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[发明专利]一种半导体加工焊线电子火焰熄灭高度快速校正治具-CN202310221110.X在审
发明人：孙承建;贲锋;徐立跃;唐立东;赵正楠;颜浩 -专利权人：康佳芯云半导体科技（盐城）有限公司
申请日： 2023-03-09 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： F23Q25/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体加工焊线电子火焰熄灭高度快速校正治具，涉及半导体加工技术领域，包括底板，底板的上侧设置有第一连接杆，第一连接杆的一侧固定连接有支撑板，且支撑板设置有多个，支撑板的上侧固定连接有第一气缸和第二气缸，底板的上侧设置有高度调节机构；改善了焊线设备对于电子火焰高度校正是基于目视，导致每台设备电子火焰熄灭高度存在偏差，从而会造成设备烧球不稳定且一致性差的问题，本装置中高度调节机构可用于通过第一连接杆带动多个支撑板进行上下移动，使得多个焊线设备能同步进行移动，这使得焊线设备的高度在进行调节之后，焊线设备的电子火焰熄灭都能位于同一高度，不易出现偏差。
一种半导体加工电子火焰熄灭高度快速校正

[实用新型]一种应用于等离子体清洗机减少微尘的吸附装置-CN202222527952.1有效
发明人：孙承建;贲锋;付道军;唐立东;徐立跃 -专利权人：康佳芯云半导体科技（盐城）有限公司
申请日： 2022-09-23 - 公布日： 2023-02-17 - 主分类号： B08B7/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种应用于等离子体清洗机减少微尘的吸附装置，涉及等离子体清洗的技术领域，包括等离子体清洗机本体，等离子体清洗机本体的内部设置有清洗室，等离子体清洗机本体的下表面均匀固定连接有万向轮，等离子体清洗机本体的下表面开设有进风口，进风口与清洗室相连通，等离子体清洗机本体的底部卡接有第一安装头，使用时，将需要清洗的芯片等半导体组件放入清洗室的内部，启动风机通过排尘管与漏斗吸尘口配合，将清洗室内部带有微粒的空气向外抽，从而尽量避免在对芯片等半导体组件进行清洗时，出现超出无尘车间微尘规格的颗粒沾附在制作半导体组件的芯片上，影响到其上精密导线布局的样式，造成电性短路或断路严重后果的情况。
一种应用于等离子体清洗减少微尘吸附装置

[实用新型]一种应用于焊线设备的自动化搬运系统-CN202222527405.3有效
发明人：贲锋;付道军;周昌健;殷建峰;徐立跃 -专利权人：康佳芯云半导体科技（盐城）有限公司
申请日： 2022-09-23 - 公布日： 2023-02-17 - 主分类号： B23K37/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种应用于焊线设备的自动化搬运系统，涉及焊线设备领域，包括放置台、工作台、第一传输带和第二传输带，放置台和第一传输带分别设置在工作台的两侧，第二传输带设置在第一传输带远离工作台的一侧，放置台和第二传输带的上侧固定连接有固定板，固定板的上侧固定连接有横板，横板的上侧开设有安装槽，横板位于安装槽的内部设置有无杆气缸，改善了工作人员在对物料和料盒进行放置时，容易将物料与料盒弄混，且工作效率较低，人力成本过高的问题，本装置中连接板的外侧设置有抓取机构，抓取机构可对需要传输的物料起到抓取、输送的作用，使得工作人员在将物料进行传输时更加方便，从而减少了人力的消耗。
一种应用于设备自动化搬运系统

[实用新型]一种半导体新型小芯片多步顶升结构-CN202221804361.8有效
发明人：贲锋;付道军;孙承建;周昌健;殷建峰;徐立跃 -专利权人：康佳芯云半导体科技（盐城）有限公司
申请日： 2022-07-13 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： H01L21/687 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种半导体新型小芯片多步顶升结构，涉及芯片制造技术领域，包括底壳、第一顶升块和第二顶升块，第一顶升块设置于底壳的上方，底壳的内底面固定安装有气缸，气缸的输出端固定连接至第一顶升块的下方，第二顶升块滑动嵌设在第一顶升块的上方，第二顶升块和第一顶升块之间设置有驱动组件，第二顶升块的上方两侧对称开设有凹槽，第二顶升块两侧凸块的上方开设有抽气孔，抽气孔与底壳贯通，当第二顶升块开槽设计分段后，相对于原多步顶第三步平面一体式接触芯片，减少接触面，芯片易于吸取，分为多个小平面，相对于顶针接触芯片，多平面均匀受力，避免隐裂,crack等异常发生。
一种半导体新型芯片多步顶升结构

