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[发明专利]飞行时间图像传感器像素电路及其读出方法、图像传感器-CN202210180509.3在审
发明人： 戴顺麒;王倩;任玉齐;张盛鑫;王文轩 -专利权人：思特威（合肥）电子科技有限公司
申请日： 2022-02-25 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H04N25/70 文献下载
摘要：本申请涉及一种飞行时间图像传感器像素电路及其读出方法、图像传感器，该飞行时间图像传感器像素电路中，若干传输晶体管以感光元件为中心成对设置，成对设置的传输晶体管传输的光电荷信号为同一时期积分的电荷信号，成对设置的传输晶体管输出的光电荷信号经对应的输出控制单元输出后被合并为一个总的光电荷信号以进行图像处理，辅之以飞行时间图像传感器像素电路的读出方法，通过划分多个深度子帧读出相位信号的方式，可以在保持原有的像素尺寸的前提下，最大程度缩短光电荷信号的传输距离，在不牺牲工作频率的前提下，增加深度测量精度，同时提升图像传感器的信噪比。
飞行时间图像传感器像素电路及其读出方法

[发明专利]飞行时间图像传感器像素电路及其驱动方法、图像传感器-CN202210151244.4在审
发明人： 戴顺麒;任冠京;莫要武;杨光;侯金剑;杨靖;陈鹏;汤黎明 -专利权人：思特威（合肥）电子科技有限公司
申请日： 2022-02-16 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H04N25/77 文献下载
摘要：本发明涉及一种飞行时间图像传感器像素电路及其驱动方法、图像传感器，该像素电路包括感光元件、若干读取控制单元以及校正单元；所述若干读取控制单元包括若干对应的浮动扩散点，所若干读取控制单元用于分别对所述感光元件传输的电荷信号进行读取控制；所述校正单元的一端连接至高电平电压信号，另一端连接所述若干读取控制单元对应的所述浮动扩散点；其中，所述校正单元用于在积分期间当至少一个浮动扩散点的电位低于预设电压时，同时对全部浮动扩散点进行复位以重新积分，从而可以有效降低背景光过强对本飞行时间图像传感器像素电路的干扰，确保感光元件传输的电荷信号顺利读出。
飞行时间图像传感器像素电路及其驱动方法

[实用新型]飞行时间图像传感器像素电路及图像传感器-CN202220316061.9有效
发明人： 戴顺麒;任冠京;莫要武;杨光;侯金剑;杨靖;陈鹏;汤黎明 -专利权人：思特威（合肥）电子科技有限公司
申请日： 2022-02-16 - 公布日： 2022-08-26 - 主分类号： H04N5/341 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种飞行时间图像传感器像素电路及图像传感器，该像素电路包括感光元件、若干读取控制单元以及校正单元；所述若干读取控制单元包括若干对应的浮动扩散点，所述若干读取控制单元用于分别对所述感光元件传输的电荷信号进行读取控制；所述校正单元的一端连接至高电平电压信号，另一端连接所述若干读取控制单元对应的所述浮动扩散点；其中，所述校正单元用于在积分期间当至少一个浮动扩散点的电位低于预设电压时，同时对全部浮动扩散点进行复位以重新积分，从而可以有效降低背景光过强对本飞行时间图像传感器像素电路的干扰，确保感光元件传输的电荷信号顺利读出。
飞行时间图像传感器像素电路

[实用新型]飞行时间图像传感器像素电路及图像传感器-CN202220406396.X有效
发明人： 戴顺麒;王倩;任玉齐;张盛鑫;王文轩 -专利权人：思特威（合肥）电子科技有限公司
申请日： 2022-02-25 - 公布日： 2022-08-26 - 主分类号： H04N5/369 文献下载
摘要：本申请涉及一种飞行时间图像传感器像素电路及图像传感器，该飞行时间图像传感器像素电路中，若干传输晶体管以感光元件为中心成对设置，成对设置的传输晶体管传输的光电荷信号为同一时期积分的电荷信号，成对设置的传输晶体管输出的光电荷信号经对应的输出控制单元输出后被合并为一个总的光电荷信号以进行图像处理，可以在保持原有的像素尺寸的前提下，最大程度缩短光电荷信号的传输距离，在不牺牲工作频率的前提下，增加深度测量精度，同时提升图像传感器的信噪比。
飞行时间图像传感器像素电路

