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[发明专利]一种游程解码数字电路-CN202011510947.9在审
发明人：陈西昌;张正威;刘路;李林 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司;成都微光集电科技有限公司
申请日： 2020-12-18 - 公布日： 2021-04-02 - 主分类号： H03M7/46 文献下载
摘要：本发明提供了一种游程解码数字电路，所述游程解码数字电路包括状态机单元，所述状态机单元根据压缩数据的分类信息切换运行状态，所述游程解码数字电路以所述运行状态为依据决定下一条所述压缩数据的读取时机。如此配置，以硬件方式进行解码，具有实时性；同时，通过合理设定状态机单元的运行状态和状态转换逻辑，解耦了对游程编码数据本身的解码过程和为了顺利拼接解码后的数据需要的设置的等待流程之间的耦合关系，降低了游程解码电路的设计难度，并避免出现普通硬件解码电路输出的图片流数据容易出现的中断和延迟，满足了OSD功能中对于待叠加的图片流数据的要求。
一种游程解码数字电路

[发明专利]游程解码电路、控制方法、电子装置及可读存储介质-CN202011510957.2在审
发明人：张正威;李林;刘路;陈西昌 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司;成都微光集电科技有限公司
申请日： 2020-12-18 - 公布日： 2021-04-02 - 主分类号： H03M7/40 文献下载
摘要：本发明提供了一种游程解码电路、控制方法、电子装置及可读存储介质。游程解码电路的存储单元控制模块连接存储单元和第一存储缓冲区，解码模块连接第一存储缓冲区和第二存储缓冲区。存储单元控制模块从存储单元获取叠图压缩游程编码数据并将其存储至第一存储缓冲区。解码模块从第一存储缓冲区获取叠图压缩游程编码数据并对其解码得到叠图解码数据并将其存储至第二存储缓冲区，并根据所述叠图解码数据，获取叠图信息并输出叠图信息。本发明提供的游程解码电路、控制方法、电子装置及可读存储介质得到的叠图信息在时序上连续，在叠加图像的过程中能够保证图像信号的OSD功能。而且电路结构简单，易于实现，成本低廉。
游程解码电路控制方法电子装置可读存储介质

[发明专利]一种MOS器件衬底外围寄生电阻的建模方法-CN201710685114.8有效
发明人：刘林林;王全;郭奥;周伟 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司;成都微光集电科技有限公司
申请日： 2017-08-11 - 公布日： 2021-03-26 - 主分类号： G06F30/392 文献下载
摘要：本发明公开了一种MOS器件衬底外围寄生电阻的建模方法，包括以下步骤：S01建立和MOS器件相对应的环状电阻测试结构，S02建立端头电阻辅助测试结构，S03建立端头电阻可伸缩模型，S04测试环状电阻测试结构的电阻Rtot2，将内部环和外部环的周长带入端头电阻可伸缩模型中得出R1和R2的电阻，从而Rsti＝Rtot2‑R1‑R2，变换版图因子可以得到不同版图尺寸下Rsti的值，分析Rsti与上述版图尺寸的变化关系，建立MOS器件衬底外围寄生电阻的可伸缩模型。本发明提供的一种MOS器件衬底外围寄生电阻的建模方法，通过该方法可以直接表征MOS器件有源区外围引入的寄生电阻，并且建模得出的MOS器件衬底外围寄生电阻的可伸缩模型适用于不同情况下的版图布局方式。
一种 mos 器件衬底外围寄生电阻建模方法

[发明专利]一种沟槽式电容器件及制备方法-CN202011551017.8在审
发明人：顾学强;葛星晨;范春晖 -专利权人：上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司;上海集成电路研发中心有限公司;成都微光集电科技有限公司
申请日： 2020-12-24 - 公布日： 2021-03-16 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：本发明提供一种沟槽式电容器件及制备方法，所述沟槽式电容器件的沟槽电容结构位于沟槽介质层远离所述衬底的一侧，且填充贯穿所述沟槽介质层的第一沟槽，电连接所述第一金属互连层，电容侧墙覆盖所述沟槽电容结构的侧面，电极互连层填充贯穿所述沟槽介质层的第二沟槽，电连接所述第二金属互连层。所述电容侧墙避免了所述沟槽电容结构的上电极层和下电极层的短路，达到了提高器件性能和可靠性的目的，具有显著的意义。
一种沟槽电容器件制备方法