[实用新型]半导体封装新型等离子清洗机-CN202221364056.1有效
发明人： 徐立跃;贲锋;孙承建;付道军;周昌健;殷建峰 -专利权人：康佳芯云半导体科技（盐城）有限公司
申请日： 2022-06-01 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： B08B7/00 文献下载
摘要：本实用新型提供了半导体封装新型等离子清洗机，包括底座箱与控制器、以及固定安装在所述底座箱顶部的等离子清洗机本体，所述底座箱的内壁底部固定安装有步进电机，所述步进电机的输出端穿过所述底座箱延伸至所述等离子清洗机本体的内部固定连接有转盘，所述底座箱的内壁顶部固定安装有时间控制器，所述时间控制器与所述步进电机之间电性连接，所述转盘的顶部设置有用于对清洗物进行夹持固定的夹持机构，通过时间控制器用于设置清洗翻转的时间，当时间到达设置的时间时，将信息传至步进电机，步进电机带动转盘旋转，从而对转盘上放置的清洗物进行自动翻转，有效保障每个面清理时间的均匀性，节省了清洗时，提高了清洗效率。
半导体封装新型等离子清洗

[发明专利]一种半导体封装新型自动化压力烤箱-CN202210823573.9在审
发明人：贲锋;孙承建;付道军;周昌健;殷建峰;徐立跃 -专利权人：康佳芯云半导体科技（盐城）有限公司
申请日： 2022-07-13 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明涉及半导体加工烤箱技术领域，具体公开了一种半导体封装新型自动化压力烤箱，包括箱体，箱体的上方设置有三色指示灯和控制面板，箱体的背面设置有充氮组件，箱体的正面设置有封板，箱体的内部设置有压力腔体区域，压力腔体区域的内部设置有加热组件，箱体位于压力腔体区域的一侧开设有镂空槽，压力腔体区域位于镂空槽的一侧安装有烤箱压力门，烤箱压力门位于镂空槽内，箱体位于镂空槽的内部两侧安装有滑动组件，滑动组件用于控制烤箱压力门打开和闭合，本申请可以利用烤箱压力门上的压块可以压住导杆，使导杆向内移动，从而可以带动阀芯向内移动，方便控制充氮管的开关。
一种半导体封装新型自动化压力烤箱

[发明专利]一种基于石墨烯吸收增强的近红外宽波段光开关-CN202010852605.9有效
发明人：王钦华;袁志豪;曹冰;熊先杰;何耿;周浩;罗安林;陈王义博;徐立跃 -专利权人：苏州大学
申请日： 2020-08-21 - 公布日： 2022-04-26 - 主分类号： G02F1/09 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于石墨烯吸收增强的近红外宽波段光开关，包括：衬底，以及覆盖在衬底上的调制层，调制层上通过光刻‑镀膜设有介质层和金属纳米圆柱阵列，金属纳米圆柱阵列作为电极一，调制层上通过镀膜设有电极二，调制层为石墨烯；石墨烯层直接生长或者转移至衬底上，所述石墨烯层上施加有垂直方向的直流偏置电压，介质层的材料为光刻胶，光刻胶通过旋涂机旋涂于调制层的上方，通过二次双光束全息光刻工艺形成介质层，本发明提供一种基于石墨烯吸收增强的近红外宽波段光开关，以解决现有石墨烯光开关调制深度较低和制备复杂的问题，实现了一种与入射偏振无关，结构和制备相对简单，具有优异调制深度和调制带宽的反射式光开关。
一种基于石墨吸收增强红外波段开关

[实用新型]一种石墨烯掩膜生长氮化镓的衬底-CN202120651499.8有效
发明人：陈王义博;曹冰;徐立跃;李路;杨帆 -专利权人：苏州大学
申请日： 2021-03-31 - 公布日： 2021-11-19 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种石墨烯掩膜生长氮化镓的衬底，包括基底层与石墨烯掩膜层，所述石墨烯掩膜层沉积于基底层上；石墨烯掩膜层刻蚀有光栅状条纹结构，光栅状条纹结构的凹槽部为用于生长氮化镓层的窗口区域，光栅状条纹结构的凸起部为掩膜区域。本实用新型的有益效果：石墨烯掩膜层结构可以有效地降低氮化镓位错，提高其生长质量；由于石墨烯掩膜层在生长过程分解消失，降低了掩膜给氮化镓带来的应力和小角度晶界缺陷。本结构同时也可以应用于除氮化镓以外的III‑V族化合物半导体。
一种石墨烯掩膜生长氮化衬底