[发明专利]低功率光子解调器-CN202210076966.8在审
发明人： 戴顺麒;陈文新 -专利权人：香港科技大学
申请日： 2022-01-24 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：公开了一种用于检测由接收的光产生的光子的光电检测器。该光电检测器包括半导体衬底、两个或更多个引导区、光感测区和两个或更多个检测区。半导体衬底和引导区掺杂有第一导电类型的掺杂剂。光感测区设置在两个或更多个引导区之间，用于来自接收的光的冲击光子产生光载流子。检测区掺杂有第二导电类型的掺杂剂。引导区分别连接到电源以在引导区上施加电势，以控制对冲击光子的检测率。提供光感测区以在引导区之间至少形成被反向偏置的pn结，以减少或防止引导区之间的泄漏路径。
功率光子解调器

[发明专利]TOF图像传感器像素结构及测距系统-CN202011063269.6在审
发明人： 戴顺麒;任冠京;莫要武;石文杰;侯金剑 -专利权人：思特威（上海）电子科技股份有限公司
申请日： 2020-09-30 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H04N5/341 文献下载
摘要：本发明属于图像传感器技术领域，涉及TOF图像传感器像素结构及测距系统，其中，TOF图像传感器像素结构，包括第一读取控制模块、第二读取控制模块及至少两个预设尺寸的小光传感器。第一读取控制模块中包括至少两个第一传输晶体管，且第一读取控制模块通过至少两个第一传输晶体管分别与至少两个预设尺寸的小光传感器一一对应连接。第二读取控制模块中包括至少两个第二传输晶体管，且第二读取控制模块通过至少两个第二传输晶体管分别与至少两个预设尺寸的小光传感器一一对应连接。其中，连接同一个小光传感器的第一传输晶体管和第二传输晶体管对称设置。因此，本发明能够提高光生电荷的传输效率，进而能够实现提升测距能力、测距精度的目的。
tof 图像传感器像素结构测距系统

[发明专利]测距像素结构及TOF图像传感器-CN202011063250.1在审
发明人： 戴顺麒;任冠京;莫要武;石文杰;侯金剑 -专利权人：思特威（上海）电子科技股份有限公司
申请日： 2020-09-30 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明属于图像传感器技术领域，涉及一种TOF图像传感器的测距像素结构及TOF图像传感器。其中，TOF图像传感器的测距像素结构，包括衬底、第一收集节点、第二收集节点及两个门电极。第一收集节点和第二收集节点并列设置于衬底中，均用于收集周围的光生电荷。两个门电极并列设置于衬底中，且位于第一收集节点和第二收集节点之间，用于在衬底中产生导流电场，以将导流电场内的光生电荷导向第一收集节点或第二收集节点。其中，两个门电极的外壁上均包覆有氧化层。因此，本实施例提供的测距像素结构的静态功耗很低，使得应用本发明提供的测距像素结构的TOF图像传感器能够具有功耗低的优点。
测距像素结构 tof 图像传感器

[发明专利]TOF图像传感器像素结构及测距系统-CN202011063247.X在审
发明人： 戴顺麒;任冠京;莫要武;石文杰;侯金剑 -专利权人：思特威（上海）电子科技股份有限公司
申请日： 2020-09-30 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H04N5/341 文献下载
摘要：本发明属于图像传感器技术领域，涉及一种TOF图像传感器像素结构及测距系统，其中，TOF图像传感器像素结构，包括光传感器、第一读取控制模块、第二读取控制模块及电荷平衡单元。光传感器用于进行光电转换以产生电荷。第一读取控制模块和第二读取控制模块均与光传感器相连，均用于根据电荷进行读取控制。电荷平衡单元与第一读取控制模块的第一浮动扩散节点和第二读取控制模块的第二浮动扩散节点相连，用于在重置后平衡第一浮动扩散节点和第二浮动扩散节点的电荷。因此，本发明能够确保TOF图像传感器像素中的几个浮动扩散节点的电压在重置后相等，从而能够缓解像素内的固定模式噪声、提高图像传感器的测距精度。
tof 图像传感器像素结构测距系统

