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[发明专利]磁控溅射装置用阴极单元及磁控溅射装置-CN202280012554.6在审
发明人：青柳利哉;新井真;高泽悟 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2022-03-18 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明提供一种具有能够定期去除在靶的中央区域上残留的非侵蚀区域中形成的再沉积膜的功能，并能够在具有高纵横比的凹部的基板整个面上覆盖性良好地成膜的磁控溅射装置(SM)用阴极单元及磁控溅射装置。阴极单元(CU1)具备多个第一和第二磁体单元(61、62)，其配置在靶(5)的溅射面(51)所背对的一侧，并分别绕轴线(Cl)被旋转驱动。第一磁体单元构成为使第一漏磁场(Mf1)作用于在内侧包含靶中心(Tc)的溅射面的前方空间。第二磁体单元构成为，使第二漏磁场(Mf2)局部作用于位于靶中心和靶外缘部之间的溅射面的前方空间，并且能够进行被第二漏磁场所封闭的等离子体在低压力下的自持放电。
磁控溅射装置阴极单元

[发明专利]对展示有展示物的空间进行照明的照明系统和照明方法-CN201880025918.8有效
发明人：深泽孝一;新井真 -专利权人：西铁城电子株式会社
申请日： 2018-04-20 - 公布日： 2022-01-14 - 主分类号： F21S8/04 文献下载
摘要：课题在于提供照明系统和照明方法，使得在感知上通过Duv向负向较大地远离0的VIVID照明而被照射的、包含展示物的空间不带浅桃色，通过如下的对展示有展示物的空间进行照明的照明系统解决该课题，其中，该照明系统包含主要对展示物进行照射并满足规定条件的第1发光装置和主要对该展示物以外的空间进行照射并满足规定条件的第2发光装置。
展示空间进行照明系统方法

[发明专利]移动设备-CN201780063671.4有效
发明人：木下丈;须藤友纪;伊丹宗贵;深泽孝一;新井真 -专利权人：西铁城电子株式会社
申请日： 2017-10-17 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： H04N9/07 文献下载
摘要：提供在小型摄像设备中兼顾处于此消彼长的关系的灵敏度的提高和颜色再现性的设备。一种移动设备，至少具有摄像元件以及配合该摄像元件的拍摄而对被摄体进行照射的发光装置，其中，所述发光装置包含半导体发光元件，将波长580nm下的归一化光谱分布的差、和表示波长区域540nm以上且610nm以下以及波长区域610nm以上且680nm以下的归一化光谱分布的差的值B设为适当的值。另外，通过具有波长控制要素，能够改善摄像图像的颜色再现性等。
移动设备

[发明专利]半导体发光装置和照明装置-CN201880013650.6有效
发明人： 新井真 -专利权人：西铁城电子株式会社
申请日： 2018-02-26 - 公布日： 2021-02-05 - 主分类号： F21V7/24 文献下载
摘要：本发明的课题在于提供一种发光装置，其在实际照射了光的被摄体中能够实现自然且生动、视认性高、舒适的颜色外观，在此基础上进一步还可实现能够提高皮肤的外观的光。通过下述发光装置可解决发明课题，该发光装置为具有半导体发光元件的发光装置，其可提高平均彩度，此外可发出使15种修正蒙赛尔色卡中的ΔC14和ΔC11的值满足特定值以及特定关系的光。
半导体发光装置照明

[发明专利]薄膜形成装置-CN201680015597.4有效
发明人：上野充;仓田敬臣;新井真;清田淳也;斋藤一也 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2016-01-29 - 公布日： 2019-09-03 - 主分类号： C23C14/56 文献下载
摘要：提供一种低成本且量产性较高的薄膜形成装置。在成膜室（11）的内部配置由转台构成的旋转装置（21），在对准场所（16）上进行了成膜对象物（5a、5b）的对准之后，在设于旋转装置（21）的基板支架（34a、34b）上配置进行了与掩模（4a、4b）之间的对准的成膜对象物（5a、5b），使旋转装置（21）旋转而移动到成膜场所（15）上。接着，使成膜源（22）一边释放成膜材料的微小粒子一边移动，在成膜场所（15）上的成膜对象物（5a、5b）上形成薄膜。此时，能够在对准场所（16）上配置未成膜的成膜对象物（5a、5b）并进行对位。因此，在本薄膜形成装置（10）中，有一个成膜源（22）和一个对准所需的装置即可。
薄膜形成装置