[发明专利]一种用自消失的石墨烯掩膜生长氮化镓的方法-CN202110345111.6在审
发明人：曹冰;陈王义博;徐立跃;李路;杨帆 -专利权人：苏州大学
申请日： 2021-03-31 - 公布日： 2021-08-10 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种用自消失的石墨烯掩膜生长氮化镓的方法，包括氮化镓层、掩膜层与衬底层，衬底层上通过等离子体增强化学气相沉积法直接生长有石墨烯掩膜层，石墨烯掩膜层通过刻蚀形成了光栅状条纹结构，在衬底层上通过金属有机化学气相沉积生长了氮化镓层，石墨烯掩膜层在氮化镓层生长过程中分解消失留下空气间隙。本发明的有益效果：石墨烯掩膜层结构可以有效地降低氮化镓位错，提高其生长质量；由于石墨烯掩膜层在生长过程分解消失，降低了掩膜给氮化镓带来的应力和小角度晶界缺陷。本结构同时也可以应用于除氮化镓以外的III‑V族化合物半导体。
一种消失石墨烯掩膜生长氮化方法

[发明专利]一种六方氮化硼上生长氮化镓的方法-CN202110300393.8在审
发明人：曹冰;徐立跃;王钦华;陈王义博;李路;杨帆;蔡鑫;李建洁;陶佳豪 -专利权人：苏州大学
申请日： 2021-03-22 - 公布日： 2021-07-16 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种六方氮化硼上生长氮化镓的方法，采用化学气相沉积法，在铜箔上生长得到六方氮化硼；降温处理使其表面出现连续且均匀的褶皱；将铜箔上具有褶皱的六方氮化硼转移到其它衬底上作为生长氮化镓的插入层；利用氧等离子体处理六方氮化硼褶皱；采用金属有机化学气相沉积法，生长低V/III比氮化镓成核层；采用金属有机化学气相沉积法，生长高V/III比氮化镓层。本发明采用氧等离子体处理六方氮化硼褶皱，在六方氮化硼褶皱处形成缺陷和原子台阶，以六方氮化硼褶皱边缘为成核点，侧向生长形成完整连续的氮化镓薄膜。侧向生长的过程也减少了外延层中的位错，进一步提高了氮化镓的晶体质量，具有很强的实用性。
一种氮化生长方法

[实用新型]一种利用石墨烯耦合的近红外宽波段光开关装置-CN202021767611.6有效
发明人：王钦华;袁志豪;曹冰;熊先杰;何耿;周浩;罗安林;陈王义博;徐立跃 -专利权人：苏州大学
申请日： 2020-08-21 - 公布日： 2021-04-02 - 主分类号： G02F1/01 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种利用石墨烯耦合的近红外宽波段光开关装置，包括：衬底，以及覆盖在衬底上的调制层，调制层上通过光刻‑镀膜设有介质层和金属纳米圆柱阵列，金属纳米圆柱阵列作为电极一，调制层上通过镀膜设有电极二，调制层为石墨烯；石墨烯层直接生长或者转移至衬底上，所述石墨烯层上施加有垂直方向的直流偏置电压，介质层的材料为光刻胶，光刻胶通过旋涂机旋涂于调制层的上方，通过二次双光束全息光刻工艺形成介质层，本实用新型提供一种利用石墨烯耦合的近红外宽波段光开关装置，以解决现有石墨烯光开关调制深度较低和制备复杂的问题，实现了一种与入射偏振无关，结构和制备相对简单，具有优异调制深度和调制带宽的反射式光开关。
一种利用石墨耦合红外波段开关装置