[发明专利]TOF图像传感器像素结构及测距系统-CN202011066330.2在审
发明人： 戴顺麒;任冠京;莫要武;石文杰;侯金剑 -专利权人：思特威（上海）电子科技股份有限公司
申请日： 2020-09-30 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H04N5/341 文献下载
摘要：本发明属于图像传感器技术领域，涉及一种TOF图像传感器像素结构及测距系统，其中，TOF图像传感器像素结构，包括光传感器及传输电路。光传感器包括电位逐级递减的第一感光区域、第二感光区域及第三感光区域，用于产生电位差，协助自身产生的电荷流向与第三感光区域连接的传输电路。因此，本发明通过电位从高到低的第一感光区域、第二感光区域及第三感光区域能够将光传感器产生电荷快速的传输至传输电路，从而能够使得该电荷快速的传输到存储单元(例如存储节点或存储电容)，故而提高了光电二极管产生的电荷的传输效率，进而能够提高测距精度。
tof 图像传感器像素结构测距系统

[发明专利]光电二极管及TOF测距装置-CN202011066334.0在审
发明人： 戴顺麒;任冠京;莫要武;石文杰;侯金剑 -专利权人：思特威（上海）电子科技股份有限公司
申请日： 2020-09-30 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明公开一种光电二极管及TOF测距装置，该光电二极管包括衬底、第一电极层、第一电极、第二电极层、第二电极和辅助电极，所述第一电极层设于所述衬底上，所述第一电极设于所述第一电极层上，所述第二电极层设于所述衬底上，所述第二电极设于所述第二电极层上，所述辅助电极接电位或悬空，以产生与所述第一电极层和所述衬底之间的电场方向相对抗的电场，或者对所述第一电极层和所述衬底之间的电场形成屏蔽。本发明的光电二极管及TOF测距装置中，由于辅助电极产生与第一电极层和衬底之间的电场方向相对抗的电场，或者辅助电极对第一电极层和衬底之间的电场形成屏蔽，因此能降低第一电极层边沿的电场，从而起到降低暗计数的作用。
光电二极管 tof 测距装置

[发明专利]TOF图像传感器像素结构及测距系统-CN202011069498.9在审
发明人： 戴顺麒;任冠京;莫要武;石文杰;侯金剑 -专利权人：思特威（上海）电子科技股份有限公司
申请日： 2020-09-30 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H04N5/341 文献下载
摘要：本发明属于图像传感器技术领域，涉及TOF图像传感器像素结构及测距系统，其中，TOF图像传感器像素结构，包括电场生成栅极、光传感器及传输电路。传输电路与光传感器的下端连接，用于接收光传感器产生的电荷。电场生成栅极覆盖光传感器的上端，用于在加负压时制造一个恒定的电场，以协助电荷传输至传输电路。因此，本发明通过在光传感器上端设置能够加负压的电场生成栅极，使得光传感器内产生电位差，从而制造一个恒定的电场，进而能够将光传感器产生电荷快速的传输至传输电路，进一步使得该光传感器产生的电荷快速的传输到存储单元(例如存储节点或存储电容)，故而，本发明提高了光电二极管产生的电荷的传输效率，进而能够实现提高测距精度的目的。
tof 图像传感器像素结构测距系统