[发明专利]成膜方法-CN201510033778.7有效
发明人：小林大士;武井応树;矶部辰徳;新井真;清田淳也 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2015-01-23 - 公布日： 2019-03-05 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明提供一种成膜方法，其具有能使基板面内膜厚度分布和薄膜质量分布均匀性良好地成膜的功能，并且可使各靶的靶寿命大致均等而有利于批量生产。在处理室(11a、11b)内，以处理室的相连设置方向为移动方向，沿移动方向以等间隔分别并列设置相同个数的靶(31a～31l)，在各处理室内将基板传送到与各靶相对的位置并停止，层压薄膜。改变基板的停止位置，以使各处理室相互间在基板表面上的与各靶相对的区域在移动方向上彼此错开。除分别位于移动方向前后端的靶外的各靶上输入的功率为稳态功率，在分别位于移动方向前后端的靶上，随每次待成膜处理基板的变更而交替切换低于稳态功率的低功率和高于稳态功率的高功率，且输入功率时相互切换给两靶的输入功率。
方法

[发明专利]成膜方法-CN201780038184.2在审
发明人：水野熊介;矶部辰德;水野太平;永田纯一;小林大士;大久保裕夫;新井真 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2017-05-31 - 公布日： 2019-02-12 - 主分类号： C23C14/08 文献下载
摘要：本发明提供一种可维持规定的成膜率不变，并有效形成应力在规定值以内的氧化铝膜的成膜方法。在本发明中，在真空室(1)内相对配置被成膜物(S)和铝材质的靶(2₁，2₂)，向真空气氛中的真空室内导入稀有气体和氧气、给靶施加规定电力对靶进行溅射，使铝原子和氧的反应产物附着并堆积在被成膜物的表面上形成氧化铝膜。此时，向真空室内导入水蒸汽。水蒸汽的分压设置在1×10^‑3Pa～0.1Pa的范围内。
成膜被成膜物氧化铝膜水蒸汽室内稀有气体相对配置真空气氛铝材质铝原子真空室对靶分压附着溅射氧气堆积施加

[发明专利]触控面板-CN201510037170.1有效
发明人：铃木寿弘;新井真;石桥哲;须田具和 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2015-01-26 - 公布日： 2019-01-01 - 主分类号： G06F3/041 文献下载
摘要：本发明提供一种触控面板及触控面板的制造方法，该触控面板配置于显示面板上且采用通过触摸操作面来操作的电容方式，其具有透明基板、在所述透明基板的所述操作面的背面侧沿X方向形成的多个X电极以及沿与所述X方向正交的Y方向形成的多个Y电极。所述多个X电极和所述多个Y电极具有：形成于所述背面侧的同一面的多个透明电极；以及在所述X电极和所述Y电极经由绝缘部相互交叉的交叉部，立体连接相邻的所述X电极的透明电极或相邻的所述Y电极的透明电极中的任一方的跳线。所述跳线具有与所述透明电极连接的第一层和层叠于该第一层的第二层。所述第一层包括第一金属氧化膜，所述第二层包括第二金属氧化膜。所述第一层的折射率低于所述第二层的折射率。
面板

[发明专利]场效应晶体管的制造方法-CN201610010064.9有效
发明人：赤松泰彦;武井应树;清田淳也;石桥晓;汤川富之;小林大士;仓田敬臣;新井真 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2009-08-17 - 公布日： 2018-11-09 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明提供一种场效应晶体管的制造方法，其无需进行高温退火处理也能提高晶体管特性。采用溅射法用100℃以上的成膜温度形成构成活性层的In‑Ga‑Zn‑O薄膜。再用300℃的温度在大气中进行退火处理。实施退火处理的目的是提高刚刚形成的活性层的晶体管特性。与未经加热而形成的In‑Ga‑Zn‑O薄膜相比，一边加热基材一边采用溅射法而形成的In‑Ga‑Zn‑O薄膜的内应变或缺陷较少。因此，与未经加热而形成的In‑Ga‑Zn‑O薄膜相比，将经加热而形成的相同材料薄膜作为活性层时可提高退火效果。因而本发明可通过低温退火处理形成具有优异晶体管特性的活性层。
场效应晶体管制造方法

[发明专利]触摸面板、触摸面板的制造方法、光学薄膜基板及其制造方法-CN201480003204.9有效
发明人：原田学;井堀敦仁;铃木寿弘;柳坪秀典;松本昌弘;久保昌司;新井真 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2014-07-10 - 公布日： 2018-01-12 - 主分类号： G06F3/041 文献下载
摘要：本发明的触摸面板包括盖基板；连接部，设置在所述盖基板上的除显示区域之外的区域，包括色彩层、和由以金属层与比所述金属层更厚的介电体层交替层压的方式构成的多层结构体形成的屏蔽层；以及触摸面板基板，以介入所述连接部的方式与所述盖基板对置配置。
触摸面板制造方法光学薄膜及其