[实用新型]一种基于石墨烯等离子体的宽带透射式红外光调制器-CN202020675585.8有效
发明人：王钦华;袁志豪;曹冰;熊先杰;何耿;周浩;罗安林;陈王义博;徐立跃 -专利权人：苏州大学
申请日： 2020-04-28 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： G02F1/01 文献下载
摘要：本实用新型属于光学器件领域，为提高调制器调制深度和带宽提出一种基于石墨烯等离子体的宽带透射式红外光调制器，包括衬底，衬底上覆盖有石墨烯调制层，调制层上通过镀膜‑刻蚀设有非金属光栅层，非金属光栅层上通过镀膜设有金属光栅层，衬底两侧分别通过镀膜设有电极一与电极二。通过将石墨烯与非金属光栅层耦合，利用金属光栅的优异偏振特性和对石墨烯局域表面等离子激元进一步增强的场约束能力，从而大幅提高器件的调制深度和调制带宽，该结构对TE线偏振入射光具有强反射，对TM线偏振入射光可实现在宽波段范围内高调制深度的透射调制，该特性可实现在自然光入射时，对透射光具有高调制深度、宽调制带宽的调制功能。
一种基于石墨等离子体宽带透射红外光调制器

[发明专利]一种用石墨烯掩膜生长氮化镓的方法-CN202010546964.1在审
发明人：曹冰;陈王义博;徐立跃;李路;杨帆 -专利权人：苏州大学
申请日： 2020-06-16 - 公布日： 2020-09-15 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明属于半导体领域，为降低外延生长氮化镓的位错密度，公开了一种用石墨烯掩膜生长氮化镓的方法，包括氮化镓层、石墨烯掩膜层、衬底层，衬底层上通过等离子体增强化学气相沉积法直接生长石墨烯掩膜层，石墨烯掩膜层通过刻蚀形成了光栅状条纹，石墨烯掩膜层上通过金属有机物化学气相沉积生长氮化镓层。有益效果：石墨烯掩膜层结构可以有效地降低氮化镓位错，提高其生长质量；由于石墨烯是二维材料，可以降低掩膜层带来的低角度晶界缺陷；同时也利用石墨烯散热性好的特点，从而大幅提高氮化镓器件的散热性能；石墨烯掩膜层与氮化镓层由弱的范德华力结合的特点也使得氮化镓层易于剥离。本结构同时也可以应用于除氮化镓以外的III‑V族化合物半导体。
一种石墨烯掩膜生长氮化方法

[发明专利]一种基于石墨烯等离子体的宽带透射式红外光调制器-CN202010350642.X在审
发明人：王钦华;袁志豪;曹冰;熊先杰;何耿;周浩;罗安林;陈王义博;徐立跃 -专利权人：苏州大学
申请日： 2020-04-28 - 公布日： 2020-07-28 - 主分类号： G02F1/01 文献下载
摘要：本发明属于光学器件领域，为提高调制器调制深度和带宽提出一种基于石墨烯等离子体的宽带透射式红外光调制器，包括衬底，衬底上覆盖有石墨烯调制层，调制层上通过镀膜‑刻蚀设有非金属光栅层，非金属光栅层上通过镀膜设有金属光栅层，衬底两侧分别通过镀膜设有电极一与电极二。通过将石墨烯与非金属光栅层耦合，利用金属光栅的优异偏振特性和对石墨烯局域表面等离子激元进一步增强的场约束能力，从而大幅提高器件的调制深度和调制带宽，该结构对TE线偏振入射光具有强反射，对TM线偏振入射光可实现在宽波段范围内高调制深度的透射调制，该特性可实现在自然光入射时，对透射光具有高调制深度、宽调制带宽的调制功能。
一种基于石墨等离子体宽带透射红外光调制器

[实用新型]一种半导体六边形微米碟激光器-CN202020151033.7有效
发明人：曹冰;何耿;王钦华;熊先杰;袁志豪;周浩;罗安林;陈王义博;徐立跃 -专利权人：苏州大学
申请日： 2020-02-03 - 公布日： 2020-07-17 - 主分类号： H01S5/20 文献下载
摘要：本实用新型属于半导体微腔激光器领域，为解决六边形回音壁模式品质因子低与三角形回音壁模式出射难的问题：公开了一种半导体六边形微米碟激光器，该装置利用高折射率增益材料的受激辐射物理特性，通过分布式布拉格反射层来降低微腔激光器光学损耗，半导体六边形微米碟作为光学谐振腔与激光增益物质，激光器作为光学泵浦源提供光学增益，当增益超过微腔激光器阈值后产生激光出射；通过控制泵浦源激光光斑位于六边形微米碟角落，在受激辐射后产生双三角回音壁光学谐振模式的激光出射。本实用新型相比较常规六边形和三角形回音壁光谐振模式的激光器同时具有高的品质因子和易于激光出射的优点。
一种半导体六边形微米激光器

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