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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]利用多管芯小片的三维集成电路的制造-CN200680027834.5有效
发明人：罗伯特·E·琼斯;斯科特·K·鲍兹德尔 -专利权人：飞思卡尔半导体公司
申请日： 2006-07-03 - 公布日： 2008-09-03 - 主分类号： H01L21/30 文献下载
摘要：一种组装电子器件的方法，该方法包括测试(602)第一管芯的第一晶片(100)以识别性能良好的第一管芯的位置；以及将第一晶片(100)划分(604)成一组小片(104－1、104－2和104－3)，其中小片包括第一管芯的M×N阵列。将小片结合到第二晶片的小片位置以形成小片堆叠，其中小片位置在第二晶片中限定了第二管芯的M×N阵列。将小片堆叠切割(606)成包括结合到第二管芯的第一管芯的器件。根据静态或动态地(使具有超过指定阈值的产率的小片数量最大化)来实现将第一晶片(100)分成多个小片。可执行根据性能良好的管芯模式对小片位置和小片进行的分类来将小片优先结合到相同类的小片位置上。
利用管芯小片三维集成电路制造

[发明专利]分别应变的N沟道和P沟道晶体管-CN200580015236.1有效
发明人： 斯科特·K·鲍兹德尔;塞利·M.·塞里克;比阳·W.·民;万斯·H.·阿达姆斯 -专利权人：飞思卡尔半导体公司
申请日： 2005-04-26 - 公布日： 2007-04-25 - 主分类号： H01L21/30 文献下载
摘要：具有形成在第一晶片上的第一组晶体管和形成在第二晶片的第二组晶体管的集成电路。所述第一晶体管中的至少基本上多数晶体管是第一导电类型，且所述第二组晶体管中的至少基本上多数晶体管是第二导电类型。在晶片被接合到一起后，所述第二晶片的一部分被去除，其中所述第二组晶体管的沟道的应变比所述第一组晶体管的沟道的应变更具压缩性。
分别应变沟道晶体管

[发明专利]机械性增强的焊接区界面及其方法-CN00130967.6有效
发明人： 斯科特·K·鲍兹德尔;托马斯·S·科巴亚西 -专利权人：摩托罗拉公司
申请日： 2000-11-21 - 公布日： 2001-07-25 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：提供耐在用探针探测或封装操作期间会施加的外力的复合焊盘。复合焊盘包括在半导体衬底(100)上形成的非自钝化导电焊盘(134)。然后在导电焊盘上形成绝缘层(136)。去除部分绝缘层使该层有穿孔而露出一部分导电焊盘。留下的部分形成叠置在焊盘上的支撑结构(138)。然后在焊盘结构上面形成自钝化导电封顶层(204),在这场合下绝缘层中的穿孔可以供封顶层和在下面的焊盘露出部分之间电接触用。支撑结构(138)构成保护封顶层和焊盘之间界面的机械阻挡层。
机械增强焊接界面及其方法

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共 3 条

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