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[实用新型]分裂栅型MOSFET器件-CN202122384470.0有效
发明人：唐晓琦;王羽;高杰;孙梦;徐鸿卓;辛俊莹;常东旭 -专利权人：北京燕东微电子科技有限公司
申请日： 2021-09-29 - 公布日： 2022-02-11 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种分裂栅型MOSFET器件，包括衬底；位于衬底表面的缓冲区；位于部分缓冲区表面的阱区；位于阱区内的第一掺杂区；位于第一掺杂区表面的源极区和漏极区；贯穿第一掺杂区和阱区并延伸至缓冲区中的分裂栅结构，分裂栅结构将源极区和漏极区隔开，分裂栅结构包括：外围的介质层，被介质层包围的第一栅极区、导体区和第二栅极区；位于介质层表面的绝缘区，介质层与绝缘区接触的表面平坦化。本申请采用槽型分裂栅结构，降低MOSFET器件中的栅漏电容，且槽型分裂栅结构中的介质层与绝缘区接触的表面平坦化，使得两个栅极区与沟道之间形成较均匀的电场，进而提升了MOSFET器件的栅极电学性能以及沟道的电学性能。
分裂 mosfet 器件

[发明专利]Doherty功率放大器及包括其的基站和通信系统-CN202111019112.8在审
发明人：唐晓琦;刘伟;徐鸿卓;辛俊莹 -专利权人：北京顿思集成电路设计有限责任公司
申请日： 2021-09-01 - 公布日： 2021-12-03 - 主分类号： H03F1/02 文献下载
摘要：本申请公开了一种Doherty功率放大器及包括其的基站和通信系统。该Doherty功率放大器包括功分器、载波功率放大电路、峰值功率放大电路和负载调制网络。负载调制网络包括第一微带线、第二微带线和双频匹配电路，第一微带线和第二微带线的一端分别与载波功率放大电路和峰值功率放大电路的输出端连接，第一微带线和第二微带线的另一端相连接作为合路端与双频匹配电路的一端连接，双频匹配电路的另一端与负载连接。较传统的Doherty功率放大器而言，本发明的双频匹配电路可以补偿微带线的频散效应，能够显著提高功率放大器的带宽，提高回退效率，很好地应用于未来无线通信系统中。
doherty 功率放大器包括基站通信系统

[实用新型]一种智慧农业用信息采集装置-CN202022063802.0有效
发明人： 徐鸿卓;马兆敏 -专利权人： 徐鸿卓
申请日： 2020-09-21 - 公布日： 2021-05-07 - 主分类号： G06Q50/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及智慧农业技术领域，且公开了一种智慧农业用信息采集装置，包括养殖棚，所述养殖棚内开设有养殖腔，所述养殖腔底壁固定安装有数量大于两个的苗床，所述养殖腔底壁固定安装有显示屏，所述养殖腔顶壁固定连接有位于苗床顶部的固定导轨，所述养殖腔后侧壁固定连接有位于固定导轨后侧的横向滑台，所述横向滑台的滑块前侧固定连接有位于固定导轨后侧的活动导轨，所述活动导轨底部活动连接有安装板。该智慧农业用信息采集装置，解决了现有的智慧农业用信息采集装置多为对固定位置信息的采集，不能够进行多位置的信息采集，导致采集信息不够精准，不能够满足使用需求的问题。
一种智慧农业信息采集装置

[实用新型]层叠封装结构-CN201921856326.9有效
发明人：戴建业;王峥;徐鸿卓;刘伟;孙梦 -专利权人：北京燕东微电子有限公司
申请日： 2019-10-31 - 公布日： 2020-06-12 - 主分类号： H01L23/552 文献下载
摘要：本申请公开了一种层叠封装结构，以解决现有的层叠封装结构电磁屏蔽能力较差的问题。该层叠封装结构，包括：基板、固定于基板上表面的支撑件以及罩设于支撑件外的塑封壳体；支撑件包括侧板和隔板，侧板垂直固定在基板上表面，隔板固定在由侧板所限定出的柱型空间内、并将柱型空间分隔成对应于基板的下腔以及与下腔相对的上腔；在侧板的内表面以及隔板朝向下腔的下表面上设有第一屏蔽层；在下腔内设有第一芯片，且第一芯片与基板之间电连接；在上腔内设有第二芯片，且第二芯片与基板电连接。该层叠封装结构采用了特殊结构的支撑件且设置有屏蔽层，能够对其中的芯片形成良好的电磁屏蔽，提高该封装结构的稳定性和可靠性。
层叠封装结构

