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[发明专利]使用起泡器的浓度控制-CN202180043625.4在审
发明人： 拉梅什·钱德拉塞卡拉;伊斯瓦·斯里尼瓦桑;埃里卡·萨库拉·斯特兰德贝尔格·波尔;安德鲁·波尔斯;阿列克谢·V·阿尔特科 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2021-07-21 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： C23C16/448 文献下载
摘要：本公开部分涉及用于控制在气体混合物内的组分的浓度。在特定实施方案中，该组分是汽化液体组分，例如汽化稳定剂或汽化前体。还描述了其系统及用于这种控制的方法。
使用起泡浓度控制

[发明专利]用于底座和腔室的热管理的设备-CN202280005395.7在审
发明人：亚伦·布莱克·米勒;亚伦·德宾;拉梅什·钱德拉塞卡拉;布兰得利·泰勒·施特伦 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2022-05-26 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H01L21/687 文献下载
摘要：设备不仅能够减小来自衬底处理系统的底座的不想要的辐射热损失，而且能够减小辐射热传递到所述衬底处理系统的腔室内的其它组件。
用于底座管理设备

[发明专利]光电辅助等离子体点燃-CN202180039950.3在审
发明人：陈利;拉梅什·钱德拉塞卡拉;肖恩·泰勒·史密斯;崎山行则;亚伦·德宾;乔恩·亨利 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2021-05-21 - 公布日： 2023-02-14 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：一种衬底处理系统包含气体源、RF源、以及光源。所述气体源供应第一气体至所述衬底处理系统的处理模块。所述RF源在供应所述第一气体至所述衬底处理系统的所述处理模块时供应RF功率至所述处理模块以产生等离子体。所述光源被耦合至所述处理模块以在所述等离子体产生期间将光导入所述处理模块中。
光电辅助等离子体点燃

[发明专利]用于图案化CD控制的自动前馈和反馈序列-CN202180034834.2在审
发明人：拉维·库马尔;普尔凯特·阿加瓦尔;迈克尔·菲利普·罗伯茨;拉梅什·钱德拉塞卡拉;阿德里安·拉沃伊 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2021-05-04 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： H01L21/033 文献下载
摘要：一种执行用于图案化CD控制的反馈序列的方法。该方法包括：在晶片上执行系列工艺步骤以获得多个特征，其中工艺步骤是在工艺条件下执行的。该方法包括：在执行所述系列工艺步骤之后测量所述多个特征的尺寸。该方法包括：确定所述多个特征的所测量的所述尺寸与目标尺寸之间的差异。该方法包括：基于所述差异和将尺寸变化和工艺条件变化相关联的所述多个特征的灵敏度系数来修正工艺步骤的工艺条件。
用于图案 cd 控制自动反馈序列

[发明专利]具有散热器的高温衬底支撑件-CN202180014767.8在审
发明人： 拉梅什·钱德拉塞卡拉;卡尔·弗雷德里克·利瑟;克里斯多夫·盖奇;塞舒·尼玛拉;兰基山·拉奥·林加姆帕利;乔尔·霍林斯沃思;文森特·布克哈特;威廉·拉弗蒂;谢尔盖·格奥尔吉耶维奇·别洛斯托茨基 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2021-02-17 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： C23C16/458 文献下载
摘要：一种用于衬底支撑件的基板包含：加热器层，其被配置成选择性加热所述基板；以及散热器，其被设置在所述加热器层和所述基板的上表面之间。所述散热器被配置成将所述加热器层提供的热能分布至所述整个基板。所述基板包含第一材料，所述第一材料具有第一热膨胀系数(CTE)和第一热传导率。所述散热器包含第二材料，所述第二材料具有第二CTE以及大于所述第一热传导率的第二热传导率。
具有散热器高温衬底支撑

[发明专利]用于管理不均匀性的晶片平面下方的非对称清扫块-CN202080088587.X在审
发明人： 拉梅什·钱德拉塞卡拉;阿德里安·拉沃伊;迈克尔·菲利普·罗伯茨 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2020-12-15 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：一种用于衬底支撑件的清扫挡板包含环形环部以及第一部分，所述环形环部被配置成在所述衬底支撑件下方的容积中环绕在所述衬底支撑件周围的外周边。所述第一部分包含：充气部，其被限定在所述衬底支撑件下方的所述容积中的所述第一部分的下方和所述环形环部的外部；以及多个开口，其提供从所述第一部分上方的区域进入所述充气部的各自的流动路径。所述多个开口中的至少第一开口具有第一传导率，且所述多个开口中的至少第二开口具有不同于所述第一传导率的第二传导率。
用于管理不均匀晶片平面下方对称清扫

