“德山慎司”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果15个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]III族氮化物半导体元件、III族氮化物半导体元件的制造方法-CN201410578598.2有效
发明人：嵯峨宣弘;德山慎司;住吉和英;京野孝史;片山浩二;滨口达史;梁岛克典 -专利权人：住友电气工业株式会社;索尼株式会社
申请日： 2014-10-24 - 公布日： 2018-12-28 - 主分类号： H01L33/32 文献下载
摘要：本发明提供在III族氮化物半导体中促进p型掺杂剂活化的包含p型III族氮化物半导体的元件和制作元件的方法。在外延衬底E上生长低氢含量膜(55)。低氢含量膜(55)具有例如1×10²⁰cm^‑3以下的氢浓度。低氢含量膜(55)的生长例如在不使用包含氢的原料的情况下通过干式工艺来进行，利用蒸镀法形成。低氢含量膜(55)含有电介质、例如硅氧化物。用低氢含量膜(55)覆盖后对半导体区域(53)进行活化退火，由添加Mg的III族氮化物半导体层形成p型III族氮化物半导体层。该活化退火的温度为摄氏600度以上且摄氏1100度以下。低氢含量膜(55)中的残留氢不阻碍氢自添加Mg的III族氮化物半导体层放出。
iii 氮化物半导体元件制造方法

[发明专利]外延基板及制作III族氮化物半导体激光器元件的方法-CN201310545985.1无效
发明人：善积祐介;盐谷阳平;京野孝史;住友隆道;嵯峨宣弘;足立真宽;住吉和英;德山慎司;高木慎平;池上隆俊;上野昌纪;片山浩二 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2010-11-11 - 公布日： 2014-02-26 - 主分类号： H01S5/343 文献下载
摘要：本发明提供一种外延基板及制作III族氮化物半导体激光器元件的方法。III族氮化物半导体激光器元件在六方晶系III族氮化物的c轴向m轴方向倾斜的支撑基体的半极性面上，具有能实现低阈值电流的激光谐振器且具有能提高振荡合格率的构造。成为激光谐振器的第1及第2切断面(27、29)与m-n面交叉。III族氮化物半导体激光器元件(11)中，激光波导路在m-n面与半极性面(17a)的交叉线的方向延伸，因此可利用能实现低阈值电流的能带跃迁的发光。第1及第2切断面(27、29)自第1面(13a)的边缘(13c)延伸至第2面(13b)的边缘(13d)。切断面(27、29)并非通过干式蚀刻形成，且与c面、m面或者a面等目前为止的解理面不同。波导路向量(LGV)与投影分量(VCP)所成的偏移角(AV)可在-0.5度以上+0.5度以下的范围。
外延制作 iii 氮化物半导体激光器元件方法

[发明专利]Ⅲ族氮化物半导体激光元件、及制作Ⅲ族氮化物半导体激光元件的方法-CN201080009778.9无效
发明人：善积祐介;高木慎平;盐谷阳平;京野孝史;足立真宽;上野昌纪;住友隆道;德山慎司;片山浩二;中村孝夫;池上隆俊 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2010-12-28 - 公布日： 2012-10-03 - 主分类号： H01S5/343 文献下载
摘要：本发明提供一种在六方晶系III族氮化物的c轴朝m轴的方向倾斜的支持基体的半极性面上，具有较高的振荡良率的激光共振器的III族氮化物半导体激光元件。成为激光共振器的第1及第2割断面27、29与m-n面交叉。III族氮化物半导体激光元件11具有在m-n面与半极性面17a的交叉线的方向上延伸的激光波导。因此，可利用能够成为低阈值电流的带间跃迁的发光。在激光构造体13中，第1面13a为第2面13b的相反侧的面。第1及第2割断面27、29从第1面13a的边缘13c延伸至第2面13b的边缘13d为止。割断面27、29并非通过干式蚀刻形成，与c面、m面或a面等以往的裂面不同。
氮化物半导体激光元件制作方法