[发明专利]一种像素单元结构及制作方法-CN202011576503.5在审
发明人：顾学强;周伟;周阳 -专利权人：上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司;上海集成电路研发中心有限公司;成都微光集电科技有限公司
申请日： 2020-12-28 - 公布日： 2021-03-12 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供一种像素单元结构，利用二极管沟槽隔离结构环绕第一光电二极管的周边和第二光电二极管的周边，有效隔离所述第一光电二极管和所述第二光电二极管器件；同时光电沟槽隔离结构覆盖所述第二光电二极管表面，降低第二光电二极管的灵敏度；在不增加额外的工艺步骤的前提下，降低了工艺加工成本，同时也避免了第一光电二极管的等离子损伤，避免了像素单元结构的性能劣化，具有显著的意义。
一种像素单元结构制作方法

[发明专利]一种图像传感器的静态坏点校正装置及其校正方法-CN201811283031.7有效
发明人：陈西昌;张远;李林;申曦;温建新 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司;成都微光集电科技有限公司
申请日： 2018-10-31 - 公布日： 2021-03-02 - 主分类号： H04N5/357 文献下载
摘要：本发明公开了一种图像传感器的静态坏点校正方法，包括如下步骤：S01：将图像传感器对应的静态坏点表保存在存储单元中；S02：将待处理图像数据输入坏点识别单元中，坏点簇提取单元从存储单元中提取影响上述输入数据的坏点簇；S03：位置识别单元获得输入数据中的坏点位置信息；S04：坏点识别单元为输入数据中相同位置上的像素做上坏点标记，并将标记后的输入数据传输至校正单元；S05：所述校正单元对标记了坏点的当前输入数据进行校正输出。本发明提供的一种图像传感器的静态坏点校正装置及其校正方法，可以减少对缓存的读写次数，降低数据与静态坏点表的比较次数，从而提高静态坏点校正算法的效率，并且能够对binning模式提供支持。
一种图像传感器静态校正装置及其方法

[发明专利]一种MOS器件源漏与衬底间寄生电阻的建模方法-CN201710685113.3有效
发明人：刘林林;郭奥;王全;周伟 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司;成都微光集电科技有限公司
申请日： 2017-08-11 - 公布日： 2021-03-02 - 主分类号： G06F30/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种MOS器件源漏与衬底间寄生电阻的建模方法，包括以下步骤：S01：建立抽取MOS衬底寄生电阻的等效测试结构，其中，源极数量ns等于漏极数量nd，源漏极的宽度均为lsd，相邻两个源漏极之间间距为l，源极和漏极的长度均为w；S02：取一组w、lsd、ns，变化l的尺寸，生成一系列等效测试结构，分别测试对应的等效测试结构阻值，以确定Rsb、Rdb和Rdsb；S03：变换版图因子w、lsd、ns，对每一组w，lsd，ns都按照S02中方法求得对应的Rsb、Rdb及Rdsb，根据等效测试结构中不同版图因子及其对应的阻值变化规律，建立Rsb、Rdb、Rdsb的寄生电阻模型。本发明提供的一种MOS器件源漏与衬底间寄生电阻的建模方法，避免了传统MOS等效测试结构对该部分信息表征不充分的问题。
一种 mos 器件衬底寄生电阻建模方法

