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[发明专利]非易失性存储器件及其制备方法-CN202311113059.7在审
发明人： 文才煥;朴鍾旻;金汉洙;高伟;申女 -专利权人：联和存储科技（江苏）有限公司
申请日： 2023-08-31 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H10B41/35 文献下载
摘要：本申请提供一种非易失性存储器件及其制备方法，其中制备方法包括：在部分衬底上形成第一栅氧化层；在其余衬底上形成第二栅氧化层；形成浮栅多晶硅层；形成介质层；形成控制栅多晶硅层；在衬底中形成重掺杂区；在部分浮栅多晶硅层上表面形成台阶；形成层间绝缘层；形成第一导电插塞、第二导电插塞和第三导电插塞。本申请通过在浮栅多晶硅层底部形成由第一栅氧化层和第二栅氧化层构成的组合氧化层结构，可以在形成接触孔时有效缓解刻蚀对浮栅多晶硅层底部的组合氧化层的损伤，改善了器件的电性能；此外，本申请形成并联的第一电容器、第二电容器和第三电容器，并且将第三电容器中的第二栅氧化层的厚度减薄，最大限度地增加了器件电容器的静电容量。
非易失性存储器及其制备方法

[发明专利]3D NAND闪存器件及其制作方法-CN202310637072.6在审
发明人：金汉洙;文才煥;高伟;申女 -专利权人：联和存储科技（江苏）有限公司
申请日： 2023-06-01 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H10B43/35 文献下载
摘要：本申请涉及半导体存储器件技术领域，具体涉及3D NAND闪存器件及其制作方法。其中，所述制作方法包括：先提供半导体衬底层，在半导体衬底层上形成单元隔离结构、沟道结构和源极引出空间，单元隔离结构为堆叠结构包括单元隔离层、存储单元占据空间。再依次沉积第一介质层和第二介质层，第一介质层至少覆盖在单元隔离结构外露的表面。再刻蚀第二介质层，去除位于侧面上全部的第二介质层，去除位于第二表面上至少部分的第二介质层，保留位于第一表面上全部的第二介质层,剩余的第二介质层形成存储单元结构的电子捕获层，最后制作闪存器件的存储单元结构和电极结构。所述闪存器件的电子捕获层结构减少了向源极位置延伸的部分，能够提高数据保持能力。
nand 闪存器件及其制作方法