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[发明专利]硅片和化合物半导体晶片的低温键合方法-CN202010024306.6有效
发明人：闵嘉华;秦美琪;陈军;戴灵恩;赵树浩;梁小燕;张继军;沈悦;王林军;赵岳 -专利权人：上海大学
申请日： 2020-01-10 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L21/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅片和化合物半导体晶片的低温键合方法，使用新的物质石墨烯作为键合介质实现CdZnTe与硅的键合，包括如下步骤：准备硅片,对硅片进行标准湿式化学凊洗法(RCA清洗法)清洗；然后准备CdZnTe晶片，对CdZnTe晶体进行倒角，物理抛光和化学机械抛光等表面处理工艺；然后将石墨烯转移至Si表面，或者将石墨烯转移至CZT表面，或者将石墨烯转移至CZT和Si表面，对两个晶体进行低温退火键合，避免过高的键合的问题，键合质量高，性能优异。
硅片化合物半导体晶片低温方法

[实用新型]一种具有除尘功能的运输车-CN202223555340.X有效
发明人： 戴灵恩;姚峥华;彭志豪;周申 -专利权人：江苏晶特晶体科技有限公司
申请日： 2022-12-29 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： B62B3/04 文献下载
摘要：本实用新型属于运输车技术领域，尤其为一种具有除尘功能的运输车，包括运输架，所述运输架上设有四组移动轮，所述运输架的两端均设有定位组件，所述运输架上设有卸料组件，所述运输架上安装有支撑板，所述支撑板上设有集尘箱，所述支撑板上设有除尘风机，所述除尘风机的输出端连接有除尘管，所述除尘管与运输架相连通，所述除尘风机的输出端连接有输出管，所述输出管与集尘箱相连接，所述运输架上设有把手，所述运输架上铰接有盖板。本实用新型通过卸料组件的设置，使得物料下料时更加便捷省力，从而减轻人工下料的劳动量，增强用户体验；通过除尘风机、集尘箱、输出管、除尘管实现了对运输架内的物料进行除尘的效果。
一种具有除尘功能运输车

[实用新型]一种可移动宣传栏-CN202223555282.0有效
发明人：姚峥华;戴灵恩;彭志豪;周申 -专利权人：江苏晶特晶体科技有限公司
申请日： 2022-12-29 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： G09F15/00 文献下载
摘要：本实用新型属于宣传栏技术领域，尤其为一种可移动宣传栏，包括两个固定板，两个所述固定板的相互靠近端均开设有滑槽，两个所述滑槽内均安装有固定杆，两个所述固定杆上均滑动有滑块，两个所述固定板上共同设有调节组件，两个所述固定板上共同连接有挡雨棚，两个所述固定板的底端均安装有平稳板，两个所述固定板上均设有移动组件。本实用新型通过移动组件的设置，便于对宣传栏进行移动使用，且在进行宣传时，即可将宣传栏稳固的放置在某一处进行使用，提高了宣传栏的使用灵活度，移动便捷省力，增强用户体验；通过调节组件的设置，便于对宣传板的使用高度进行调整，将宣传板调节至下部时，即可对宣传板上的内容进行更改书写使用。
一种移动宣传

[实用新型]一种防直接接触工作台-CN202223541232.7有效
发明人：姚峥华;戴灵恩;彭志豪;周申 -专利权人：江苏晶特晶体科技有限公司
申请日： 2022-12-29 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： B23Q1/25 文献下载
摘要：本实用新型属于工作台技术领域，尤其为一种防直接接触工作台，包括操作台，所述操作台的底端对称安装有两个支撑座，所述操作台上安装有支架，所述支架上设有调节组件，所述操作台上设有防护组件，所述防护组件包括对称开设在操作台上的两个矩形槽和两个卡槽，两个所述矩形槽内均滑动有防护板，两个所述防护板的顶端均安装有限位板。本实用新型通过调节组件的设置，便于根据需求对工件的切割反向进行调整使用，调节便捷灵活，增强切割效果，提高实用性；通过防护组件的设置，可在装置不使用时，增强防护效果，从而可避免工作人员与切割刀直接接触、从而对工作人员的肌肤造成损伤的问题，增强了装置的防护效果，且不影响加工使用。
一种直接接触工作台

