以在三维空间实现光从任意输入端口到任意输出端口的路由。
一种开关

[实用新型]一种平顶波分复用器-CN202222745570.6有效
发明人：杨俊波;马汉斯;陈宇泰;杜特;翁俊杰;农洁;韦雪玲;张伊祎;方粮 -专利权人：中国人民解放军国防科技大学
申请日： 2022-10-18 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： G02B6/293 文献下载
摘要：本实用新型属于微纳光电子元器件技术领域，具体是涉及一种平顶波分复用器，包括依次连接的输入波导、优化区和至少2个输出波导，所述优化区被划分为多个单元，每个单元有2个状态，每个单元的状态通过打孔和不打孔进行控制，本实用新型可以实现宽带的平顶滤波，有效解决现有波分复用器设计复杂，尺寸大和由于加工误差和温度变化导致的目标波长漂移的问题。
一种平顶波分复用器

[实用新型]一种双模式多通道交叉波导-CN202220540105.6有效
发明人：马汉斯;罗鸣宇;高慧琴;杨俊波;方粮 -专利权人：中国人民解放军国防科技大学
申请日： 2022-03-11 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： G02B6/125 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种双模式多通道交叉波导，包括包括衬底，所述衬底以上设有顶层硅，所述顶层硅包括呈正六边形的优化区和三个交叉的通道，所述通道的中心线沿正六边形的边的垂直平分线设置，所述优化区沿正六边形的对称轴被划分为十二个对称区，所述对称区上开设有空气孔，通过调整所述对称区上空气孔的状态，形成一个满足预定输出目标的非周期性打孔阵列，所述输出目标是指每个通道支持两种不同模式光传输；本实用新型提供的双模式多通道交叉波导尺寸小，性能好，能实现两种不同模式在任意通道传输的交叉功能，进一步增加光互连系统的传输容量。
一种双模通道交叉波导

[实用新型]一种非对称定向耦合器及可调控模式产生器、光环行器-CN202220539053.0有效
发明人：马汉斯;罗鸣宇;高慧琴;杨俊波;方粮 -专利权人：中国人民解放军国防科技大学
申请日： 2022-03-11 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： G02B6/293 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种非对称定向耦合器及可调控模式产生器、光环行器，所述非对称定向耦合器，包括衬底，所述衬底上设有顶层硅，所述顶层硅包括第一端口、耦合区域、第一输出波导和第二输出波导，所述耦合区域的一端与第一端口连接，另一端与第一输出波导和第二输出波导连接，所述耦合区域上覆盖有相变材料层，耦合区域被划分为N×M个矩形单元，通过调整所述矩形单元的状态，形成一个满足预定第一输出目标的非周期性第一打孔阵列，所述第一输出目标是指第一输出波导和第二输出波导的透过率之和；本实用新型提供的非对称定向耦合器尺寸小且易加工，性能稳定，可实现光传播路径的调控。
一种对称定向耦合器调控模式产生器环行器

[实用新型]一种双模式功率分束器-CN202220538217.8有效
发明人：马汉斯;罗鸣宇;高慧琴;杨俊波;方粮 -专利权人：中国人民解放军国防科技大学
申请日： 2022-03-11 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： G02B6/293 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种双模式功率分束器，包括衬底，所述衬底上设有顶层硅，顶层硅包括优化区，所述优化区的一端设置输入波导，另一端设置第一输出波导和第二输出波导，所述第一输出波导和第二输出波导输出不同的模式，所述优化区被划分为N×M个同等大小的正方形单元，通过调整所述正方形单元中心的状态，形成一个满足预定输出目标的非周期性打孔阵列，所述输出目标是指第一输出波导和第二输出波导的光功率的比值为50：50；本实用新型提供的双模式功率分束器能实现以50：50的功率比分束输出，同时实现模式的转换，可广泛应用在模分复用系统。
一种双模功率分束器