[发明专利]多区段式基座的温度控制-CN202080058573.3在审
发明人： 拉梅什·钱德拉塞卡拉;迈克尔·菲利普·罗伯茨;亚伦·宾汉;阿施施·索拉卜;阿德里安·拉沃伊;普尔凯特·阿加瓦尔;拉维·库马尔 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2020-06-22 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： C23C16/46 文献下载
摘要：一种处理半导体衬底的系统包含：衬底支撑件组件，其被配置成支撑所述半导体衬底。所述衬底支撑件组件包含：M个电阻加热器，其被分别设置于所述衬底支撑件组件的层中的M个区段中，其中M为大于1的整数。所述层邻近于所述半导体衬底。所述衬底支撑件组件包含：N个温度传感器，其被设置于所述层中的N个位置处，其中N为大于1且小于或等于M的整数。所述系统还包括：控制器，其被配置成基于由所述N个温度传感器中的一者所感测的温度和所述M个区段中的一或多者的平均温度而控制所述M个电阻加热器中的一或多者。
区段基座温度控制

[发明专利]半导体衬底处理中用于修正方位角不均匀性的旋转的使用-CN202080058532.4在审
发明人： 拉梅什·钱德拉塞卡拉;萨沙撒耶·瓦拉达拉简;普尔凯特·阿加瓦尔;拉维·库马尔;阿德里安·拉沃伊;马库斯·卡伯利;迈克尔·菲利普·罗伯茨 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2020-06-16 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：一种衬底处理系统包含衬底支撑件和控制器。该衬底支撑件包含：升降垫、多个区段以及遍及所述多个区段设置的多个电阻加热器。所述多个电阻加热器包含设置于所述多个区段中的各个区段中的能单独控制的电阻加热器。控制器被配置成：确定设置于所述升降垫上的衬底的旋转位置，选择性地旋转所述升降垫以将所述衬底调整至所述旋转位置，并且基于所述旋转位置而控制所述多个电阻加热器，以选择性地调整所述多个区段内的温度。
半导体衬底处理用于修正方位角不均匀旋转使用

[发明专利]多站半导体处理中的可独立调整流路传导性-CN202080055744.7在审
发明人：迈克尔·菲利普·罗伯茨;布莱恩·威廉姆斯;弗朗西斯科·J·华雷斯;雷切尔·E·巴策尔;拉梅什·钱德拉塞卡拉;理查德·菲利普斯;杨·诺亚;约瑟夫·L·沃马克;李明;钱俊;洪图;斯凯·穆勒诺 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2020-05-22 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本文提供了用于独立调整流路传导性的方法及装置。一种多站处理装置可以包括：处理室；位于所述处理室中的多个处理站，其各自包括具有进气口的喷头；以及气体输送系统，其包括接合点和多个流路，其中每一流路：包括流量元件，包括温度控制单元，其与所述流量元件热连接，且其是能控制的以改变所述流量元件的温度，以及将处理站的一个对应进气口流体连接至所述接合点，使得所述多个处理站中的每一处理站通过不同流路流体连接至所述接合点。
半导体处理中的独立调整传导性

[发明专利]在传送衬底期间使用真空-CN202080045294.3在审
发明人： 拉梅什·钱德拉塞卡拉;迈克尔·菲利普·罗伯茨;保罗·康科拉;迈克尔·G·R·史密斯;布莱恩·约瑟夫·威廉姆斯;拉维·库马尔;普尔凯特·阿加瓦尔;阿德里安·拉沃伊 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2020-06-16 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： H01J37/18 文献下载
摘要：一种用于抽空衬底处理系统中衬底下方的容积空间的方法包括：将所述衬底布置在衬底支撑件的升降机构上，以将所述衬底下方的容积空间限定在所述衬底与所述衬底支撑件的上表面之间。启动抽空步骤以抽空所述衬底下方的所述容积空间。所述抽空步骤包括经由穿过所述升降机构和围绕所述升降机构中的至少一者抽排所述衬底下方的所述容积空间。在所述抽空步骤期间降低所述升降机构以将所述衬底定位在所述衬底支撑件的上表面上；以及终止所述抽空步骤。
传送衬底期间使用真空