[发明专利]碲锌镉/硅γ射线X射线探测器及其制备方法-CN202010919307.7有效
发明人：闵嘉华;梁小燕;陈军;戴灵恩;冯成杰;张继军;王林军;沈悦 -专利权人：上海大学
申请日： 2020-09-04 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： H01L31/0336 文献下载
摘要：本发明公开了一种碲锌镉/硅γ射线X射线探测器及其制备方法，本发明器件具有高探测灵敏度和高探测效率，是一种具有吸收和倍增区分离的复合型碲锌镉‑硅探测器。本发明将CZT晶片与SiPM键合在一起，由CZT晶片作为探测核辐射的吸收区，SiPM作为载流子的倍增放大区，形成吸收区和倍增区分离的高探测灵敏度的CZT/Si核辐射探测器。当采用SiPM的结构时，整个器件作为高灵敏探测器应用；当将单个或部分APD单元作为像素单元时，可用作高灵敏像素探测器。为下一代康普顿γ相机、单光子发射计算机断层扫描、正电子发射断层扫描仪器成像仪器提供具有单光子计数能力的、高能量分辨率、高空间分辨率、高时间分辨率、高探测灵敏度和高探测效率的探测器件。
碲锌镉射线探测器及其制备方法

[实用新型]一种冷却水分流灭菌装置-CN202122362908.5有效
发明人：陈远帆;戴灵恩;姚峥华 -专利权人：江苏晶特晶体科技有限公司
申请日： 2021-09-28 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： C02F1/32 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种冷却水分流灭菌装置，包括：紫外灯、分流盘、第一管接头和第二管接头，所述第二管接头内端面内凹设置有与分离盘对应的环槽，所述分离盘上间隔设置有延伸至第二管接头内孔中的透光筒体，所述分离盘上设置有与透光筒体相连通的插孔，所述紫外灯通过插孔插入透光筒体内，所述分流盘上设置有与插孔错位的分流孔，所述第一管接头和第二管接头对接，所述第一管接头内端面设置有延伸至环槽中并与分离盘端面接触的限位环。通过上述方式，本实用新型所述的冷却水分流灭菌装置，可以串联在大流量冷却水的管路上，通过分流孔进行冷却水的分流，利用紫外光对分流后的冷却水进行交叉灭菌，延长冷却水的使用周期。
一种冷却水分流灭菌装置

[实用新型]一种水路快接灭菌装置-CN202122362909.X有效
发明人：陈远帆;戴灵恩;姚峥华 -专利权人：江苏晶特晶体科技有限公司
申请日： 2021-09-28 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： C02F1/32 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种水路快接灭菌装置，包括：第一管接头、第二管接头、外护套、紫外灯条和透光管，所述第一管接头和第二管接头分别设置在透光管的两端，所述外护套同心设置在透光管的外侧并与第一管接头和第二管接头相连接，所述紫外灯条环形阵列分布在外护套内壁与透光管外壁之间，所述第一管接头内壁设置有与紫外灯条末端一一对应的定位盲孔，所述第二管接头上环形阵列设置有与紫外灯条一一对应的插孔。通过上述方式，本实用新型所述的水路快接灭菌装置，可以快速串联在水路上，安装便利，通过紫外灯条发出紫外光，进行冷却水的灭菌，并利用定位盲孔和插孔的配合，方便紫外灯条的安装与拆卸更换，提升维护便利性。
一种水路灭菌装置