[发明专利]化合物半导体器件-CN201080050469.6无效
发明人：足立真宽;德山慎司;片山浩二 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2010-10-25 - 公布日： 2012-09-19 - 主分类号： H01L33/36 文献下载
摘要：提供了与电极的接触电阻下降的化合物半导体器件。所述化合物半导体器件包含：包含六方晶系化合物半导体GaN且具有表面S1和S2的n衬底3；形成在所述n衬底3的所述表面S1上的n电极13；具有形成在所述n衬底3的所述表面S2上的n覆盖层5、有源层7、p覆盖层9和接触层11的层叠体；和形成在所述p覆盖层9上的p电极15。在所述n衬底3的所述表面S1上包含的N原子的数目大于在所述表面S1上包含的Ga原子的数目。在所述表面S1上形成的电极为n电极13。所述表面S1的氧浓度为5原子%以下。在所述接触层11的所述表面S3上包含的Ga原子的数目大于在所述表面S3上包含的N原子的数目。在所述表面S3上形成的电极为p电极15。所述表面S3的氧浓度为5原子%以下。
化合物半导体器件

[发明专利]III族氮化物半导体激光器元件、制作III族氮化物半导体激光器元件的方法及外延基板-CN201080059063.4无效
发明人：善积祐介;盐谷阳平;京野孝史;住友隆道;嵯峨宣弘;足立真宽;住吉和英;德山慎司;高木慎平;池上隆俊;上野昌纪;片山浩二 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2010-11-11 - 公布日： 2012-09-12 - 主分类号： H01S5/343 文献下载
摘要：本发明提供一种III族氮化物半导体激光器元件，其在六方晶系III族氮化物的c轴向m轴方向倾斜的支撑基体的半极性面上，具有能实现低阈值电流的激光谐振器且具有能提高振荡合格率的构造。成为激光谐振器的第1及第2切断面(27、29)与m-n面交叉。III族氮化物半导体激光器元件(11)中，激光波导路在m-n面与半极性面(17a)的交叉线的方向延伸，因此可利用能实现低阈值电流的能带跃迁的发光。第1及第2切断面(27、29)自第1面(13a)的边缘(13c)延伸至第2面(13b)的边缘(13d)。切断面(27、29)并非通过干式蚀刻形成，且与c面、m面或者a面等目前为止的解理面不同。波导路向量(LGV)与投影分量(VCP)所成的偏移角(AV)可在-0.5度以上+0.5度以下的范围。
iii 氮化物半导体激光器元件制作方法外延

[发明专利]III族氮化物半导体激光器元件及III族氮化物半导体激光器元件的制作方法-CN201080043433.5有效
发明人：善积祐介;盐谷阳平;京野孝史;足立真宽;德山慎司;住友隆道;上野昌纪;池上隆俊;片山浩二;中村孝夫 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2010-09-29 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： H01S5/343 文献下载
摘要：本发明提供一种元件寿命长的III族氮化物半导体激光器元件。III族氮化物半导体激光器元件(11)具有在m-n面与半极性面(17a)的交叉线的方向延伸的激光波导路。在激光波导路的两端，设有成为激光谐振器的第1及第2端面(26、28)。第1及第2端面(26、28)与m-n面(或a-n面)交叉。c+轴向量与波导路向量WV成锐角。该波导路向量WV与自第2端面(28)朝向第1端面(26)的方向对应。第2端面(28)上的第2电介质多层膜(C-侧)(43b)的厚度比第1端面(26)上的第1电介质多层膜(C+侧)(43a)的厚度薄。
iii 氮化物半导体激光器元件制作方法

[发明专利]III族氮化物半导体激光器元件及III族氮化物半导体激光器元件的制作方法-CN201080043448.1有效
发明人：善积祐介;盐谷阳平;京野孝史;足立真宽;德山慎司;住友隆道;上野昌纪;池上隆俊;片山浩二;中村孝夫 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2010-09-29 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： H01S5/343 文献下载
摘要：本发明提供一种对于COD具有较大耐性的III族氮化物半导体激光器元件。III族氮化物半导体激光器元件(11)具有在m-n面与半极性面(17a)的交叉线的方向延伸的激光波导路。在激光波导路的两端，设有成为激光谐振器的第1及第2端面(26、28)。第1及第2端面(26、28)与m-n面(或a-n面)交叉。c+轴向量与波导路向量WV成锐角。该波导路向量WV与自第2端面(28)朝向第1端面(26)的方向对应。第1端面(C+侧)(26)上的第1电介质多层膜(43a)的厚度比第2端面(C-侧)(28)上的第2电介质多层膜(43b)的厚度薄。
iii 氮化物半导体激光器元件制作方法

