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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]微结构制造方法-CN200910174511.4有效
发明人：陈晓翔;叶力垦;刘政谚 -专利权人： 微智半导体股份有限公司
申请日： 2009-09-28 - 公布日： 2011-04-27 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种应用于半导体制程的微结构制造方法。此微结构制造方法包括以下步骤。先形成内含有微结构、多个金属电路与金属连接层的绝缘层于硅基底上。其中微结构与金属电路平行并排于绝缘层内，金属连接层则与金属电路电性连接，且金属连接层外露于绝缘层表面。之后，沉积保护层于金属连接层与绝缘层表面，并进行蚀刻以令微结构悬浮。借此避免微结构与金属连接层遭到蚀刻液侵蚀破坏。
微结构制造方法

[发明专利]兼容半导体元件的微型悬浮结构及其制造方法-CN200910178599.7有效
发明人：陈晓翔 -专利权人： 微智半导体股份有限公司
申请日： 2009-09-29 - 公布日： 2011-04-27 - 主分类号： B81B7/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种兼容半导体元件的微型悬浮结构制造方法，包含在硅基底上方的绝缘层内形成半导体元件及微机电结构。微机电结构包含彼此独立的微结构、兼容连接件与金属电路，兼容连接件电性连接半导体元件与微机电结构。前述硅基底通过第一次蚀刻产生的切割空间，以及第二次蚀刻产生与切割空间相通的悬浮空间，借以使微机电结构悬浮，并利用绝缘层内的兼容连接件达成微机电结构与半导体元件的电性连接。借此有效结合微机电结构与半导体元件，且避免微机电结构不当侵蚀及曝露。同时，也揭露一种以上述制造方法形成的一种兼容半导体元件的微型悬浮结构。
兼容半导体元件微型悬浮结构及其制造方法

[发明专利]兼容半导体元件的微型悬浮结构及其制造方法-CN200910178598.2有效
发明人：陈晓翔 -专利权人： 微智半导体股份有限公司
申请日： 2009-09-29 - 公布日： 2011-04-27 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种兼容半导体元件的微型悬浮结构及其制造方法，该方法包含在硅基底上方的绝缘层内形成半导体元件及微机电结构，微机电结构包含彼此独立的微结构与兼容连接件，兼容连接件电性连接半导体元件与微机电结构。接着，由前述绝缘层朝硅基底进行第一次蚀刻产生保留空间，再由前述硅基底相对方向的第二次蚀刻产生切割空间，然后利用硅基底第三次蚀刻产生与保留空间、切割空间相通的悬浮空间。此时，利用绝缘层内的兼容连接件达成微机电结构与半导体元件的电性连接，避免微机电结构不当侵蚀及曝露。
兼容半导体元件微型悬浮结构及其制造方法

[发明专利]微机电前处理方法及结构-CN200910174512.9无效
发明人：陈晓翔;刘政谚 -专利权人： 微智半导体股份有限公司
申请日： 2009-09-28 - 公布日： 2011-04-27 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种微机电前处理方法及结构，可应用于半导体制程。微机电前处理方法为在硅基底上形成内含微结构、多个金属插销堆叠层、多个金属电路与金属连接层的绝缘层。其中微结构与金属电路平行并排于绝缘层内，金属插销堆叠层位于微结构的周侧，而金属连接层与金属电路电性连接。接着，金属连接层为外露于绝缘层表面受保护层保护，或内藏于绝缘层表面下受绝缘层覆盖之下，进行蚀刻去除金属插销堆叠层及后续制程步骤。借此避免金属连接层于蚀刻过程中遭受侵蚀而破坏结构。
微机处理方法结构

[发明专利]微机电的结构及制造方法-CN200910166465.3有效
发明人：邱奕翔;叶力垦;刘政谚;陈晓翔 -专利权人： 微智半导体股份有限公司
申请日： 2009-08-19 - 公布日： 2011-03-30 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明提供一种微机电结构，在基板上具有微结构与蚀刻道。微结构为金属层及导电层相连形成，且以氧化硅包覆在微结构周围，并在氧化硅顶端具有阻挡层。蚀刻道为金属层与氧化层交互堆叠而成，且氧化层两边具有通道。其中，微结构的阻挡层与蚀刻道最上层的金属层非同一平面；借此在利用蚀刻移除蚀刻道的金属层时，不会同时将微结构的金属层移除。本发明还提供一种微机电制造方法，以湿式蚀刻法移除前述蚀刻道中的金属层，再以震荡或蚀刻将蚀刻道中残余的氧化层移除，并利用深反应离子蚀刻及背蚀刻悬浮微结构，以形成蚀刻道壁面平整、无残留的悬浮微机电结构。
微机结构制造方法

[发明专利]可整合半导体制程的微结构制造方法-CN200810145283.3有效
发明人：陈晓翔;叶力垦;刘政谚 -专利权人： 微智半导体股份有限公司
申请日： 2008-08-01 - 公布日： 2010-02-03 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种可整合半导体制程的微结构制造方法，在一硅基层上表面形成一绝缘层，绝缘层设有彼此独立的至少一微结构与多个金属电路，微结构与金属电路受绝缘层包覆进行蚀刻，绝缘层成型一与金属电路及外部导体电性连结的金属连接层，金属连接层外露于该绝缘层表面上受一保护层覆盖进行蚀刻，避免微结构与金属连接层遭受蚀刻液侵蚀破坏。
整合半导体微结构制造方法