[发明专利]一种基于提拉法的提高晶体利用率的生产方法-CN201910317099.0在审
发明人：吴承;戴灵恩;周申;陈远帆 -专利权人：苏州晶特晶体科技有限公司
申请日： 2019-04-19 - 公布日： 2019-09-13 - 主分类号： C30B15/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于提拉法的提高晶体利用率的生产方法，包括以下步骤：a)贵金属坩埚的选择、b)原料制备及处理、c)化料缩颈、d)肩部成形和e)柱体成形，缩颈后，进行手动大放肩角或平放肩操作，设定曲线降温参数，曲线降温速率根据不同的晶体习性进行设定，提拉速度为0时，也即是平放肩操作时，可以利用肉眼或可视设备观察晶体生长直径，提拉速度不为0时，也即是大放肩角操作时，可参考重量变化来计算直径。通过上述方式，本发明所述的基于提拉法的提高晶体利用率的生产方法，特别采用了手动大放肩角或平放肩操作，利用曲线降温和提拉速度的控制，实现柱体顶部的大放肩角或平放肩，减少了晶体加工时的浪费问题。
放肩平放晶体利用率提拉法提拉成形缩颈贵金属坩埚晶体加工晶体生长晶体习性可视设备原料制备重量变化柱体顶部化料肩部柱体生产参考观察

[发明专利]一种提高掺铈闪烁晶体性能的装置及生产方法-CN201610580619.3有效
发明人：吴承;戴灵恩;周申 -专利权人：苏州晶特晶体科技有限公司
申请日： 2016-07-22 - 公布日： 2018-11-09 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高掺铈闪烁晶体性能的装置及生产方法，包括：炉腔和坩埚,所述坩埚设置在炉腔内,所述坩埚外部设置有保温壳体,所述保温壳体外部设置有加热装置,所述保温壳体顶部设置有一个开口，所述炉腔顶部设置有延伸至保温壳体内的提拉旋转机构，所述炉腔外侧设置有第一进气管和第二进气管，所述炉腔底部设置有排气管，利用下料、充气、生长、样品处理和测试，得到掺铈闪烁晶体。通过上述方式，本发明所述的提高掺铈闪烁晶体性能的装置及生产方法，利用通入一定量的CO₂气体，使得CO₂在高温下热分解出O₂，减少了晶体的氧空位，提高了晶格的完整性，提高掺铈闪烁晶体的性能。
一种提高闪烁晶体性能装置生产方法

[发明专利]一种测定掺铈闪烁晶体中铈离子浓度的方法-CN201410112010.4无效
发明人：毛日华;戴灵恩;吴承;何承林 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2014-03-24 - 公布日： 2014-06-25 - 主分类号： G01N21/31 文献下载
摘要：本发明涉及一种测定掺铈闪烁晶体中铈离子浓度的方法，步骤：a)制备掺铈闪烁晶体标准品；b)按相同尺寸、相同晶向裁切步骤a)中制备的各标准品；c)沿晶体长度方向测量步骤b)中裁切的各标准品的紫外－可见透过光谱的截止波长；d)采用现有测试方法对b)中裁切的各标准品的各掺铈闪烁晶体标准品进行铈离子浓度测定；e)建立掺铈闪烁晶体标准品的截止波长与铈离子浓度的标准关系曲线；f)对与步骤b)相同尺寸待测同质晶体样品，沿晶体长度方向测量其紫外－透过光谱的截止波长，然后根据步骤e)所建立的标准关系曲线，找到该截止波长对应的铈离子浓度。
一种测定闪烁晶体离子浓度方法

[发明专利]耐高温涂层涂覆坩埚表面保护贵金属坩埚的方法-CN201310578308.X有效
发明人：吴承;戴灵恩;唐佳;陆晟;丁栋舟;毛日华;杨建华 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所;上海硅酸盐研究所中试基地
申请日： 2013-11-18 - 公布日： 2014-02-26 - 主分类号： C23C4/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种耐高温涂层涂覆坩埚表面保护贵金属坩埚的方法，所述方法包括：贵金属坩埚的表面预处理：在密闭箱内采用氧化铝颗粒高速喷击贵金属坩埚外表面，使贵金属坩埚外表面形成极细的坑以增加坩埚的外比表面积；以及高温等离子喷涂：细氧化锆砂经高温等离子体喷涂涂覆在预处理后的贵金属坩埚外表面，形成致密氧化锆保护层。本发明通过对贵金属坩埚的外表面进行高速喷击细颗粒而形成极细的坑以增加坩埚的外比表面积，从而增加了保护层与坩埚外表面间的吸附力，并通过等离子体喷涂形成致密氧化锆保护层，从而减少贵金属坩埚的挥发，降低使用损耗，节约晶体生长成本。
耐高温涂层坩埚表面保护贵金属方法