[发明专利]制作半导体发光元件的方法-CN201080043799.2无效
发明人：京野孝史;盐谷阳平;善积祐介;秋田胜史;上野昌纪;住友隆道;足立真宽;德山慎司 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2010-09-22 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： H01L33/32 文献下载
摘要：本发明提供一种可将活性层的压电极化的朝向选择为适宜方向的制作半导体发光元件的方法。在步骤S104中，一面对基板产物施加偏压，一面进行基板产物的光致发光的测定，而获得基板产物的光致发光的偏压依赖性，该基板产物通过以所选择的一个或多个倾斜角生长用于发光层的量子阱构造、p型及n型氮化镓系半导体层而形成。在步骤S105中，根据偏压依赖性进行基板主面的所选择的各倾斜角各自在发光层的压电极化的朝向的预测。在步骤S106中，基于预测而判断应使用与基板主面对应的倾斜角及与基板主面的背面对应的倾斜角的哪一个，从而选择用以制作半导体发光元件的生长基板的面取向。将用于半导体发光元件的半导体叠层形成于生长基板的主面上。
制作半导体发光元件方法

[发明专利]III族氮化物半导体激光二极管-CN201080026837.3有效
发明人：足立真宽;德山慎司;盐谷阳平;京野孝史;善积祐介;秋田胜史;上野昌纪;片山浩二;池上隆俊;中村孝夫 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2010-06-17 - 公布日： 2012-05-16 - 主分类号： H01S5/343 文献下载
摘要：提供一种可以低阈值进行激光振荡的III族氮化物半导体激光二极管。支撑基体(13)具有半极性或无极性的主面(13a)。III族氮化物的c轴(Cx)相对于主面(13a)倾斜。n型覆盖区域(15)及p型覆盖区域(17)设置于支撑基体(13)的主面(13a)上。芯材半导体区域(19)设置于n型覆盖区域(15)与p型覆盖区域(17)之间。芯材半导体区域(19)包含第1光导层(21)、活性层(23)及第2光导层(25)。活性层(23)设置于第1光导层(21)与第2光导层(25)之间。芯材半导体区域(19)的厚度(D19)为0.5μm以上。该构造不会令光逃泄到支撑基体(13)，可将光闭入于芯材半导体区域(19)内，因此可降低阈值电流。
iii 氮化物半导体激光二极管

[发明专利]第III族氮化物基半导体元件-CN201080020912.5无效
发明人： 德山慎司;上野昌纪;足立真宽;京野孝史;住友隆道;片山浩二;齐藤吉广 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2010-09-22 - 公布日： 2012-04-18 - 主分类号： H01L33/32 文献下载
摘要：本发明提供一种第III族氮化物基半导体元件，在第III族氮化物基半导体区域的表面从c面倾斜时，能够将设置在该半导体层上的电极与该半导体区域的接触电阻抑制为较小。一种第III族氮化物基半导体元件，具备：具有包含第III族氮化物晶体的非极性表面(13a)的半导体区域(13)、和设置在半导体区域(13)的非极性表面(13a)上的金属电极(17)；非极性表面(13a)为半极性和无极性中的任意一种，半导体区域(13)中添加有p型掺杂剂，在半导体区域(13)的第III族氮化物晶体与金属电极(17)之间，具有由金属电极(17)的金属与半导体区域(13)的第III族氮化物相互扩散而形成的过渡层(19)。
iii 氮化物半导体元件

[发明专利]半导体元件及制作半导体元件的方法-CN201080018398.1无效
发明人： 德山慎司;足立真宽;京野孝史;斋藤吉广 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2010-11-15 - 公布日： 2012-04-11 - 主分类号： H01L33/32 文献下载
摘要：本发明提供半导体元件，在相对c面倾斜的p型主面中具有良好的欧姆接触。p型半导体区域(13)的主面(13a)沿相对于该六方晶系III族氮化物的c轴(<0001>轴)倾斜的平面延伸。金属层(15)设置于p型半导体区域(13)的主面(13a)上。金属层(15)与p型半导体区域(13)以形成界面(17)的方式层积而构成非合金电极。六方晶系III族氮化物含有镓作为III族构成元素，因此由六方晶系III族氮化物构成的主面(13a)比六方晶系III族氮化物的c面更易被氧化。金属层(15)与p型半导体区域(13)以形成界面(17)的方式层积而构成非合金电极。避免形成用作电极的金属层(15)后的合金化引起的氧化物增加。
半导体元件制作方法