[发明专利]一种调整图像传感器输出的图像的像素排列的方法及装置-CN201811283181.8有效
发明人：叶红磊;王勇;叶红波;张悦强;蒋亮亮;王凯;姚清志;李赟晟 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司;成都微光集电科技有限公司
申请日： 2018-10-31 - 公布日： 2021-03-02 - 主分类号： H04N5/374 文献下载
摘要：本发明提供一种调整图像传感器输出的图像的像素排列的方法及装置，所述图像传感器包括像素阵列，所述像素阵列包括沿行方向和列方向重复排列的多个像素组，每个像素组包括多个像素，每个像素组包括n种不同颜色的像素，n为大于等于3的整数，方法包括：依次利用与所述像素组中n种不同颜色的像素相对应的n种不同颜色的光照射所述图像传感器；根据经所述n种不同颜色的光照射所述图像传感器后，所述图像传感器像素阵列中各像素的像素值，确定所述n种不同颜色的像素在各所述像素组中的位置；根据预设像素组中各像素的排列，调整所述图像传感器输出的图像的像素阵列中各像素的位置。本发明提供的方法及装置，可按预设像素组的像素排列调整图像传感器的像素排列。
一种调整图像传感器输出图像像素排列方法装置

[发明专利]efuse读写控制器、芯片、电子设备及控制方法-CN202011408170.5在审
发明人：叶崇光;李林;周杰雷;陈西昌 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司;成都微光集电科技有限公司
申请日： 2020-12-03 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： G06F13/16 文献下载
摘要：本发明提供了一种efuse读写控制器、芯片、电子设备及控制方法，efuse读写控制器包括I2C信号接收模块、寄存器模块和efuse控制模块，I2C信号接收模块和efuse控制模块通过寄存器模块连接；I2C信号接收模块连接I2C总线，efuse控制模块连接efuse存储器。I2C信号接收模块接收I2C总线信号并据此生成寄存器读写总线信号；根据寄存器读写总线信号，寄存器模块存储操作指令信息并用触发efuse控制模块获取操作指令信息；根据操作指令信息，efuse控制模块生成相应的efuse读写总线信号，并用efuse存储器进行相应的操作。本发明提供的efuse读写控制器，将I2C总线与efuse存储器结合，通过I2C总线对efuse存储器进行实时读写操作，利用I2C总线硬件简单，资源消耗少的特点，从而减少efuse存储器占用的端口资源。
efuse 读写控制器芯片电子设备控制方法

[发明专利]多光谱图像传感器及其制作方法-CN201710081904.5有效
发明人：王勇 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司;成都微光集电科技有限公司
申请日： 2017-02-15 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明涉及一种多光谱图像传感器及其制作方法。所述多光谱图像传感器包括前端结构，用于进行光电转换和处理；设置于所述前端结构上的像素层；其中，所述像素层具有N个像素单元，N≥4，所述像素单元排列成多个阵列，每个阵列中各个像素单元的感光波长不同。由此可以实现多光谱同时检测，提高效率，降低成本，并实现小型化。
光谱图像传感器及其制作方法

[发明专利]自检错时间数字转化电路-CN201810275161.X有效
发明人：曾夕;李志芳;严慧婕;董林妹 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司;成都微光集电科技有限公司
申请日： 2018-03-30 - 公布日： 2021-01-29 - 主分类号： G01R31/28 文献下载
摘要：本发明提供一种自检错时间数字转化电路，包括：粗计数模块，用于根据一计数时钟信号对输入时间信号进行粗略计数获得高位数字信号；细计数模块，用于根据多个等相位差时钟信号对输入时间信号进行精细计数获得精细计数结果；编码模块，用于对精细计数结果进行编码获得低位数字信号；判断模块，用于提供一检测信号，检测信号指示多个等相位差时钟信号是否正常；输入选择模块，仅当检测信号指示多个等相位差时钟信号正常时，输入选择模块将待测时间信号作为输入时间信号；以及输出控制模块，仅当检测信号指示多个等相位差时钟信号正常时，输出控制模块拼接高位数字信号及低位数字信号以输出结果数字信号。本发明提供的数字转化电路提高电路可靠性。
检错时间数字转化电路