[发明专利]一种测定掺铈闪烁晶体中铈离子浓度的方法-CN201310285533.4有效
发明人： 戴灵恩;冯锡淇;吴承;徐权;陆晟;丁栋舟;唐佳;杨建华 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2013-07-08 - 公布日： 2013-10-09 - 主分类号： G01N21/35 文献下载
摘要：本发明公开了一种测定掺铈闪烁晶体中铈离子浓度的方法，所述方法是首先建立相同尺寸、相同晶向的各标准品的红外吸收光谱在扣除“本底”后、在波数为2000～3000cm-1区域内的谱线所对应的峰位面积与铈离子浓度的标准关系曲线，然后通过测定相同尺寸和晶向的待测同质晶体样品的红外吸收谱，最后根据所建立的标准关系曲线直接得到待测样品中的铈离子浓度。本发明方法不需要每次测试都要对样品进行破坏性操作，是一种方便、快捷、非破坏性的创新测试方法，对掺铈闪烁晶体的性能分析和研究具有重要意义，同时也对测定其它稀土掺杂闪烁材料中的掺杂离子的浓度测定具有参考价值。
一种测定闪烁晶体离子浓度方法

[发明专利]一种Au/Cr-CZT复合电极的制备方法-CN200910044852.X无效
发明人：梁小燕;闵嘉华;王长君;戴灵恩;秦凯丰;陈军;王林军;赵岳;桑文斌 -专利权人：上海大学
申请日： 2009-01-04 - 公布日： 2009-06-17 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种Au/Cr-CZT复合电极的制备方法，属于CdZnTe(CZT)半导体材料探测器欧姆电极制备技术领域。本发明方法利用传统常用的现有真空蒸发装置，在CZT表面先蒸发沉积一层厚度为3～15nm的Cr层，然后再蒸发沉积一层厚度为50～150nm的Au电极层，然后在100～200℃温度下恒温10～60分钟，以促进电极层的合金化过程，真空蒸发的真空度在10^-5～10^-7Pa，然后待晶片自然冷却0.5～2小时，最终制得Au/Cr-CZT复合接触电极。本发明方法所得的Au/Cr-CZT复合电极与以往的Au-CZT电极相比，复合电极的接触附着力更强、I-V特性曲线显示其欧姆线性更佳，器件的能谱响应也得到了提高和改善。
一种 au cr czt 复合电极制备方法

[发明专利]一种CdZnTe晶体生长用石英安瓿内壁镀覆碳膜的方法及其装置-CN200810201997.1无效
发明人：闵嘉华;桑文斌;戴灵恩;王长君;梁小燕;施朱斌;钱永彪;滕建勇;秦凯丰 -专利权人：上海大学
申请日： 2008-10-30 - 公布日： 2009-04-01 - 主分类号： C23C16/26 文献下载
摘要：本发明涉及一种CdZnTe晶体生长用石英安瓿内壁镀覆碳膜的方法及其装置，属特殊晶体生长用容器的镀膜工艺技术领域。本发明采用一种真空热分解镀膜技术，将待镀碳的石英安瓿放置于加热炉的石英炉管中，并藉真空抽气系统，保持其真空度在10^-1～10^-3Pa范围内，同时吸入作为碳源的无水乙醇，其流量控制在0.5～5ml/min范围内；将石英安瓿在真空中加热到热分解镀膜温度，该温度为950～1100℃，并在该温度下维持加热10～60分钟，使碳充分沉积，待冷却至室温后，即得镀碳膜的石英安瓿。本发明方法可以制得具有高结合力和致度的碳膜的石英安瓿，碳膜不易脱落，有利于CdZnTe晶体的合成生长。
一种 cdznte 晶体生长石英安瓿内壁镀覆方法及其装置

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