[发明专利]氮化物系半导体发光器件-CN201080002596.9无效
发明人：京野孝史;盐谷阳平;善积祐介;秋田胜史;上野昌纪;住友隆道;足立真宽;德山慎司 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2010-06-18 - 公布日： 2011-08-10 - 主分类号： H01L33/32 文献下载
摘要：本发明的氮化物系半导体发光器件(LE1、LD1)的特征在于，具备：氮化镓衬底(11)，其具有主面(11a)，主面(11a)与基准平面(Sc)所成的角度α在40度以上且50度以下以及大于90度且在130度以下的范围内，其中，上述基准平面(Sc)与向c轴方向延伸的基准轴(Cx)正交；n型氮化镓系半导体层(13)；第2氮化镓系半导体区域(17)；及发光层(15)，其包括阱层(21)和势垒层(23)，其中，上述阱层(21)包括多个InGaN，上述势垒层(23)包括多个GaN系半导体；并且，多个阱层(21)的压电极化的方向为从n型氮化镓系半导体层(13)朝向第2氮化镓系半导体区域(17)的方向。
氮化物半导体发光器件

[发明专利]Ⅲ族氮化物半导体光元件-CN201080001340.6无效
发明人：上野昌纪;善积祐介;盐谷阳平;京野孝史;秋田胜史;住友隆道;足立真宽;德山慎司 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2010-02-26 - 公布日： 2011-07-13 - 主分类号： H01L33/32 文献下载
摘要：一种III族氮化物半导体光元件(11a)，包括：III族氮化物半导体基板(13)，具有与基准平面(Sc)成有限的角度的主面(13a)，基准平面(Sc)与c轴方向上延伸的基准轴(Cx)正交；和量子阱结构的活性层(17)，被设置于III族氮化物半导体基板(13)的主面(13a)上，并包含由III族氮化物半导体构成的阱层(28)及由III族氮化物半导体构成的多个势垒层(29)，主面(13a)显示半极性，活性层(17)具有1×1017cm-3以上且8×1017cm-3以下的氧浓度，多个势垒层(29)在与阱层(28)的III族氮化物半导体基板一侧的下部界面(28Sd)接触的上部界面附近区域(29u)含有浓度为1×1017cm-3以上且1×1019cm-3以下的氧以外的n型杂质。
氮化物半导体元件

[发明专利]III族氮化物半导体激光器元件及其制作方法-CN201010284406.9有效
发明人：善积祐介;盐谷阳平;京野孝史;足立真宽;秋田胜史;上野昌纪;住友隆道;德山慎司;片山浩二;中村孝夫;池上隆俊 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2010-09-10 - 公布日： 2011-04-20 - 主分类号： H01S5/10 文献下载
摘要：一种III族氮化物半导体激光器元件及其制作方法，在六方晶系III族氮化物的c轴朝向a轴方向倾斜的支撑基体的半极性面上，具有能够实现低阈值电流的激光谐振器。作为激光谐振器的第1和第2切断面(27、29)与a-n面交叉。III族氮化物半导体激光器元件(11)具有在a-n面和半极性面(17a)的交叉线方向上延伸的激光波导。因此，能够利用可实现低阈值电流的能带跃迁的发光。在激光器结构体(13)中，第1面(13a)是第2面(13b)的相反侧的面。第1及第2切断面从第1面的边缘(13c)延伸至第2面的边缘(13d)。切断面不通过干法蚀刻形成，并且与c面、m面或a面等现有的解理面不同。
iii 氮化物半导体激光器元件及其制作方法

[发明专利]Ⅲ族氮化物半导体激光器元件及Ⅲ族氮化物半导体激光器元件的制作方法-CN200980104006.0有效
发明人：善积祐介;盐谷阳平;京野孝史;足立真宽;秋田胜史;上野昌纪;住友隆道;德山慎司;片山浩二;中村孝夫;池上隆俊 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2009-07-16 - 公布日： 2011-03-09 - 主分类号： H01S5/323 文献下载
摘要：本发明提供一种III族氮化物半导体激光器元件，其中，具有可在六方晶系III族氮化物的c轴向m轴方向倾斜的支撑基体的半极性面上实现低阈值电流的激光谐振器。作为激光谐振器的第一及第二断裂面(27)、(29)与m-n面交叉。III族氮化物半导体激光器元件(11)具有沿m-n面与半极性主面(17a)的交叉线方向延伸的激光波导。因此，可利用实现低阈值电流的能带跃迁的发光。在激光器结构体(13)中，第一面(13a)为第二面(13b)的相反侧的面。第一及第二断裂面(27)、(29)从第一面(13a)的边缘(13c)延伸至第二面(13b)的边缘(13d)。断裂面(27)、(29)不通过干蚀刻形成，与c面、m面或a面等现有的解理面不同。
氮化物半导体激光器元件制作方法

1
共 15 条