[发明专利]一种偏振转换器及设计方法-CN202210547112.3在审
发明人：马汉斯;杨俊波;方粮;杜特;陈宇泰;彭政;王焱;韦淋译;罗鸣宇 -专利权人：中国人民解放军国防科技大学
申请日： 2022-05-19 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： G02B6/126 文献下载
摘要：本发明提供了一种偏振转换器，包括二氧化硅衬底、顶层硅和空气包层，顶层硅包括依次连接的输入波导、偏振转换区域、模式转换区域和输出波导，偏振转换区域被划分为若干个第一矩形单元，通过直接二进制搜索算法计算每个第一矩形单元的状态，形成一个使得第一输出函数达到最大值的第一打孔阵列，模式转换区域被划分为若干个第二矩形单元，通过直接二进制搜索算法计算每个第二矩形单元的状态，形成一个使得预定第二输出函数达到最大值的第二打孔阵列；第一打孔阵列和第二打孔阵列共同作用实现偏振光的转化。本发明提供的偏振转换器能实现高效偏振光的转化，对解决现有偏振转换器尺寸大、加工复杂、无法与全刻蚀器件集成的问题具有重要意义。
一种偏振转换器设计方法

[发明专利]一种基于误差反馈式的噪声整形逐次逼近模数转换器-CN202011447351.9有效
发明人：易品筠;方粮 -专利权人：中国人民解放军国防科技大学
申请日： 2020-12-09 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： H03M1/38 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于误差反馈式的噪声整形逐次逼近模数转换器。本发明由正端第一核心电路、正端第二核心电路、负端第一核心电路、负端第二核心电路、比较器、逻辑控制与寄存器模块组成。正端第一核心电路采样保存和反馈VINP，向比较器输出VCOM+，向正端第二核心电路输出VRES+；正端第二核心电路采样VRES+，对VINP反馈VRES+；负端第一核心电路采样保存和反馈VINN，向比较器输出VCOM‑，向负端第二核心电路输出VRES‑；负端第二核心电路采样VRES‑，对VINN反馈VRES‑；的大小；逻辑控制与寄存器模块根据比较器对VCOM+和VCOM‑判断结果进行运算，向正端第一核心电路、负端第一核心电路分别输出Ctrl+、Ctrl‑，输出量化结果。采用本发明可提高模数转换器的信噪比和量化精度，抑制频带噪声。
一种基于误差反馈噪声整形逐次逼近转换器

[发明专利]一种双模式功率分束器-CN202210243410.3在审
发明人：马汉斯;罗鸣宇;高慧琴;杨俊波;方粮 -专利权人：中国人民解放军国防科技大学
申请日： 2022-03-11 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： G02B6/293 文献下载
摘要：本发明提供了一种双模式功率分束器，包括衬底，所述衬底上设有顶层硅，顶层硅包括优化区，所述优化区的一端设置输入波导，另一端设置第一输出波导和第二输出波导，所述第一输出波导和第二输出波导输出不同的模式，所述优化区被划分为N×M个同等大小的正方形单元，通过调整所述正方形单元中心的状态，形成一个满足预定输出目标的非周期性打孔阵列，所述输出目标是指第一输出波导和第二输出波导的光功率的比值为50：50；本发明提供的双模式功率分束器能实现以50：50的功率比分束输出，同时实现模式的转换，可广泛应用在模分复用系统。
一种双模功率分束器

[发明专利]一种非对称定向耦合器及可调控模式产生器、光环行器-CN202210243401.4在审
发明人：马汉斯;罗鸣宇;高慧琴;杨俊波;方粮 -专利权人：中国人民解放军国防科技大学
申请日： 2022-03-11 - 公布日： 2022-05-31 - 主分类号： G02B6/293 文献下载
摘要：本发明提供了一种非对称定向耦合器，包括衬底，所述衬底上设有顶层硅，所述顶层硅包括第一端口、耦合区域、第一输出波导和第二输出波导，所述耦合区域的一端与第一端口连接，另一端与第一输出波导和第二输出波导连接，所述耦合区域上覆盖有相变材料层，耦合区域被划分为N×M个矩形单元，通过调整所述矩形单元的状态，形成一个满足预定第一输出目标的非周期性第一打孔阵列，所述第一输出目标是指第一输出波导和第二输出波导的透过率之和；本发明提供的非对称定向耦合器尺寸小且易加工，性能稳定，可实现光传播路径的调控。
一种对称定向耦合器调控模式产生器环行器

