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[实用新型]一种毫米波治疗仪的发射组件、便捷式毫米波治疗仪-CN202223538451.X有效
发明人：熊永忠;敬婷 -专利权人： 成都中宇微芯科技有限公司
申请日： 2022-12-29 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： A61N5/02 文献下载
摘要：本实用新型属于毫米波应用设备技术领域，公开了一种毫米波治疗仪的发射组件，包括第一腔壳、PCB板和第二腔壳；所述第一腔壳具有波导口；所述PCB板包括直连的频综芯片和放大器芯片，以及耦合探针，所述耦合探针与放大器芯片配合；所述第二腔壳具有短路背腔；所述第一腔壳和第二腔壳连接，所述PCB板位于第一腔壳和第二腔壳之间；所述耦合探针将毫米波辐射至短路背腔，由短路背腔将毫米波反射至波导口。本实用新型利用集成电路代替耿氏二极管，并利用集成电路提供高效高稳定的辐射源，以此减少治疗仪的用电量。本实用新型还公开了一种具有上述发射组件的便捷式毫米波治疗仪。
一种毫米波治疗发射组件便捷

[实用新型]一种毫米波治疗仪的发射组件、穿戴式毫米波治疗仪-CN202223533014.9有效
发明人：熊永忠;敬婷 -专利权人： 成都中宇微芯科技有限公司
申请日： 2022-12-29 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： A61N5/02 文献下载
摘要：本实用新型属于毫米波应用设备技术领域，公开了一种毫米波治疗仪的发射组件，包括芯片单元、天线单元和电源单元；所述芯片单元用于产生毫米波；所述天线单元用于辐射毫米波；所述电源单元用于为芯片单元供电；所述天线单元包括依次贴合的反射层、第一介质层、功分激励层、辐射层和第二介质层；所述芯片单元与功分激励层电性连接。本实用新型以避免使用耿氏二极管，通过集成电路提供高效高稳定的辐射源，从而满足提高效率的要求。本实用新型还公开了一种具有上述发射组件的穿戴式毫米波治疗仪。
一种毫米波治疗发射组件穿戴

[发明专利]毫米波功率放大单元及放大器-CN201910174553.1有效
发明人：李一虎;熊永忠 -专利权人： 成都中宇微芯科技有限公司
申请日： 2019-03-08 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H03F1/48 文献下载
摘要：本发明公开一种毫米波功率放大单元，包括第一三极管、第二三极管、第三三极管和第四三极管，第一三极管的集电极作为所述放大单元的输出端，第一三极管的基极通过第一电容接地，第一三极管的发射极通过第一电感与第二三极管的集电极连接，第二三极管的基极通过第二电容接地，第二三极管的发射极通过第二电感同时与第三三极管和第四三极管的集电极连接，第三三极管和第四三极管的发射极接地，第三三极管的基极作为放大单元的输入端，第四三极管的集电极连接有第一外接电源。本发明可以在减小放大单元输入电容的同时提高放大单元的电压摆幅，从而使采用本申请提供的放大单元的放大器具有高宽带和高输出功率。
毫米波功率放大单元放大器

[发明专利]一种D波段透镜天线-CN202211705586.2在审
发明人：熊永忠;敬婷 -专利权人： 成都中宇微芯科技有限公司
申请日： 2022-12-29 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： H01Q1/52 文献下载
摘要：本发明属于毫米波天线技术领域，公开了一种D波段透镜天线，包括载体；所述载体设有独立的接收通道和辐射通道；所述载体还设有共用通道，所述共用通道通过隔离墙将共用通道分隔为第一通道和第二通道；所述第一通道与接收通道连通，所述第二通道与辐射通道连通；所述隔离墙位于共用通道内，其靠近载体端面处为阶梯形结构。本发明作用的毫米波频率在110～170GHz之间，能够在节省能耗的基础上，为收发信号提供高隔离效果。
一种波段透镜天线

[发明专利]一种片载天线收发前端芯片-CN201811484422.5有效
发明人：刘伟;李一虎;熊永忠 -专利权人： 成都中宇微芯科技有限公司
申请日： 2018-12-06 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： H04B7/024 文献下载
摘要：本发明公开一种片载天线收发前端芯片，包括发射机芯片和接收机芯片，所述发射机芯片包括发射机电路模块和与发射机电路模块直接连接的发射天线，所述接收机芯片包括接收机电路模块和与接收机电路模块直接连接的接收天线。本发明通过片载天线方案，避免收发芯片和收发天线分开封装或分开设置，可以大大减少射频封装损耗，从而提高收发前端芯片的工作可靠性。
一种天线收发前端芯片

[发明专利]超宽带一分四开关放大器及开关放大器系统-CN201910338117.3在审
发明人：李一虎;熊永忠;刘伟 -专利权人： 成都中宇微芯科技有限公司
申请日： 2019-04-25 - 公布日： 2019-08-02 - 主分类号： H03F1/56 文献下载
摘要：本发明涉及射频毫米波开关技术领域，实施例具体公开一种超宽带一分四开关放大器及开关放大器系统。本申请利用两级Lange耦合器实现宽带功分，并将行波放大器结构与一分四开关结构相结合，用集总传输线结构吸收三极管输入输出电容，实现超宽带匹配，并通过控制4路行波放大器的偏置电压实现开关功能，从而提高了毫米波开关的带宽，将传统开关的损耗变为增益。
开关放大器超宽带毫米波开关行波放大器传输线结构传统开关开关功能开关结构偏置电压输出电容三极管宽带两级射频匹配带宽吸收申请

