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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种铟凸点的回流成球工艺方法-CN202310174150.3在审
发明人：黄晟;黄立;邓茜;姚柏文;杜侨;戴俊碧;易贤;崔钦音;张学文;骆鲁斌;王龙 -专利权人：武汉高芯科技有限公司
申请日： 2023-02-28 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明提供了一种铟凸点湿法回流成球工艺方法，不采用传统的回流成球工艺方法，不需要设置助焊剂，避免后续的清洗和副产物污染。同时，该工艺方法也不需要将基板放置在专门的回流炉中进行气氛保护回流处理处理，实现了凸点回流成球工艺步骤以及工艺装置的简化，改善了铟凸点形貌进而改善焦平面探测器的互连效果。
一种铟凸点回流工艺方法

[发明专利]制冷红外探测器芯片及其制备方法-CN202211528237.8在审
发明人：黄晟;黄立;张学文;姚柏文;戴俊碧;杜侨;易贤;骆鲁斌;崔钦音;邓茜 -专利权人：武汉高芯科技有限公司
申请日： 2022-11-30 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： H01L31/0203 文献下载
摘要：本发明涉及一种制冷红外探测器芯片，包括红外光敏层和读出电路，所述红外光敏层和所述读出电路通过互连结构电连接，还包括围设于所述互连结构外部的围墙，所述红外光敏层和所述读出电路之间填充有固定材料，所述固定材料位于所述围墙外部。还提供一种制冷红外探测器芯片的制备方法。本发明通过围墙实现了对原本需要进行填充的有效像元区域的封锁，保证填充胶无法进入到有效像元区域中，可以使有效像元区域都是无填充状态，那么在成像时，像元区域不会因填充材料不饱满导致对应区域响应不均匀。而外围的填充胶经过固化后既可以对整个红外芯片结构起到加固又能对有效像元区域达到保护的效果。
制冷红外探测器芯片及其制备方法

[发明专利]一种高像素红外焦平面探测器及其制备方法-CN201610204043.0有效
发明人：金迎春;黄立;周文洪;刘斌;姚柏文;戴俊碧;骆鲁斌;龚健 -专利权人：武汉高芯科技有限公司
申请日： 2016-04-01 - 公布日： 2018-12-04 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本发明涉及一种高像素红外焦平面探测器及其制备方法，所述探测器包括相互连接的碲镉汞外延片和读出电路，所述读出电路和碲镉汞外延片表面制备有倒装焊结构，其中，碲镉汞外延片表面还覆盖有一层保护材料，保护材料可以选取填充胶或ZnS等，将碲镉汞外延片覆盖同时有露出了碲镉汞外延片表面上的倒装焊结构，读出电路和碲镉汞外延片通过倒装焊结构连接。通过平坦化解决碲镉汞外延片表面不平整性问题，提高了倒装焊良率，同时避免了倒装焊时不平导致的材料应力。
一种像素红外平面探测器及其制备方法

[实用新型]一种焦平面探测器的互联结构-CN201521061122.8有效
发明人：黄立;金迎春;周文洪;刘斌;姚柏文;汪良衡;陈世锐;戴俊碧 -专利权人：武汉高芯科技有限公司
申请日： 2015-12-17 - 公布日： 2016-06-29 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种焦平面探测器的互联结构，包括以阵列形式设在光敏材料面及读出电路面上的互联单元、相邻单元，其中：在光敏材料面上的互联单元与相邻单元之间以垂直向位设置；在读出电路面上的互联单元及相邻单元分别以错位对应光敏材料面上的互联单元及相邻单元设置，使得光敏材料面上的互联单元与读出电路面上的互联单元耦合成十字交叉状，同时光敏材料面上的相邻单元与读出电路面上的相邻单元也耦合成十字交叉状，藉由前述构造，解决了倒装焊互联对位困难且会产生滑移互联不通，或互联错位的技术问题，达成了提升对位精度、单元之间不易错连以及降低压焊压力和压焊所造成的材料浪费的良好效果。
一种平面探测器联结

[发明专利]一种红外探测器铟柱的工艺方法-CN201510945699.3在审
发明人：黄立;金迎春;周文洪;刘斌;姚柏文;汪良衡;陈世锐;戴俊碧 -专利权人：武汉高芯科技有限公司
申请日： 2015-12-17 - 公布日： 2016-05-11 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供了一种红外探测器铟柱的工艺方法，包括在芯片上以叠加形式旋涂两层光刻胶，还包括先在芯片上旋涂一层负性光刻胶，再在负性光刻胶上旋涂一层反转光刻胶；通过有掩膜板曝光和无掩膜板曝光，使得芯片上两层光刻胶上半部断面轮廓呈梯形，下半部断面轮廓呈倒梯形；铟膜沉积，铟沉积窗口不会明显减小，铟柱呈平台状，有利于后续制成，藉由前述方法，解决了在芯片上制成平顶铟柱的技术问题，达成了易于制成、价格低廉及利于与外部设备结合的良好效果。
一种红外探测器工艺方法

[发明专利]一种离子注入后晶片的湿法去胶液及光刻胶去除方法-CN201410146735.5在审
发明人：黄立;姚柏文;戴俊碧 -专利权人：武汉高芯科技有限公司
申请日： 2014-04-11 - 公布日： 2014-07-30 - 主分类号： G03F7/42 文献下载
摘要：本发明涉及一种离子注入后晶片的湿法去胶液及光刻胶去除方法，去胶液为无机碱性液，PH值为7-14；去胶液的组成成分为：按质量百分比计，无机碱30-40%，双氧水1-5%，其余为去离子水，将上述各组分混合而成，将离子注入后晶片装入提篮内，浸入步骤上述去胶液中进行去胶处理，以1次/秒的速度上下抖动，抖动行程为2－4cm，去胶处理20－40s后取出，用去离子水冲洗，用氮气吹干晶片。本发明的整个去胶过程无外力介入，单纯的化学浸泡，对晶片表面无损伤，不会引起应力沉淀；配制简单、成本低、去胶效果显著，可快速去除变性后的光刻胶、废液处理简单、去胶液为无机液对环境无污染。
一种离子注入晶片湿法去胶液光刻去除方法

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