[实用新型]一种芯片封装治具-CN201921622811.X有效
发明人：戴建业;唐晓琦;王峥;刘伟;徐鸿卓 -专利权人：北京燕东微电子有限公司
申请日： 2019-09-27 - 公布日： 2020-04-24 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种芯片封装治具，该芯片封装治具用于对待封装部件进行封装；芯片封装治具包括上模具、下模具和伸缩装置，其中：上模具和下模具能够扣合形成用于容纳待封装部件的模腔；上模具上设有通孔；下模具上设有注料孔；伸缩装置包括：与上模具固定连接的固定板；上定位板和下定位板，上定位板与固定板固定连接；压杆和压块，压杆的一端与下定位板连接，另一端与压块连接；驱动组件，驱动组件用于驱动下定位板相对于上定位板运动，带动压块通过通孔进入模腔内，直至压块的下表面与芯片的背面相贴合。采用该芯片封装治具，无需进行贴膜和揭膜，即可获得裸露芯片的封装结构，节约了生产成本，提升了生产效率。
一种芯片封装

[发明专利]层叠封装结构及其制造方法-CN201911051677.7在审
发明人：戴建业;王峥;徐鸿卓;刘伟;孙梦 -专利权人：北京燕东微电子有限公司
申请日： 2019-10-31 - 公布日： 2020-02-18 - 主分类号： H01L23/552 文献下载
摘要：本申请公开了一种层叠封装结构及其制造方法，以解决现有的层叠封装结构电磁屏蔽能力较差的问题。该层叠封装结构，包括：基板、固定于基板上表面的支撑件以及罩设于支撑件外的塑封壳体；支撑件包括侧板和隔板，侧板垂直固定在基板上表面，隔板固定在由侧板所限定出的柱型空间内、并将柱型空间分隔成对应于基板的下腔以及与下腔相对的上腔；在侧板的内表面以及隔板朝向下腔的下表面上设有第一屏蔽层；在下腔内设有第一芯片，且第一芯片与基板之间电连接；在上腔内设有第二芯片，且第二芯片与基板电连接。该层叠封装结构采用了特殊结构的支撑件且设置有屏蔽层，能够对其中的芯片形成良好的电磁屏蔽，提高该封装结构的稳定性和可靠性。
层叠封装结构及其制造方法

[发明专利]容性二极管组件及其制造方法-CN201510516284.4有效
发明人：周源;张彦秀;韦仕贡;徐鸿卓 -专利权人：北京燕东微电子有限公司
申请日： 2015-08-20 - 公布日： 2018-08-24 - 主分类号： H01L27/08 文献下载
摘要：公开了容性二极管组件及其制造方法。所述容性二极管组件包括：第一导电类型的半导体衬底；位于半导体衬底上的第二导电类型的外延层，第二导电类型与第一导电类型不同；第一导电类型的隔离区，从外延层的表面穿过外延层延伸至半导体衬底中，从而在外延层中限定第一二极管的第一有源区和第二二极管的第二有源区，并且将第一有源区和第二有源区彼此隔开；第一导电类型的第一掺杂区，在第一有源区从外延层表面延伸至外延层中；第二导电类型的第二掺杂区，在第二有源区从外延层表面延伸至外延层中；以及导电通道，在第一有源区从外延层表面延伸进入半导体衬底中，使得外延层和半导体衬底彼此电连接。该容性二极管组件可以作为无极性的电容元件，可以提高瞬态电压抑制器的瞬态响应速度。
二极管组件及其制造方法

