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[发明专利]半导体装置及半导体存储装置-CN202211630610.0在审
发明人： 斋藤雄太;森伸二;山下博幸;永嶋贤史;松尾和展;高桥恒太;樫山翔太;泽敬一;金山纯一 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2022-12-19 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H10B43/35 文献下载
摘要：实施方式提供一种能提高特性的半导体装置及半导体存储装置。实施方式的半导体装置具备：半导体层，包含硅(Si)；第1绝缘层，设置在半导体层的第1方向；第2绝缘层，在与第1方向垂直的第1剖面中，由半导体层包围，包含硅(Si)及氧(O)；第3绝缘层，在第1剖面中由第2绝缘层包围，包含金属元素及氧(O)；及导电层，在与第1方向垂直的第2剖面中，由第1绝缘层包围，设置在第3绝缘层的第1方向，与半导体层分开。
半导体装置存储

[发明专利]半导体存储装置-CN201910085556.8有效
发明人：山下博幸;森伸二;泽敬一;松尾和展;松田和久;斋藤雄太;高桥笃史;田中正幸 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2019-01-29 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H01L29/792 文献下载
摘要：实施方式提供一种可靠性提高了的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置具备：半导体层；栅极电极；第1绝缘层，设置于半导体层与栅极电极之间；第2绝缘层，设置于第1绝缘层与栅极电极之间；区域，设置于第1绝缘层与第2绝缘层之间，且包含金属或半导体；以及覆盖层，包围区域，且包含硅以及氮。
半导体存储装置

[发明专利]半导体存储装置-CN202010884727.6有效
发明人： 斋藤雄太;森伸二;细谷启司;萩岛大辅;高桥笃史 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2020-08-28 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H10B41/35 文献下载
摘要：实施方式的半导体存储装置包含：第1半导体层、分别与第1半导体层相接的第1及第2绝缘层、与第1绝缘层相接的第2半导体层、与第2绝缘层相接的第3半导体层、第1导电体、与第1导电体相接的第3绝缘层、设置在第2半导体层与第3绝缘层之间的第4绝缘层、设置在第2半导体层与第4绝缘层之间的第1电荷储存层、以及设置在第2半导体层与第1电荷储存层之间且与第2半导体层及第1电荷储存层相接的第5绝缘层。第2半导体层的一部分、第1导电体的一部分、第3绝缘层的一部分、第4绝缘层、第1电荷储存层、及第5绝缘层作为第1存储单元发挥功能。
半导体存储装置

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN202210087631.6在审
发明人： 斋藤雄太;森伸二;山下博幸 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2022-01-25 - 公布日： 2023-02-17 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明的实施方式提供半导体装置的制造方法，其中，将半导体层在低温下氧化从而形成厚的氧化膜。本发明的实施方式的半导体装置的制造方法，在包含硅(Si)的半导体层之上形成包含金属元素和氧(O)且具有第1厚度的第1膜，利用自由基氧化在半导体层与第1膜之间形成包含硅(Si)和氧(O)且具有比第1厚度厚的第2厚度的第2膜。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体存储装置-CN202110928778.9在审
发明人：福田夏树;楢崎亮太;来栖贵史;神谷优太;松尾和展;森伸二;本田彰司;落合隆文;山下博幸;金山纯一;黄河;斋藤雄太;高桥恒太;石丸友纪;虎谷健一郎 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2021-08-13 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： H01L27/1157 文献下载
摘要：实施方式提供能够实现高集成化的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置具备：第1导电层，在第1方向上延伸；第2导电层，在第1方向上延伸，在第2方向上与第1导电层并排；第1绝缘层，设置于第1导电层与第2导电层之间；半导体层，在第2方向上延伸，在第3方向上与第1导电层、第2导电层以及第1绝缘层对置；第1电荷积蓄层，设置于第1导电层与半导体层之间；第2电荷积蓄层，设置于第2导电层与半导体层之间；第1高介电常数层，设置于第1导电层与第1电荷积蓄层之间；以及第2高介电常数层，设置于第2导电层与第2电荷积蓄层之间。第1电荷积蓄层中的至少一部分在第2方向上不隔着第2高介电常数层而与第2电荷积蓄层对置。
半导体存储装置

[实用新型]挡泥板-CN202121823179.2有效
发明人： 斋藤雄太 -专利权人：丰田自动车株式会社
申请日： 2021-08-05 - 公布日： 2021-12-31 - 主分类号： B62D25/16 文献下载
摘要：本实用新型提供一种挡泥板。该挡泥板具备设置在车辆的后轮后方的挡泥板主体部、及形成在挡泥板主体部的上端部并与车体固定连接的安装部，挡泥板主体部至少具有：与后轮相向而对地从车体下部向下方延伸、并在车宽方向上具有规定宽度的前侧壁；从前侧壁的下端部向车长方向的后方延伸的同时向上方弯曲延伸的下侧壁；从前侧壁的车宽方向内侧的端部向车长方向的后方延伸的同时向车宽方向外侧弯曲延伸的内侧壁；及从前侧壁的车宽方向外侧的端部向车长方向的后方延伸的同时向车宽方向内侧弯曲延伸的外侧壁。基于该结构，不仅能够防止被后轮溅起的石子或泥水等飞散或附着在车体等上，而且还能抑制车辆后部的空气阻力增大。
挡泥板

[发明专利]半导体存储装置及其制造方法-CN202010152295.X在审
发明人： 斋藤雄太;森伸二;高桥笃史;柳瀬俊晃;泽敬一;松尾和展;山下博幸 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2020-03-06 - 公布日： 2021-01-12 - 主分类号： H01L27/11568 文献下载
摘要：实施方式涉及一种半导体存储装置及其制造方法。实施方式的半导体存储装置具备：积层体，将多个导电层隔着绝缘层在第1方向上积层而成；半导体层，贯通所述积层体，在所述第1方向上延伸，且含有金属原子；及存储器膜，包含设置在所述积层体与所述半导体层之间的第1绝缘膜、电荷储存层及第2绝缘膜。所述半导体层包围将所述积层体贯通且在所述第1方向上延伸的第3绝缘膜，所述半导体层内的至少1个晶粒具有包围所述第3绝缘膜的形状。
半导体存储装置及其制造方法