[发明专利]一种TOF图像传感器像素结构及测距系统-CN202011069901.8在审
发明人： 戴顺麒;任冠京;莫要武;石文杰;侯金剑 -专利权人：思特威（上海）电子科技股份有限公司
申请日： 2020-09-30 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H04N5/341 文献下载
摘要：本发明涉及一种TOF图像传感器像素结构及测距系统，包括光传感器，与光传感器分别耦接的第一读取控制单元、第二读取控制单元以及抗溢出晶体管；第一读取控制单元与第二读取控制单元均分别包括复位晶体管传输晶体管及输出单元；复位晶体管用于重置浮动扩散节点的电压；传输晶体管耦接光传感器至对应的浮动扩散节点；输出单元耦接至对应的浮动扩散节点；抗溢出晶体管的第一通路端耦接至电压源，抗溢出晶体管的第二通路端耦接至光传感器。该像素结构可以在调制光没有打开时消除背景光信号，避免背景光电荷传输到浮动扩散节点，提高测距精度，并且具有高动态范围特性。
一种 tof 图像传感器像素结构测距系统

[实用新型]光电二极管及TOF测距装置-CN202022223841.2有效
发明人： 戴顺麒;任冠京;莫要武;石文杰;侯金剑 -专利权人：思特威（上海）电子科技股份有限公司
申请日： 2020-09-30 - 公布日： 2021-04-20 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本实用新型公开一种光电二极管及TOF测距装置，该光电二极管包括衬底、第一电极层、第一电极、第二电极层、第二电极和辅助电极，所述第一电极层设于所述衬底上，所述第一电极设于所述第一电极层上，所述第二电极层设于所述衬底上，所述第二电极设于所述第二电极层上，所述辅助电极接电位或悬空，以产生与所述第一电极层和所述衬底之间的电场方向相对抗的电场，或者对所述第一电极层和所述衬底之间的电场形成屏蔽。本实用新型的光电二极管及TOF测距装置中，由于辅助电极产生与第一电极层和衬底之间的电场方向相对抗的电场，或者辅助电极对第一电极层和衬底之间的电场形成屏蔽，因此能降低第一电极层边沿的电场，从而起到降低暗计数的作用。
光电二极管 tof 测距装置

[实用新型]TOF图像传感器像素结构及测距系统-CN202022223695.3有效
发明人： 戴顺麒;任冠京;莫要武;石文杰;侯金剑 -专利权人：思特威（上海）电子科技股份有限公司
申请日： 2020-09-30 - 公布日： 2021-03-16 - 主分类号： H04N5/341 文献下载
摘要：本实用新型属于图像传感器技术领域，涉及TOF图像传感器像素结构及测距系统，其中，TOF图像传感器像素结构，包括第一读取控制模块、第二读取控制模块及至少两个预设尺寸的小光传感器。第一读取控制模块中包括至少两个第一传输晶体管，且第一读取控制模块通过至少两个第一传输晶体管分别与至少两个预设尺寸的小光传感器一一对应连接。第二读取控制模块中包括至少两个第二传输晶体管，且第二读取控制模块通过至少两个第二传输晶体管分别与至少两个预设尺寸的小光传感器一一对应连接。其中，连接同一个小光传感器的第一传输晶体管和第二传输晶体管对称设置。因此，本实用新型能够提高光生电荷的传输效率，进而能够实现提升测距能力、测距精度的目的。
tof 图像传感器像素结构测距系统

[实用新型]TOF图像传感器像素结构及测距系统-CN202022223965.0有效
发明人： 戴顺麒;任冠京;莫要武;石文杰;侯金剑 -专利权人：思特威（上海）电子科技股份有限公司
申请日： 2020-09-30 - 公布日： 2021-03-16 - 主分类号： H04N5/341 文献下载
摘要：本实用新型属于图像传感器技术领域，涉及一种TOF图像传感器像素结构及测距系统，其中，TOF图像传感器像素结构，包括光传感器及传输电路。光传感器包括电位逐级递减的第一感光区域、第二感光区域及第三感光区域，用于产生电位差，协助自身产生的电荷流向与第三感光区域连接的传输电路。因此，本实用新型通过电位从高到低的第一感光区域、第二感光区域及第三感光区域能够将光传感器产生电荷快速的传输至传输电路，从而能够使得该电荷快速的传输到存储单元(例如存储节点或存储电容)，故而提高了光电二极管产生的电荷的传输效率，进而能够提高测距精度。
tof 图像传感器像素结构测距系统

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