[发明专利]瞬态电压抑制器-CN201510516444.5有效
发明人：周源;张彦秀;韦仕贡;徐鸿卓 -专利权人：北京燕东微电子有限公司
申请日： 2015-08-20 - 公布日： 2018-03-30 - 主分类号： H02H9/04 文献下载
摘要：公开了瞬态电压抑制器。所述瞬态电压抑制器具有信号端和接地端，包括彼此串联连接的容性二极管组件和第一齐纳二极管，其中，容性二极管组件包括在同一个半导体芯片中形成且所述半导体芯片内反向并联连接的第一二极管和第二二极管。该瞬态电压抑制器采用容性二极管组件作为无极性的电容元件，从而提高瞬态电压抑制器的瞬态响应速度。
瞬态电压抑制器

[发明专利]用于驻极体麦克风的高增益前置放大器及驻极体麦克风-CN201410201152.8有效
发明人：淮永进;孙茂友;徐鸿卓;韦仕贡;唐晓琪;蔺增金;张彦秀 -专利权人：北京燕东微电子有限公司;深圳市锐迪芯电子有限公司
申请日： 2014-05-13 - 公布日： 2017-04-05 - 主分类号： H03F3/185 文献下载
摘要：本发明公开一种驻极体麦克风用高增益前置放大器。该放大器包括PMOS晶体管、第一和第二NMOS晶体管，以及电流源，其中PMOS晶体管的栅极用作该放大器的输入端，所述第二NMOS晶体管的漏极用作该放大器的输出端，所述电流源的第一端与第二NMOS晶体管的漏极连接，第二端与所述PMOS晶体管的源极和第一NMOS晶体管的漏极连接，所述第一和第二NMOS晶体管的栅极连接，并且所述PMOS晶体管的漏极以及第一和第二NMOS晶体管的源极接地。本发明由此提供一种高增益、体积小能够应用于ECM麦克风的前置放大器。本发明还提供一种包括该前置放大器的驻极体麦克风。
用于驻极体麦克风增益前置放大器

[实用新型]容性二极管组件-CN201520633732.4有效
发明人：周源;张彦秀;韦仕贡;徐鸿卓 -专利权人：北京燕东微电子有限公司
申请日： 2015-08-20 - 公布日： 2016-03-16 - 主分类号： H01L27/08 文献下载
摘要：公开了容性二极管组件。所述容性二极管组件包括：第一导电类型的半导体衬底；位于半导体衬底上的第二导电类型的外延层，第二导电类型与第一导电类型不同；第一导电类型的隔离区，从外延层的表面穿过外延层延伸至半导体衬底中，从而在外延层中限定第一二极管的第一有源区和第二二极管的第二有源区，并且将第一有源区和第二有源区彼此隔开；第一导电类型的第一掺杂区，在第一有源区从外延层表面延伸至外延层中；第二导电类型的第二掺杂区，在第二有源区从外延层表面延伸至外延层中；以及互连结构，将隔离区和外延层位于第一有源区的部分彼此电连接。该容性二极管组件可以作为无极性的电容元件，可以提高瞬态电压抑制器的瞬态响应速度。
二极管组件

[实用新型]容性二极管组件-CN201520633924.5有效
发明人：周源;张彦秀;韦仕贡;徐鸿卓 -专利权人：北京燕东微电子有限公司
申请日： 2015-08-20 - 公布日： 2016-02-03 - 主分类号： H01L27/08 文献下载
摘要：公开了容性二极管组件。所述容性二极管组件包括：第一导电类型的半导体衬底；位于半导体衬底上的第二导电类型的外延层，第二导电类型与第一导电类型不同；第一导电类型的隔离区，从外延层的表面穿过外延层延伸至半导体衬底中，从而在外延层中限定第一二极管的第一有源区和第二二极管的第二有源区，并且将第一有源区和第二有源区彼此隔开；第一导电类型的第一掺杂区，在第一有源区从外延层表面延伸至外延层中；第二导电类型的第二掺杂区，在第二有源区从外延层表面延伸至外延层中；以及导电通道，在第一有源区从外延层表面延伸进入半导体衬底中，使得外延层和半导体衬底彼此电连接。该容性二极管组件可以作为无极性的电容元件，可以提高瞬态电压抑制器的瞬态响应速度。
二极管组件