[发明专利]可整合半导体制程的微机电前处理制造方法及其结构-CN200810128321.4无效
发明人：陈晓翔;刘政谚 -专利权人： 微智半导体股份有限公司
申请日： 2008-07-07 - 公布日： 2010-01-13 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种可整合半导体制程的微机电前处理制造方法及其结构，于一硅基底上表面形成至少一内具微机电结构的绝缘层，微机电结构包含彼此独立的至少一微结构与金属电路，绝缘层成型一与金属电路电性链接的金属连接层，金属连接层外露于绝缘层表面上受一保护层覆盖进行蚀刻，或金属连接层内藏于绝缘层表面下受绝缘层覆盖进行蚀刻，避免金属连接层于蚀刻过程遭受侵蚀而破坏结构，使外部导体透过与金属连接层电性链接，使金属电路透过打线与外部接合进行传输讯号。
整合半导体微机处理制造方法及其结构

[实用新型]互动学习式玩具-CN200820131396.3无效
发明人：邱淑娟 -专利权人： 微智半导体股份有限公司
申请日： 2008-08-01 - 公布日： 2009-09-02 - 主分类号： A63H33/26 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种互动学习式玩具，包括一主体，于该主体内具有一电源供应一发声单元、一处理中心单元、一记忆体与一收发单元，配合数个具有内置的记忆体可存放相对的识别资料以及附加的音讯资料的被感应件，而主体内的记忆体则具有一主动及一被动音讯资料，通过主体的移动或晃动，主动音讯资料即会送出音讯资料至发声单元发出基本音讯，而当被感应件靠近时，主体的收发单元即会对被感应件进行感应后，启动主体的记忆体送出识别资料经辨识后，主体的被动音讯资料库内相对被动音讯资料送至处理中心单元处理至发声单元发出附加音讯，并通过不同的被感应件靠近该主体，达到主体因应被感应件发出相对的声音，以提高游戏或学习的效果。
互动学习玩具

[发明专利]半导体微型悬浮结构及其制造方法-CN200710305235.1有效
发明人：陈晓翔 -专利权人： 微智半导体股份有限公司
申请日： 2007-12-25 - 公布日： 2009-07-01 - 主分类号： B81B3/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体微型悬浮结构的制造方法，是在硅衬底上表面形成至少一内具微机电结构的绝缘层，该微机电结构包含彼此独立的至少一微结构与金属电路，该微机电结构于绝缘层表面具有外露部分，相对应微机电结构预期蚀刻空间设有通孔或金属插销堆栈层，前述蚀刻空间或金属插销堆栈层仅通过绝缘层，另在绝缘层上表面制作具有一开口的掩膜层，该开口位于通孔或金属插销堆栈层外侧；接着依序蚀刻形成空间，形成微机电的微结构悬浮。藉此，有效避免微机电结构不当侵蚀及曝露，更能简化光刻掩膜板技术、降低光刻掩膜板的高精密需求、减少成本。本发明还公开了一种微型悬浮结构。
半导体微型悬浮结构及其制造方法

[发明专利]半导体微机电结构的制造方法-CN200710186417.1有效
发明人：陈晓翔;刘政谚 -专利权人： 微智半导体股份有限公司
申请日： 2007-11-16 - 公布日： 2009-05-20 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体微机电结构的制造方法，是先在一硅基衬底的上表面制备至少一内具微机电结构的绝缘电路层，并且在绝缘电路层上表面由内而外依序制作一牺牲层及一阻挡层，接着在硅基衬底的下背面制作一层蚀刻阻挡层，并从硅基衬底的下背面进行深反应离子蚀刻或使用湿蚀刻，以形成相应该微机电结构的空间，再依序进行绝缘电路层、牺牲层的蚀刻，使微机电结构悬浮；藉此，有效避免侧蚀，而且微机电曝露在外、受到损伤的机率低，更能与一般集成电路封装工艺整合以减少最后封装成本。
半导体微机结构制造方法

[发明专利]悬浮微机电结构制造方法-CN200710186418.6有效
发明人：李升鸿;陈晓翔;刘政谚;叶力垦 -专利权人： 微智半导体股份有限公司
申请日： 2007-11-16 - 公布日： 2009-05-20 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种悬浮微机电结构制造方法，包括以下步骤：首先，在硅基底上表面形成至少一层内部具有金属微机电结构的绝缘层，该微机电结构包含彼此独立的至少一个微结构与至少一个金属牺牲结构，且该金属牺牲结构内具有金属层及连接各金属层的金属插销层；其次，在绝缘层的上表面制作至少一层阻绝层；再次，在硅基底下表面制作至少一层蚀刻阻绝层；第四步，从硅基底下表面进行蚀刻，形成相应微机电结构内悬浮微结构的空间；最后，对金属牺牲结构进行蚀刻，形成微机电结构的悬浮。本发明能有效避免悬浮微机电结构及其周围绝缘层的不当侵蚀，降低悬浮微机电结构曝露率，能与一般集成电路封装整合减少最后封装成本。
悬浮微机结构制造方法

[发明专利]微机电系统及其制造方法-CN200710169823.7有效
发明人：邱奕翔;叶力垦 -专利权人： 微智半导体股份有限公司
申请日： 2007-11-07 - 公布日： 2009-05-13 - 主分类号： B81B3/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种微机电系统及其制造方法，该微机电系统包括一微结构，一电路，以及一沟渠位于该微结构及该电路之间以隔离该微结构及该电路，防止该微结构被释放时产生过度蚀刻造成该电路的特性劣化。该微机电系统的另一技术方案包括一结构区块至少具有一微结构，一电路区块至少具有第一及第二电路，以及一沟渠位于该第一及第二电路之间以隔离该第一及第二电路，避免该第一及第二电路之间的干扰。本发明藉由在基板上形成沟渠，以避免电路之间的干扰以及防止释放微结构时基板的过度蚀刻。
微机系统及其制造方法

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