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- [发明专利]半导体装置-CN202310189575.1在审
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登尾正人;新林智文;斋藤顺
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株式会社电装;丰田自动车株式会社;未来瞻科技株式会社
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2023-03-02
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2023-09-08
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H01L29/423
- 半导体装置(1)具备衬底(10)、第1导电型的漂移层(12)、多个栅极电极(26)以及多个第2导电型的重复区域(40)。设穿过栅极电极(26)的排列方向上的栅极电极(26)的中心并且在衬底(10)的厚度方向上延伸的中心线为单元中心线(Oc)，在栅极电极(26)的排列方向上，设相邻的单元中心线(Oc)彼此之间的距离为单元间距(Pc)，设穿过栅极电极(26)的排列方向上的重复区域(40)的中心并且在衬底(10)的厚度方向上延伸的中心线为重复中心线(Or)，在栅极电极(26)的排列方向上，设相邻的重复中心线(Or)彼此之间的距离为重复间距(Pr)，单元间距(Pc)与重复间距(Pr)不同。
- 半导体装置
- [发明专利]半导体装置-CN202080023863.4有效
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浦上泰;斋藤顺;山下侑佑
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株式会社电装
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2020-03-26
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2023-08-04
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H01L21/28
- 设单元部(1)中的在漂移层(12)与基体区域(13)的层叠方向上与保护膜(60)重叠的区域为第1单元部(1a)，设与第1单元部(1a)不同的区域为第2单元部(1b)，在第1单元部(1a)及第2单元部(1b)形成有栅极构造。并且，第1电极(20)中，设位于第1单元部(1a)的部位为第1部位(20a)，设位于第2单元部(1b)的部位为第2部位(20b)，设从半导体基板(10)的一面(100a)到第1电极(20)中的与一面(100a)相反侧的表面之间的长度为膜厚，第1部位(20a)具有膜厚比第2部位(20b)厚的部分。
- 半导体装置
- [发明专利]半导体装置-CN201980102660.1在审
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斋藤顺;片冈惠太;山下侑佑;渡边行彦;朽木克博;阴泳信
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株式会社电装
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2019-12-03
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2022-09-20
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H01L29/78
- 一种半导体装置，外周区域具有p型的多个表面耐压区域和配置在比上述多个表面耐压区域靠下侧的p型的多个深部耐压区域。将内周侧表面耐压区域与外周侧表面耐压区域之间的间隔的宽度设为Ws(m)，将上述内周侧表面耐压区域与上述外周侧表面耐压区域之间的表面间隔区域的n型杂质浓度设为Ns(m－3)，将位于上述表面耐压区域与上述深部耐压区域之间的深度范围内的漂移区域的n型杂质浓度设为Nv(m－3)，将上述内周侧表面耐压区域与特定深部耐压区域之间的间隔的宽度设为W v1(m)，将上述外周侧表面耐压区域与特定深部耐压区域之间的间隔的宽度设为Wv2(m)时，满足Nv(Wv1+Wv2)2＜Ns·Ws2的关系。
- 半导体装置
- [发明专利]开关元件-CN201980102398.0在审
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斋藤顺;阴泳信;片冈惠太;山下侑佑;渡边行彦;朽木克博
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株式会社电装
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2019-11-22
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2022-07-15
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H01L29/78
- 开关元件具备设置有沟槽的半导体基板、栅极绝缘膜以及栅极电极。半导体基板具有源极区、体区、漂移区、第一电场缓和区以及连接区。漂移区在体区的下侧的沟槽的侧面及沟槽的底面与栅极绝缘膜相接。第一电场缓和区被配置于漂移区的内部，与沟槽的底面隔开间隔地被配置于沟槽的下部，沿着沟槽的底面延伸。连接区以到达第一电场缓和区的方式从体区向下侧突出，在从上方俯视时，在与沟槽交叉的方向上较长地延伸。在将连接区的介电常数设为ε(F/cm)、将连接区的临界电场强度设为Ec(V/cm)、将元电荷设为e(C)、将从上方俯视位于沟槽的下部的连接区时的p型杂质的面密度设为Q(cm‑2)时，满足Qε·Ec/e。
- 开关元件
- [发明专利]开关元件-CN201980101194.5在审
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斋藤顺;片冈惠太;山下侑佑;渡边行彦;朽木克博;浦上泰
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株式会社电装
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2019-10-11
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2022-05-27
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H01L29/78
- 一种开关元件，具有沟槽型的多个栅极电极。半导体基板具有：n型的漂移区域，在各所述沟槽的底面以及侧面与栅极绝缘膜相接；p型的体区域，在所述漂移区域的上侧与所述栅极绝缘膜相接；p型的多个底部区域，配置于所述沟槽的正下方并且是从所述栅极绝缘膜离开的位置；以及p型的连接区域，将各所述底部区域与所述体区域连接。使相邻的所述底部区域之间的间隔耗尽化所需的耗尽层伸展距离的一半比使体区域与沟槽的下端之间的间隔耗尽化所需的耗尽层伸展距离以及使底部区域与沟槽的下端之间的间隔耗尽化所需的耗尽层伸展距离长。
- 开关元件
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