[发明专利]一种多尺寸芯片切割工艺-CN201710125149.6有效
发明人：王勇;熊永忠;李一虎;邓小东 -专利权人： 成都中宇微芯科技有限公司
申请日： 2017-03-03 - 公布日： 2019-05-28 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种多尺寸芯片切割工艺，本发明包括以下步骤：A、在晶圆背面涂胶光刻，并双面套刻露出芯片切割道对应的背面硅衬底；B、利用深反应离子刻蚀硅衬底材料；C、晶圆去胶清洗；D、晶圆背面多层金属溅镀；E、晶圆贴膜崩片，分离各种尺寸芯片。本发明的工艺过程简单、高效，可一次性把晶圆上所有不同尺寸，甚至是不规则尺寸的芯片切割分离，为芯片设计优化提供了更多选择性，提高研发成功率，降低成本。同时芯片背面和侧壁被金属层覆盖，可减小射频芯片功耗，提高射频转化效率。
一种尺寸芯片切割工艺

[发明专利]一种开关式放大功分、合成电路-CN201710124417.2在审
发明人：邓小东;熊永忠;李一虎;王勇 -专利权人： 成都中宇微芯科技有限公司
申请日： 2017-03-03 - 公布日： 2017-07-04 - 主分类号： H03K17/693 文献下载
摘要：本发明公开了一种开关式放大功分、合成电路，其中，开放式放大功分电路包括开关放大功分电路输入端口，与开关放大功分电路输入端口相连的功分器，若干个分别与功分器相连的第一放大器，若干个分别与第一放大器相连的开关放大功分电路输出端口，以及与所有第一放大器分别相连的可控电源。开关式放大合成电路包括若干个开关放大合成电路输入端口，若干个分别与开关放大合成电路输入端口相连的第二放大器，与所有第二放大器相连的合成器，与合成器相连的开关放大合成电路输出端口，以及与所有第二放大器分别相连的可控电源。本发明具有电路结构简单、高可靠性、高隔离度、低损耗的优点。
一种开关大功合成电路

[发明专利]一种多谐振模态振荡电路-CN201710124857.8在审
发明人：王勇;熊永忠;李一虎;邓小东 -专利权人： 成都中宇微芯科技有限公司
申请日： 2017-03-03 - 公布日： 2017-06-27 - 主分类号： H03K3/011 文献下载
摘要：本发明公开了一种多谐振模态振荡电路，本发明包括振荡器，以及分别连接到振荡器两端的若干个振荡回路；每个振荡回路均包含调谐放大器/滤波器和隔离缓冲器。本发明利用调谐放大器、隔离缓冲器和多回路结构构成一种新的多模态振荡电路，具有良好的稳定性和频率选择特性。本发明的性能可靠，优于其他设计，适用于提供时钟基准和传感器系统等用来提高温度稳定性、精确度、线性度等。
一种谐振振荡电路

[发明专利]一种毫米波亚毫米波硅基片载端射天线-CN201710124873.7在审
发明人：邓小东;熊永忠;王勇;李一虎 -专利权人： 成都中宇微芯科技有限公司
申请日： 2017-03-03 - 公布日： 2017-06-13 - 主分类号： H01Q1/38 文献下载
摘要：本发明公开了一种毫米波亚毫米波硅基片载端射天线，本发明包括金属支撑台，以及设置于金属支撑台一侧的片载天线；所述片载天线包括硅衬底，设置于硅衬底上表面的SiO2层，以及设置于硅衬底上表面并位于SiO2层一侧的金属走线层；所述金属走线层位于片载天线靠近金属支撑台的一侧；所述金属走线层上设有CPW馈电端口；所述SiO2层上设有与CPW馈电端口相连的平行双线，且设有与平行双线相连的八木天线有源振子；所述金属支撑台靠近片载天线的一侧面上设有反射面，该反射面与CPW馈电端口的接地面组合构成发射器。本发明具有结构简单、尺寸小、高效率、高增益、易工程化的优点，满足在毫米波亚毫米波成像、通信以及相控阵等领域的应用要求。
一种毫米波亚毫米波硅基片载端射天线

[发明专利]一种标准CMOS工艺制造的高频硅肖特基二极管结构及制作方法-CN201710125150.9在审
发明人：李一虎;熊永忠;邓小东;王勇 -专利权人： 成都中宇微芯科技有限公司
申请日： 2017-03-03 - 公布日： 2017-05-31 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明公开了一种标准CMOS工艺制造的高频硅肖特基二极管结构及制作方法，本发明包括P型芯片衬底，设置于P型芯片衬底上的P+掺杂区和N阱区，设置于N阱区的N+掺杂区，设置于P型芯片衬底一侧的氧化层，以及设置于氧化层上的二极管阳极、二极管阴极和衬底电极。本发明的硅肖特基二极管采用阴阳极交指结构，可有效减小二极管串联电阻，同时进行了芯片背面减薄，减小寄生电容，提高其高频性能，其可以使用现有标准的CMOS工艺制程，只要稍作工序调整即可制造，在满足射频电路应用要求的前提下，可大幅降低二极管成本。
一种标准 cmos 工艺制造高频硅肖特基二极管结构制作方法

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