[发明专利]针对多重图案化工艺使用多区加热衬底支撑件的修整与沉积轮廓控制-CN202080026510.X在审
发明人： 拉梅什·钱德拉塞卡拉;迈克尔·菲利普·罗伯茨;普尔凯特·阿加瓦尔;阿德里安·拉沃伊;拉维·库马尔;杨诺亚;苏陈妙妙;阿施施·索拉卜 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2020-02-12 - 公布日： 2021-11-19 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：提供衬底处理系统，其包括衬底支撑件、存储器、校准模块、操作参数模块和求解模块。衬底支撑件支撑衬底并且包括温度控制元件。存储器存储用于所述温度控制元件的温度校准值和灵敏度校准值。校准模块在所述温度控制元件的校准期间执行：第一校准过程，其用于确定所述温度校准值，或第二校准过程，其用于确定所述灵敏度校准值。所述灵敏度校准值用于将修整量或将沉积量中的至少一者关联至温度变化。操作参数模块基于所述温度校准值和所述灵敏度校准值来确定用于所述温度控制元件的操作参数。求解模块在所述温度控制元件的所述校准后，基于所述操作参数而在修整步骤或沉积步骤中的至少一者期间控制所述温度控制元件的操作。
针对多重图案化工使用加热衬底支撑修整沉积轮廓控制

[发明专利]调节多区域衬底支撑件的温度瞬时以快速调整关键尺寸不均匀性-CN202080021649.5在审
发明人：拉维·库马尔;普尔凯特·阿加瓦尔;阿德里安·拉沃伊;拉梅什·钱德拉塞卡拉;迈克尔·菲利普·罗伯茨 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2020-03-10 - 公布日： 2021-10-29 - 主分类号： H01L21/033 文献下载
摘要：一种衬底处理系统包含处理室；包含多个加热器区域的衬底支撑件，其布置在所述处理室中；气体输送系统，其被配置成输送处理气体至所述处理室；以及控制器，其被配置成：与所述气体输送系统和所述多个加热器区域通信，在衬底布置在所述衬底支撑件上之后以及在所述衬底到达所述衬底支撑件的稳态温度之前的瞬时温度时段期间，启动处理的第一处理步骤，以及基于在与所述第一处理步骤对应的时段期间针对所述多个加热器区域中的相应区域所确定的平均热函数，调整在所述第一处理步骤期间对所述多个加热器区域中的每一个区域的加热。
调节区域衬底支撑温度瞬时快速调整关键尺寸不均匀

[发明专利]用于在原子层沉积(ALD)衬底处理室中调整膜性质的基座-CN202080013308.3在审
发明人：阿德里安·拉沃伊;迈克尔·菲利普·罗伯茨;克洛伊·巴尔达赛罗尼;理查德·菲利普斯;拉梅什·钱德拉塞卡拉 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2020-01-30 - 公布日： 2021-09-21 - 主分类号： C23C16/458 文献下载
摘要：一种用于利用原子层沉积于衬底上沉积膜的系统包含：基座，其被设置于处理室中，以于所述衬底上沉积所述膜时将所述衬底支撑于所述基座的顶表面上。位于所述基座中的第一环形凹部从所述基座的所述顶表面往下延伸且从所述基座的外缘朝向所述衬底的外缘而径向往内延伸。所述第一环形凹部具有大于所述衬底的直径的内径。由介电材料所制成的环形环在所述第一环形凹部中环绕所述衬底而设置。在所述基座中的第二环形凹部位于所述环形环的下方。所述第二环形凹部具有高度且从所述基座的外缘朝向所述衬底的外缘而径向往内延伸。
用于原子沉积 ald 衬底处理调整性质基座

[发明专利]用于工件处理室的组成零件的多层涂层-CN201980082914.8在审
发明人：保罗·康科拉;拉梅什·钱德拉塞卡拉;安德鲁·H·布伦宁格;托尼·沙琳·考沙尔 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2019-11-13 - 公布日： 2021-08-10 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：一种处理工具，其包含用于处理工件的处理室，该处理室包含涂覆有多层保护涂层的至少一个组成零件，该多层保护涂层包含(a)形成于该至少一个组成零件上的铝层，以及(b)形成于该铝层上的陶瓷涂层。在多种实施方案中，多层保护涂层可以在组装处理室之前或至少部分原位地在该处理室中施加至该至少一个组成零件上。
用于工件处理组成零件多层涂层

[发明专利]多路复用的基于高TCR的安瓿加热器-CN201980062821.9在审
发明人： 拉梅什·钱德拉塞卡拉 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2019-09-19 - 公布日： 2021-05-04 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：一种用于加热衬底处理系统的部件的系统包含控制器和多个加热器，所述多个加热器被设置于沿流体流动路径的多个位置处，所述流体流动路径从流体源至所述衬底处理系统中的目的地。所述控制器被配置成：将所述多个加热器分组为多个加热器群组。每个加热器群组包含所述多个加热器中的至少一者。所述控制器还被配置成：确定待在所述多个加热器群组之间维持的温度梯度。所述控制器还被配置成：从所述多个加热器群组中选择加热器群组；并且控制供应至所选择的所述加热器群组的功率，以在所述多个加热器群组之间维持所述温度梯度。
多路复用基于 tcr 安瓿加热器

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