[发明专利]溅射方法-CN201310178846.X有效
发明人：大谷佑介;新井真;仓田敬臣;佐藤重光 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2013-05-15 - 公布日： 2017-04-12 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明提供一种溅射法，其在对靶进行溅射成膜时，可有效地抑制产生薄膜厚度分布和薄膜质量分布的起伏，其以各靶31～34的与基板W的相对面侧为上，通过配置在各靶下方的磁铁单元41～44在各靶的上方形成隧道状的漏磁场M1、M2，在溅射中，使各磁铁单元同步地在X方向上以规定的冲程对靶做相对的往复运动，并使基板在X方向以规定的冲程对靶做相对的往复运动，使各磁铁单元和基板向相反方向移动，设置从往复运动的起点到折返位置为止的时间相等。
溅射方法

[发明专利]薄型电路板处理装置-CN201480003237.3有效
发明人：藤长徹志;松本昌弘;新井真;真濑江理子;岩井治宪;高桥康司;井堀敦仁 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2014-01-28 - 公布日： 2017-02-22 - 主分类号： C23C14/50 文献下载
摘要：薄型电路板处理装置(10)具备处理薄型电路板(S)的电路板处理部(20A；20B)；以及在电路板处理部(20A；20B)处理薄型电路板(S)时冷却薄型电路板(S)的冷却部(31；101)。冷却部(31；101)由静电卡盘(31)或气体冷却部(101)构成，静电卡盘(31)通过吸附由电路板处理部(20A；20B)所处理的薄型电路板(S)的处理面相反侧的面来冷却薄型电路板(S)，气体冷却部(101)通过供应气体给由电路板处理部(20A；20B)所处理的薄型电路板(S)的处理面相反侧的面来冷却薄型电路板(S)。
电路板处理装置

[发明专利]溅射方法-CN201010215176.0有效
发明人：大野遥平;矶部辰德;新井真;赤松泰彦;小松孝 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2010-06-29 - 公布日： 2012-01-11 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：提供一种溅射方法，以简单的方法防止被处理基板外周部的膜层下垂，实现均匀的膜厚分布。在同一平面上并列设置至少三个靶对，在该靶的后方平行配置磁回路，由前述并列设置方向两端的靶对上连接的溅射电源根据规定的电力比供给电力，该电力大于被前述两端的靶对夹持的靶对上连接的溅射电源所供给的电力，并且，提高与前述磁回路并列设置方向垂直的方向上的两端部的磁场强度。
溅射方法

[发明专利]溅射装置、薄膜形成方法以及场效应晶体管的制造方法-CN200980140705.0有效
发明人：仓田敬臣;清田淳也;新井真;赤松泰彦;石桥晓;斋藤一也 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2009-10-14 - 公布日： 2011-09-14 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供能够降低衬底层受到的损伤的溅射装置、薄膜形成方法以及场效应晶体管的制造方法。本发明一个实施方式的溅射装置用于使基板(10)的被处理面上形成薄膜，具有：真空槽(61)、支承机构(93)、溅射靶(80)、磁体(83)。磁体(83)用于产生等离子体，该等离子体对所述溅射面进行轰击而使该溅射面上形成有溅射粒子射出的溅射区域(80a)，并且，该磁体(83)使所述溅射区域(80a)在与所述被处理面相正对着的第1位置以及不与所述被处理面相正对着的第2位置间移动。
溅射装置薄膜形成方法以及场效应晶体管制造

[发明专利]溅射装置、薄膜形成方法以及场效应晶体管的制造方法-CN200980140711.6无效
发明人：仓田敬臣;清田淳也;新井真;赤松泰彦;石桥晓;斋藤一也 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2009-10-09 - 公布日： 2011-09-14 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供能够降低衬底层受到的损伤的溅射装置、薄膜形成方法以及场效应晶体管的制造方法。溅射装置(100)具有传送机构、第1溅射靶(Tc1)、第2溅射靶(Tc2～Tc5)、溅射机构。传送机构配置在真空槽的内部，将支承基板的支承机构沿着平行于所述被处理面的传送面直线运动地进行传送。第1溅射靶(Tc1)对着传送面且与之相隔第1间隔。第2溅射靶配置在第1溅射靶的基板的传送方向的下游侧，对着传送面且与之相隔比第1间隔小的第2间隔。溅射机构使所述第1溅射靶(Tc1)与第2溅射靶(Tc2～Tc5)产生溅射。采用这样的溅射装置(110)，对衬底层的损伤小，能够制造出成膜特性良好的薄膜。
溅射装置薄膜形成方法以及场效应晶体管制造

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