[发明专利]电压诱导的纳米点磁化单轴到涡旋态的非易失调控方法-CN202011447372.0有效
发明人：刘嘉豪;方粮;李成;许诺;杨彬彬;朱传超;漆学雷 -专利权人：中国人民解放军国防科技大学
申请日： 2020-12-09 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种电压诱导的纳米点磁化单轴到涡旋态的非易失调控方法，目的是解决电驱动低能耗纳米点单轴态到涡旋态转变中的高能耗问题。技术方案是：设计一种由压电层，底电极，N个磁性纳米点及两个短路表电极组成的非易失的纳米点磁化单轴‑涡旋电压调控系统，在压电层上彼此孤立的椭圆磁性纳米点构筑在两个短路表电极之间，长轴方向与两个短路表电极连接线平行。通过施加磁场将磁性纳米点的磁化状态初始化为单轴态后，在短路表电极和底电极之间施加电压，产生应力使得磁性纳米点从单轴态转化为涡旋态。采用本发明成功实现了磁性纳米点磁化单轴态到涡旋态的稳定电压调控，且解决了电驱动低能耗纳米点单轴态到涡旋态转变中的高能耗问题。
电压诱导纳米磁化单轴到涡旋失调方法

[发明专利]一种双模式多通道交叉波导-CN202210242766.5在审
发明人：马汉斯;罗鸣宇;高慧琴;杨俊波;方粮 -专利权人：中国人民解放军国防科技大学
申请日： 2022-03-11 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： G02B6/125 文献下载
摘要：本发明提供了一种双模式多通道交叉波导，包括包括衬底，所述衬底以上设有顶层硅，所述顶层硅包括呈正2N边形的优化区和N个交叉的通道，N≥3，所述通道的中心线沿正2N边形的边的垂直平分线设置，所述优化区沿正2N边形的对称轴被划分为4N个对称区，所述对称区上开设有空气孔，通过调整所述对称区上空气孔的状态，形成一个满足预定输出目标的非周期性打孔阵列，所述输出目标是指每个通道支持两种不同模式光传输；本发明提供的双模式多通道交叉波导尺寸小，性能好，能实现两种不同模式在任意通道传输的交叉功能，进一步增加光互连系统的传输容量。
一种双模通道交叉波导

[发明专利]一种三维忆阻器状态逻辑电路及或非或逻辑实现方法-CN202011445451.8有效
发明人：许诺;马德胜;方粮 -专利权人：中国人民解放军国防科技大学
申请日： 2020-12-09 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种三维忆阻器状态逻辑电路及或非或逻辑实现方法，目的是解决阵列面积开销、中层间信息无法流动的问题。三维忆阻器状态逻辑电路由六个忆阻器和一个串联电阻组成；六个忆阻器和串联电阻均连接到一个公共节点CN；第一、第三、第五忆阻器的顶电极与CN相连，第二、第四、第六忆阻器的底电极与CN相连，串联电阻的一端与CN相连。实现或非或逻辑的方法是先确定输入忆阻器，对忆阻器进行初始化，然后确定输出忆阻器并将输入信息Y'存储；然后根据选择的输出忆阻器用不同的方法采用三维忆阻器状态逻辑实现或非或逻辑。本发明逻辑输入和输出信息可以存储于相邻两层忆阻器阵列中，实现了层间的信息流动，节省了完成逻辑计算需要的面积开销。
一种三维忆阻器状态逻辑电路逻辑实现方法

[发明专利]一种三维忆阻器状态逻辑电路及或非逻辑实现方法-CN202011447242.7有效
发明人：马德胜;许诺;方粮 -专利权人：中国人民解放军国防科技大学
申请日： 2020-12-09 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种三维忆阻器状态逻辑电路及或非逻辑实现方法，目的是解决阵列面积开销、中层间信息无法流动的问题。三维忆阻器状态逻辑电路由六个忆阻器和一个串联电阻组成；六个忆阻器和串联电阻均连接到一个公共节点CN；第一、第三、第五忆阻器的顶电极与CN相连，第二、第四、第六忆阻器的底电极与CN相连，串联电阻的一端与CN相连。实现或非逻辑的方法是先确定输入忆阻器，对忆阻器进行初始化，然后确定输出忆阻器，采用三维忆阻器状态逻辑实现“或非”NOR逻辑。本发明逻辑输入和输出信息可以存储于相邻两层忆阻器阵列中，实现了层间的信息流动，节省了完成逻辑计算需要的面积开销。
一种三维忆阻器状态逻辑电路逻辑实现方法

1
2
下一页»
尾页
共 28 条