[发明专利]容性二极管组件及其制造方法-CN201510516281.0在审
发明人：周源;张彦秀;韦仕贡;徐鸿卓 -专利权人：北京燕东微电子有限公司
申请日： 2015-08-20 - 公布日： 2015-12-23 - 主分类号： H01L27/08 文献下载
摘要：公开了容性二极管组件及其制造方法。所述容性二极管组件包括：第一导电类型的半导体衬底；位于半导体衬底上的第二导电类型的外延层，第二导电类型与第一导电类型不同；第一导电类型的隔离区，从外延层的表面穿过外延层延伸至半导体衬底中，从而在外延层中限定第一二极管的第一有源区和第二二极管的第二有源区，并且将第一有源区和第二有源区彼此隔开；第一导电类型的第一掺杂区，在第一有源区从外延层表面延伸至外延层中；第二导电类型的第二掺杂区，在第二有源区从外延层表面延伸至外延层中；以及互连结构，将隔离区和外延层位于第一有源区的部分彼此电连接。该容性二极管组件可以作为无极性的电容元件，可以提高瞬态电压抑制器的瞬态响应速度。
二极管组件及其制造方法

[实用新型]瞬态电压抑制器-CN201520633734.3有效
发明人：周源;张彦秀;韦仕贡;徐鸿卓 -专利权人：北京燕东微电子有限公司
申请日： 2015-08-20 - 公布日： 2015-12-16 - 主分类号： H02H9/04 文献下载
摘要：公开了瞬态电压抑制器。所述瞬态电压抑制器具有信号端和接地端，包括：彼此串联连接的容性二极管组件和第一齐纳二极管，其中，容性二极管组件包括在同一个半导体芯片中形成且所述半导体芯片内反向并联连接的第一二极管和第二二极管。该瞬态电压抑制器采用容性二极管组件作为无极性的电容元件，从而提高瞬态电压抑制器的瞬态响应速度。
瞬态电压抑制器

[实用新型]瞬态电压抑制器封装组件-CN201520651304.4有效
发明人：周源;张彦秀;韦仕贡;徐鸿卓 -专利权人：北京燕东微电子有限公司
申请日： 2015-08-26 - 公布日： 2015-12-16 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：公开了一种瞬态电压抑制器封装组件，其特征在于，包括：封装框架，包括多个引脚；第一容性二极管组件，安装在所述多个引脚中的第一引脚上；以及第一齐纳二极管，安装在所述多个引脚中的第二引脚上，其中，所述第一容性二极管组件与所述第一齐纳二极管之间经由第一键合线电连接。该瞬态电压抑制器封装组件采用容性二极管组件与齐纳二极管的串联配置提高瞬态响应速度。由于采用无极性的容性二极管组件，因此，容性二极管组件的任意引线可以与齐纳二极管的任意引线连接，从而减少由于半导体器件的连接错误导致芯片损坏的可能性。
瞬态电压抑制器封装组件

[实用新型]用于驻极体麦克风的高增益前置放大器及驻极体麦克风-CN201420243692.8有效
发明人：淮永进;孙茂友;徐鸿卓;韦仕贡;唐晓琪;蔺增金;张彦秀 -专利权人：北京燕东微电子有限公司;深圳市锐迪芯电子有限公司
申请日： 2014-05-13 - 公布日： 2014-11-12 - 主分类号： H03F3/185 文献下载
摘要：本实用新型公开一种驻极体麦克风用高增益前置放大器。该放大器包括PMOS晶体管、第一和第二NMOS晶体管，以及电流源，其中PMOS晶体管的栅极用作该放大器的输入端，所述第二NMOS晶体管的漏极用作该放大器的输出端，所述电流源的第一端与第二NMOS晶体管的漏极连接，第二端与所述PMOS晶体管的源极和第一NMOS晶体管的漏极连接，所述第一和第二NMOS晶体管的栅极连接，并且所述PMOS晶体管的漏极以及第一和第二NMOS晶体管的源极接地。本实用新型由此提供一种高增益、体积小能够应用于ECM麦克风的前置放大器。本实用新型还提供一种包括该前置放大器的驻极体麦克风。
用于驻极体麦克风增益前置放大器

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