[发明专利]一种堆叠式图像传感器像素结构与制备方法-CN201811123340.8有效
发明人：李琛;段杰斌 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司;成都微光集电科技有限公司
申请日： 2018-09-26 - 公布日： 2021-01-29 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明公开了一种堆叠式图像传感器像素结构与制备方法，采用键合方式将第一硅片～第三硅片上下堆叠在一起；第一硅片、第二硅片分别由标准SOI硅片剥离SiO2层及下层厚体硅衬底后剩余的上层薄体硅衬底所形成，在第一硅片上设有第一感光二极管阵列，在第二硅片上设有第二感光二极管阵列，各第二感光二极管的表面与对应的各第一感光二极管的表面对准键合，使形成的堆叠式图像传感器芯片具有结深可至SOI硅片的SiO2层处，暗电流更好，能在近红外波段有效提升量子效率，灵敏度较高，填充因子较高，对于小尺寸像元来说具有非常好的感光性能等综合效果，从而既兼顾了近红外量子效率，也兼顾了小像素尺寸。
一种堆叠图像传感器像素结构制备方法

[发明专利]一种CMOS图像传感器及图像输出方法-CN201810908148.3有效
发明人：段杰斌;蒋宇;李琛 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司;成都微光集电科技有限公司
申请日： 2018-08-10 - 公布日： 2021-01-29 - 主分类号： H04N5/374 文献下载
摘要：本发明公开了一种CMOS图像传感器，包括像素阵列、A/2个列级采样保持电路、列选编码及驱动电路和流水线模数转换器，所述像素阵列包含B行A列像素单元，所述第m列像素单元和第m+1列像素单元共用一个列级采样保持电路，所述A/2个列级采样保持电路连接至所述列选编码及驱动电路，所述列选编码及驱动电路的另一端连接所述流水线模数转换器。本发明提供的一种CMOS图像传感器，在像素单元中增加了开关和电容，并且相邻的两列像素单元共用一个列级采样保持电路，经过一次曝光即可输出一副完整的图像，采用本发明结构可以大幅缩减芯片面积，达到降低芯片成本的效果。
一种 cmos 图像传感器图像输出方法

[发明专利]一种检测图像闪烁条纹方法及调整图像曝光时间的方法-CN201910402970.7有效
发明人：李想;王勇;温建新;宋博 -专利权人： 成都微光集电科技有限公司
申请日： 2019-05-15 - 公布日： 2021-01-29 - 主分类号： H04N5/235 文献下载
摘要：本发明提供一种检测图像闪烁条纹方法及调整图像曝光时间的方法，检测图像闪烁条纹方法包括：S110：采集连续的N帧图像序列，N为大于1的整数：S120：对该连续的N帧图像序列中的每一帧图像执行闪烁频率确定步骤，闪烁频率确定步骤包括：S121：获得当前帧的亮度通道图像；S122：计算相邻帧图像的行均值向量；S123：计算行差值向量；S124：计算行差值向量的平均值，作为当前帧图像的行差值向量的波形的幅度中心；S125：确定位置向量Pose(m)；S126：自预定闪烁频率集合确定至少一预定闪烁频率作为当前帧图像的闪烁频率；步骤S130：根据预定闪烁频率集合中各预定闪烁频率于N帧图像序列的占比，确定闪烁频率。本发明高效且准确地检测出图像帧序列中闪烁的存在及其频率。
一种检测图像闪烁条纹方法调整曝光时间

[发明专利]一种图像传感器的曝光控制方法-CN201910630545.3有效
发明人：王世平;王勇;温建新;宋博 -专利权人： 成都微光集电科技有限公司
申请日： 2019-07-12 - 公布日： 2021-01-29 - 主分类号： H04N5/235 文献下载
摘要：本发明公开的一种图像传感器的曝光控制方法，包括如下步骤：S01：计算图像传感器当前帧图像的亮度估计值，具体包括：S011：针对图像中每个像素点，判断其是否为边缘像素点；S012：将图像分为M×N的图像块，根据所述图像块中边缘像素点的个数判断该图像块是否为候选块；S013：根据所述候选块的位置，得出图像中的非前景区域；S014：计算当前帧图像的亮度估计值YEST；S02：根据当前帧图像的亮度估计值调整下一帧图像的曝光时间和增益值。本发明提供的一种图像传感器的曝光控制方法，对非前景区域的图像像素加权处理，计算出当前图像的亮度估计值；且可以迅速合理的改变下一帧图像的曝光时间和增益参数，从而获得较好的曝光图像。
一种图像传感器曝光控制方法