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[发明专利]一种铁电光伏器件及其制备方法-CN201911126462.7有效
发明人：樊贞;谭政伟;成声亮 -专利权人：华南师范大学
申请日： 2019-11-18 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H01L31/032 文献下载
摘要：本发明涉及一种铁电光伏器件，包括依次层叠设置的单晶衬底、底电极、PZT薄膜和金属电极；所述PZT薄膜与所述底电极的界面形成耗尽层，所述PZT薄膜的厚度接近所述耗尽层的厚度；本发明还提供一种铁电光伏器件的制备方法。相对于现有技术，本发明提供的铁电光伏器件中控制PZT薄膜的厚度与其界面形成的耗尽层的厚度接近，使得电子‑空穴对在内建场作用下有效分离，能够有效抑制载流子复合，同时有效降低铁电光伏器件的串联电阻，从而获得较高的光电流及光电转换效率。
一种电光器件及其制备方法

[发明专利]一种GaN基CMOS器件及其制备方法-CN202210988175.2在审
发明人：卢星;裴艳丽;成声亮;陈梓敏;王钢 -专利权人：中山大学
申请日： 2022-08-17 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本发明公开了一种GaN基CMOS器件及其制备方法，涉及半导体领域，针对现有技术中GaN基器件没有良好P沟道的问题提出本方案。主要方法是利用不同方向的垂直电场诱导ε‑Ga2O3/GaN异质结中的ε‑Ga2O3发生极化翻转，使异质结界面形成2DEG或者2DHG，从而实现CMOS器件上的NMOS和PMOS结构相同，完全兼容。同时还能进一步得到载流子浓度和迁移率等电学参数均远大于传统技术的p沟道晶体管。
一种 gan cmos 器件及其制备方法

[发明专利]一种氧化镓晶体管及其二维电子气浓度的极化调控方法-CN202210774324.5在审
发明人：裴艳丽;成声亮;卢星;陈梓敏;王钢 -专利权人：中山大学
申请日： 2022-07-01 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种氧化镓晶体管及其二维电子气浓度的极化调控方法，该极化调控二维电子气浓度的晶体管结构自下而上分别为衬底、ε相氧化镓、ε相氧化镓铝和顶栅及源漏电极。ε相氧化镓具有很大的自发极化且被认为是一种铁电材料，在ε相氧化镓铝/ε相氧化镓异质结构界面形成二维电子气。本发明申请利用栅电极与衬底对栅下ε‑AlGaO3/ε‑Ga2O3异质结构施加垂直电场以改变其极化方向，然后撤去所述垂直电场，实现栅下异质结界面的二维电子气耗尽。优点在于，极化调控后异质结界面的2DEG的状态可以保持，为实现常关的增强型低功耗晶体管提供了新途径。氧化镓器件的常关和常开型之间可以按需转换，灵活调控器件类型。
一种氧化晶体管及其二维电子浓度极化调控方法